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二氧化硅薄膜比热容分子动力学模拟
被引量：
1
1
作者
唐祯安
丁海涛
+2 位作者
黄正兴
许自强
李新
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期313-315,共3页
针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系...
针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系.计算结果表明,SiO2薄膜在300K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的.模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料.
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关键词
分子动力学模拟
比热容
二氧化硅薄膜
SIO2薄膜
微尺度效应
热容测定
纳米量级
相互作用
势能函数
物理模型
变化规律
计算结果
依赖关系
薄膜厚度
温度升高
模拟结果
体材料
分子间
实验值
分析基
微器件
半导体
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职称材料
题名
二氧化硅薄膜比热容分子动力学模拟
被引量：
1
1
作者
唐祯安
丁海涛
黄正兴
许自强
李新
机构
大连理工大学电子与信息工程学院微系统中心
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期313-315,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(59995550-5
50135040).
文摘
针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系.计算结果表明,SiO2薄膜在300K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的.模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料.
关键词
分子动力学模拟
比热容
二氧化硅薄膜
SIO2薄膜
微尺度效应
热容测定
纳米量级
相互作用
势能函数
物理模型
变化规律
计算结果
依赖关系
薄膜厚度
温度升高
模拟结果
体材料
分子间
实验值
分析基
微器件
半导体
Keywords
Computer simulation
Models
Nanostructured materials
Semiconducting films
Silica
Thin films
分类号
O551.3 [理学—热学与物质分子运动论]
TG111.4 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二氧化硅薄膜比热容分子动力学模拟
唐祯安
丁海涛
黄正兴
许自强
李新
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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