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Cu薄膜三维生长的Monte Carlo模拟
被引量：
4
1
作者
朱祎国
毛文
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期328-331,共4页
利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟了Cu薄膜在四方基底上的三维生长过程。模型中考虑了三个主要的原子热运动过程:原子沉积、原子扩散、原子脱附,各过程发生的概率是由各运动的速率来决定的。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖度对C...
利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟了Cu薄膜在四方基底上的三维生长过程。模型中考虑了三个主要的原子热运动过程:原子沉积、原子扩散、原子脱附,各过程发生的概率是由各运动的速率来决定的。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖度对Cu薄膜的表面形貌及表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,薄膜以层状生长方式生长;Cu薄膜表面粗糙度随温度的升高而减小,当基底温度处于某一临界温度之内时,表面粗糙度随沉积速率的变化很大,但当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随沉积速率的变化很小;薄膜的粗糙度与薄膜亚单层的形核密切相关。
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关键词
粗糙度
MONTE
Carlo模型
薄膜生长
形貌
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职称材料
题名
Cu薄膜三维生长的Monte Carlo模拟
被引量：
4
1
作者
朱祎国
毛文
机构
大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室大连理工大学工程力学系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期328-331,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2005CB321704)
国家杰出青年科学基金项目(10925209)
文摘
利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟了Cu薄膜在四方基底上的三维生长过程。模型中考虑了三个主要的原子热运动过程:原子沉积、原子扩散、原子脱附,各过程发生的概率是由各运动的速率来决定的。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖度对Cu薄膜的表面形貌及表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,薄膜以层状生长方式生长;Cu薄膜表面粗糙度随温度的升高而减小,当基底温度处于某一临界温度之内时,表面粗糙度随沉积速率的变化很大,但当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随沉积速率的变化很小;薄膜的粗糙度与薄膜亚单层的形核密切相关。
关键词
粗糙度
MONTE
Carlo模型
薄膜生长
形貌
Keywords
Roughness
Monte Carlo model
Thin film growth
Morphologies
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu薄膜三维生长的Monte Carlo模拟
朱祎国
毛文
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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