介质阻挡放电聚乙烯表面能改性 被引量：7

1

作者 任春生 于红 +2 位作者 张家良 王德真 马腾才 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期31-34,共4页

介质阻挡放电(DBD)处理聚合物表面可有效提高其亲水性和结合强度.利用不同工作气体(氮气和空气)的DBD对聚乙烯(PE)表面能进行改性.N2-DBD处理PE30min后其表面水接触角达到19.3°,而空气-DBD处理后最小只能达到28.7°.红外吸收... 介质阻挡放电(DBD)处理聚合物表面可有效提高其亲水性和结合强度.利用不同工作气体(氮气和空气)的DBD对聚乙烯(PE)表面能进行改性.N2-DBD处理PE30min后其表面水接触角达到19.3°,而空气-DBD处理后最小只能达到28.7°.红外吸收光谱与原子力显微镜分析其表面发现出现新的化学基团,且形貌变得相对粗糙.随处理时间的增加,经N2-DBD和空气-DBD处理的PE无论从表面成分还是表面形貌看,前者都比后者变化程度更大. 展开更多

关键词 介质阻挡放电 聚乙烯 表面能 聚合物 氮气 空气 改性

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冷喷涂材料改性气粉射流流动计算与分析 被引量：6

2

作者 王晓放 黄钟岳 +1 位作者 王德真 巫述飞 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期562-565,共4页

在冷喷涂材料表面改性技术研究中 ,圆喷嘴气、固两相可压缩紊流射流的流场计算非常重要 .在奥尔逊 (Olson)可压缩二元射流理论基础上 ,对可压缩三元射流进行了分析、建模、计算 .并在此基础上 ,采用固相单颗粒动力学模型 ,完成了实验要... 在冷喷涂材料表面改性技术研究中 ,圆喷嘴气、固两相可压缩紊流射流的流场计算非常重要 .在奥尔逊 (Olson)可压缩二元射流理论基础上 ,对可压缩三元射流进行了分析、建模、计算 .并在此基础上 ,采用固相单颗粒动力学模型 ,完成了实验要求的气、固两相射流流场计算 .计算结果与实验结果比较 ,吻合良好 . 展开更多

关键词 冷喷涂 可压缩射流 流场计算

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双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术 被引量：12

3

作者 徐军 邓新绿 +2 位作者 张家良 陆文棋 马腾才 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期275-278,共4页

因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的... 因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的微波 -ECR等离子体源进行了改造 .研究了双放电腔微波 -ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性 ,并用该方法制备了氮化碳膜 .结果表明 :该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术 ;用该方法制备的氮化碳膜 。 展开更多

关键词 磁控溅射 放电特性 氮化碳膜 等离子体源 薄膜制备 沉积

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标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究 被引量：4

4

作者 郎佳红 顾彪 +2 位作者 徐茵 秦福文 曲钢 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期64-68,共5页

在经过校温的ECR PEMOCVD装置上 ,通过分析RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验 ,结果表明 :经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大 ;按照经验清洗 ... 在经过校温的ECR PEMOCVD装置上 ,通过分析RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验 ,结果表明 :经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大 ;按照经验清洗 30min是不能清洗充分的 ,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了 ;结果表明清洗得很充分的衬底经 2 0min的氮化出来 ,而未清洗充分的衬底 2 展开更多

关键词 RHEED 反射高能电子衍射 蓝宝石 GAN 标准温度 衬底分步清洗

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等离子体离子源磁场分布数值计算 被引量：2

5

作者 任春生 牟宗信 +1 位作者 李国卿 钟溥 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期396-399,共4页

在离子源的设计中 ,为了减少等离子体的器壁复合损失 ,经常采用磁场对等离子体进行约束 ;但磁场分布的复杂性 ,给实际测量带来了困难 .介绍采用磁荷法对低能辐照离子源中磁场分布进行计算 ,给出了计算结果 ,并讨论了误差可能产生的原因... 在离子源的设计中 ,为了减少等离子体的器壁复合损失 ,经常采用磁场对等离子体进行约束 ;但磁场分布的复杂性 ,给实际测量带来了困难 .介绍采用磁荷法对低能辐照离子源中磁场分布进行计算 ,给出了计算结果 ,并讨论了误差可能产生的原因及其影响 .计算结果对于离子源设计中的阴极热电子发射、离子束有效引出面积确定及等离子体的有效约束等重要问题有一定参考价值 . 展开更多

关键词 等离子体 离子源 磁场分布 数值计算 磁约束 磁场位形 磁荷理论 离子束

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蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响 被引量：1

6

作者 郎佳红 顾彪 +2 位作者 徐茵 秦福文 曲钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期57-60,共4页

通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD 装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验。结果表明,经常规清洗... 通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD 装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验。结果表明,经常规清洗后的蓝宝石衬底表面晶质差异较大,有些衬底再经通常的30min等离子体清洗是达不到要求的,而要根据情况施行分步清洗才能清洗充分,清洗充分的衬底经20min就可氮化出来,不充分的再长的时间也很难氮化。 展开更多

关键词 蓝宝石 清洗 氮化 RHEED GAN

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同轴磁场对非平衡磁控溅射系统放电特性的影响 被引量：1

7

作者 牟宗信 李国卿 黄开玉 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期141-146,共6页

采用激励电流可以调整的电磁线圈来激发非平衡磁场,调整约束磁场和放电空间等离子体状态。实验结果表明调整非平衡磁场显著影响系统的放电特性,使放电特性偏离常规的磁控溅射系统放电特性,增强了等离子体的引出效果。在Ar放电的条件下,... 采用激励电流可以调整的电磁线圈来激发非平衡磁场,调整约束磁场和放电空间等离子体状态。实验结果表明调整非平衡磁场显著影响系统的放电特性,使放电特性偏离常规的磁控溅射系统放电特性,增强了等离子体的引出效果。在Ar放电的条件下,详细研究了溅射系统的工作伏安特性随不同的工作气体、气压和溅射功率的变化规律。根据蔡尔得公式,讨论了非平衡磁场对于磁控溅射系统中放电特性的影响规律。 展开更多

关键词 同轴磁场 非平衡磁控溅射系统 放电特性 等离子体 薄膜

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低能辐照离子源设计及性能

8

作者 任春生 牟宗信 +6 位作者 李国卿 钟溥 郭宝海 康宁 王洋 黑祖昆 王亮 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期183-188,共6页

简要介绍了低能辐照离子源的设计及性能。采用热阴极磁约束ＰＩＧ放电，并用两极多孔加减速系统引出离子束。调试结果：离子束能量在２００－２０００ｅＶ范围内可调，最大引出束流１５０ｍＡ，灯丝工作寿命１６０ｈ。

关键词 热阴极 磁约束 离子束 离子源 低能辐照

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非平衡磁控溅射系统的离子束流控制

9

作者 牟宗信 李国卿 +1 位作者 黄开玉 车德良 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期225-230,共6页

在非平衡磁控溅射沉积非磁性金属薄膜过程中,离子 原子到达比、沉积速率等参数是影响薄膜结构和性能的重要因素。根据非平衡磁控溅射沉积过程中离子的分布特点,分别考虑离子和中性粒子的传输,导出了对圆形平面靶非平衡磁控溅射沉积薄膜... 在非平衡磁控溅射沉积非磁性金属薄膜过程中,离子 原子到达比、沉积速率等参数是影响薄膜结构和性能的重要因素。根据非平衡磁控溅射沉积过程中离子的分布特点,分别考虑离子和中性粒子的传输,导出了对圆形平面靶非平衡磁控溅射沉积薄膜的放电功率、气压和离子束流密度等参数之间的关系,阐明了放电参数对于沉积过程离子束流密度等参数的影响。在Ar放电条件下,测量了系统的伏安特性;采用偏压平面离子收集电极测量了溅射系统轴向离子束流密度随不同的气压、溅射电流和空间位置的变化规律。结果表明模型分析的结论和实验数据的变化趋势相符合。 展开更多

关键词 非平衡磁控溅射系统 非磁性金属薄膜 离子束流控制 放电参数 放电功率

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阴极电弧法制备Ti-Ni合金贮氢薄膜及其性能研究

10

作者 牟宗信 林国强 李国卿 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期527-529,共3页

采用阴极电弧离子镀膜工艺制备 Ti-Ni合金薄膜贮氢材料 ,用电化学方法研究这种材料的电化学贮氢性能 ,采用 XRD方法研究贮氢薄膜在充放氢前后的结构变化 ,分析不同成分、基体对于薄膜试样贮氢性能的影响及其原因 .分析表明 ,贮氢薄膜为... 采用阴极电弧离子镀膜工艺制备 Ti-Ni合金薄膜贮氢材料 ,用电化学方法研究这种材料的电化学贮氢性能 ,采用 XRD方法研究贮氢薄膜在充放氢前后的结构变化 ,分析不同成分、基体对于薄膜试样贮氢性能的影响及其原因 .分析表明 ,贮氢薄膜为纳米晶结构 ,Ti6 1 Ni39晶粒线性尺寸小于 5 nm,电化学容量可达 2 0 0 m A .h/g以上 。 展开更多

关键词 贮氢材料 阴极电弧法 钛镍合金 贮氢薄膜 电化学贮氢性能 薄膜结构

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基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究

11

作者 郎佳红 秦福文 顾彪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第2期79-82,共4页

通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法。试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样... 通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法。试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大。最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量。 展开更多

关键词 热电偶 ECR-PEMOCVD 蓝宝石 清洗 RHEED

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激光热处理技术用于提高大型缸套的使用寿命

12

作者 夏元良 徐军 +3 位作者 吴桂林 高和才 吴永和 肖正吉 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期465-466,共2页

激光热处理技术用于提高大型缸套的使用寿命夏元良，徐军，吴桂林（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室大连１１６０２４）高和才，吴永和，肖正吉（大连化学工业公司碱厂大连１１６０３２）从７０年代初开始，激光表面相变硬... 激光热处理技术用于提高大型缸套的使用寿命夏元良，徐军，吴桂林（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室大连１１６０２４）高和才，吴永和，肖正吉（大连化学工业公司碱厂大连１１６０３２）从７０年代初开始，激光表面相变硬化技术得到迅猛发展，目前已在许多领... 展开更多

关键词 激光热处理 缸套 寿命

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用激光诱导荧光方法测量等离子体中离子温度

13

作者 吴桂林 刘延伟 邓新绿 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期458-458,共1页

用激光诱导荧光方法测量等离子体中离子温度吴桂林，刘延伟，邓新绿（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室大连１１６０２４）利用激光光谱技术研究各种等离子体中的物理现象越来越受到人们关注。激光诱导荧光（ＬＩＦ）技术可... 用激光诱导荧光方法测量等离子体中离子温度吴桂林，刘延伟，邓新绿（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室大连１１６０２４）利用激光光谱技术研究各种等离子体中的物理现象越来越受到人们关注。激光诱导荧光（ＬＩＦ）技术可以实现对等离子体中的离子速度分布、... 展开更多

关键词 激光光谱 等离子体 测量 激光诱导喷光法 温度

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铝合金电弧喷涂纯铝涂层的耐蚀性能 被引量：8

14

作者 王真 宋刚 刘黎明 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期61-65,共5页

海洋环境下存在大量的氯离子,铝合金容易发生点蚀。利用电弧喷涂技术在铝合金表面喷涂纯铝,采用浸泡、盐雾和电化学试验等方法测试了涂层在5%NaCl溶液中的腐蚀行为。结果表明,常温浸泡144～480h或连续喷雾500～720h后,涂层表面的孔隙因... 海洋环境下存在大量的氯离子,铝合金容易发生点蚀。利用电弧喷涂技术在铝合金表面喷涂纯铝,采用浸泡、盐雾和电化学试验等方法测试了涂层在5%NaCl溶液中的腐蚀行为。结果表明,常温浸泡144～480h或连续喷雾500～720h后,涂层表面的孔隙因被腐蚀产物堵塞,对氯离子可起到暂时的隔离作用,从而促进了氧化膜的形成,使腐蚀电位提高、腐蚀电流减小、腐蚀速率减缓,涂层对铝合金基体起到良好的保护作用;将涂层用环氧树脂封孔后,防腐蚀效果显著提高。 展开更多

关键词 铝合金 电弧喷涂 铝涂层 耐蚀性 氯离子

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玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 被引量：2

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作者 王文彦 秦福文 +5 位作者 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了... 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。 展开更多

关键词 电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底

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