管腔内支架用金属材料的生物相容性及其表面改性 被引量：13

1

作者 刘敬肖 杨大智 +2 位作者 王伟强 陈吉华 蔡英骥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期584-586,589,共4页

管腔内金属支架是用于植入人体各管道狭窄处起支撑作用的医疗器械,因其与人体组织直接接触,故对支架的生物相容性的研究十分重要。本文对用于管腔内支架的316L不锈钢和NiTi合金的耐腐蚀性和生物相容性进行了综合评述;并以冠状动脉支架... 管腔内金属支架是用于植入人体各管道狭窄处起支撑作用的医疗器械,因其与人体组织直接接触,故对支架的生物相容性的研究十分重要。本文对用于管腔内支架的316L不锈钢和NiTi合金的耐腐蚀性和生物相容性进行了综合评述;并以冠状动脉支架为应用背景,着重分析了影响血管内支架血液相容性的因素,提出了对支架进行表面改性处理以提高其血液相容性的技术路线。 展开更多

关键词 管腔内支架 生物相容性 表面改性 金属材料

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铝合金表面改性技术的发展现状 被引量：16

2

作者 初鑫 任鑫 +1 位作者 郝胜智 徐洋 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2010年第20期123-127,共5页

对近年来国内外铝合金表面改性技术的研究与应用情况进行综述,讨论了电子束表面改性技术的特点和基于强流脉冲电子束的复合表面处理技术的发展前景。

关键词 铝合金 表面改性 强流脉冲电子束 复合表面处理

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Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质 被引量：16

3

作者 曲盛薇 唐鑫 +2 位作者 吕海峰 刘明 张庆瑜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-208,共5页

采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄... 采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。 展开更多

关键词 ZnO:Cu薄膜 磁控溅射 密度泛函理论 结晶特性 光学性质

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磁场对电弧离子镀深管内壁沉积TiN薄膜的影响 被引量：11

4

作者 刘琪 王文涛 林国强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期71-75,共5页

用电弧离子镀设备在一端封口的Φ50 mm×200 mm×5 mm不锈钢深管内壁上沉积TiN薄膜,镀膜前在管子上方布置一个0.4 T的永磁体,以考察附加磁场对深管内壁沉积TiN薄膜的影响。对薄膜的厚度、表面形貌、相结构、显微硬度等随管子深... 用电弧离子镀设备在一端封口的Φ50 mm×200 mm×5 mm不锈钢深管内壁上沉积TiN薄膜,镀膜前在管子上方布置一个0.4 T的永磁体,以考察附加磁场对深管内壁沉积TiN薄膜的影响。对薄膜的厚度、表面形貌、相结构、显微硬度等随管子深度的变化进行了分析与测试,结果表明,薄膜的厚度及显微硬度都随管子的深度而下降,但在距管开口处前120 mm范围内下降明显慢于未加磁场的,说明磁场对内孔沉积具有促进作用;按照显微硬度不低于20 GPa划分,本实验的镀膜深径比达到了2.0,比未加磁场时提高了40%。 展开更多

关键词 电弧离子镀 磁场 管内壁 TIN薄膜

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偏压对磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学的影响 被引量：4

5

作者 付伟佳 刘志文 +2 位作者 谷建峰 刘明 张庆瑜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期602-606,共5页

利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小... 利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小,密度逐渐变大.ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04),低速率成核过程基本消失;随着偏压增大,表面岛的尺寸变大,表面起伏增加.偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程,而且影响薄膜的晶体取向. 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反应射频磁控溅射 偏压 形貌分析

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沉积温度对N掺杂Cu_2O薄膜生长及光学特性的影响 被引量：5

6

作者 李洪婧 马春雨 +2 位作者 李帅 董武军 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1881-1885,共5页

利用反应射频磁控溅射技术,首次利用氧化铜作为溅射靶,在氮气和氩气的混合气氛下,制备出N掺杂的Cu2O薄膜。通过改变沉积温度,研究了氮掺杂Cu2O薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。研究结果表明低温沉积时,薄膜表现为比较强的(100)织... 利用反应射频磁控溅射技术,首次利用氧化铜作为溅射靶,在氮气和氩气的混合气氛下,制备出N掺杂的Cu2O薄膜。通过改变沉积温度,研究了氮掺杂Cu2O薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。研究结果表明低温沉积时,薄膜表现为比较强的(100)织构;随着沉积温度增加到500℃,薄膜逐渐转变为(111)织构,沉积温度增加导致的临界成核自由能的增加是决定薄膜织构特征的重要因素;原子力显微镜分析发现不同沉积温度的薄膜表面形貌的空间标度指数α>1,属于表面扩散支配的薄膜生长机制;薄膜表面形貌的空间标度指数和关联长度随沉积温度的变化与薄膜织构度之间存在明显的关联;不同温度沉积的氮掺杂Cu2O薄膜的禁带宽度为(2.52±0.03)eV。 展开更多

关键词 CU2O 氮掺杂 生长机制 光学特性

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氧化硅包覆铁“壳/核”型纳米复合粒子的制备及其吸波特性研究 被引量：3

7

作者 王登科 黄昊 +2 位作者 俞快 张雪峰 董星龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期340-344,共5页

采用非平衡物理气相蒸发法在氢气-氩气混合气氛下制备了氧化硅包覆铁“壳/核”型纳米复合粒子.通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和能谱分析（EDS）等方法表征了纳米复合粒子的相组分、结构以及颗粒形貌.结果表明,制备的氧... 采用非平衡物理气相蒸发法在氢气-氩气混合气氛下制备了氧化硅包覆铁“壳/核”型纳米复合粒子.通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和能谱分析（EDS）等方法表征了纳米复合粒子的相组分、结构以及颗粒形貌.结果表明,制备的氧化硅包覆铁纳米复合粒子的尺寸在50nm左右,在铁纳米粒子的表面还出现了非晶态的氧化硅纳米棒,长度为150-200nm.利用电磁参数模拟微波吸收特性得出,涂层厚度为1.79mm时,在15.4GHz频率处达到最小反射损耗值为-14.5dB,反射损耗在8-18GHz的频段低于-10dB,且损耗机制为自然共振. 展开更多

关键词 非平衡物理气相蒸发法 壳/核型纳米复合粒子 微波吸收

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离子注入茄子对其氮代谢的影响 被引量：3

8

作者 聂凡 袁华玲 +2 位作者 陈静娴 史维东 任春生 《安徽农业科学》 CAS 1996年第4期325-326,共2页

不同剂量的氮离子注入茄子种子后，不仅引起形态学的变化，而且引起氮代谢的变化。离子注入茄子后提高了其硝酸还原酶的活力，改变了硝态氮和氨态氮的比例，增加了蛋白质含量。

关键词 茄子 氮离子注入 氮素代谢变化

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基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性

9

作者 宋世巍 秦福文 +5 位作者 吴爱民 何欢 王叶安 姜辛 徐茵 顾彪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1473-1476,共4页

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面... 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征。(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成。光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰。超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K。 展开更多

关键词 (Ga Mn)N ECR—PEMOCVD 室温铁磁 性 居里温度

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变截面管道模型的等离子体输运特性数值研究

10

作者 吴迪 部德才 +1 位作者 段萍 宫野 《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第1期150-153,共4页

为了研究强流脉冲离子束(HIPIB)辐照靶材产生烧蚀等离子体向真空中喷发的机制,建立了与HIPIB烧蚀靶材形状相关的沿变截面管道流动的等离子体喷发动力学模型,并以烧蚀结果为初始条件采用数值方法计算了喷发等离子体压力、密度及速度的时... 为了研究强流脉冲离子束(HIPIB)辐照靶材产生烧蚀等离子体向真空中喷发的机制,建立了与HIPIB烧蚀靶材形状相关的沿变截面管道流动的等离子体喷发动力学模型,并以烧蚀结果为初始条件采用数值方法计算了喷发等离子体压力、密度及速度的时空演化规律。结果表明:密度演化结果与一维明显不同,随时间增加峰值先增加而后再减小,且逐渐趋于平缓,存在峰值位置,说明薄膜的形成与基片相对靶材位置是相关的。该结果对HIPIB辐照进行薄膜生长具有一定的参考价值和指导意义。 展开更多

关键词 脉冲离子束 流体动力学方程 数值方法

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PuO_2 Σ5对称晶界附近氧的自扩散行为

11

作者 黄河 赖新春 +1 位作者 敖冰云 张庆瑜 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1409-1413,共5页

本文采用分子动力学研究了PuO2∑5对称晶界附近氧的自扩散行为。结果表明:晶界能在较大程度和范围内影响氧原子的自扩散能力,晶界的存在加速了氧原子在其附近的扩散;随着氧原子与晶界界面距离的增加,其扩散能力逐渐降低;氧原子在晶界附... 本文采用分子动力学研究了PuO2∑5对称晶界附近氧的自扩散行为。结果表明:晶界能在较大程度和范围内影响氧原子的自扩散能力,晶界的存在加速了氧原子在其附近的扩散;随着氧原子与晶界界面距离的增加,其扩散能力逐渐降低;氧原子在晶界附近的扩散呈各向异性,其在垂直于晶界界面上的扩散能力大于平行于晶界界面上的扩散能力。 展开更多

关键词 PuO2 自扩散 对称晶界

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TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响 被引量：5

12

作者 陈伟绩 秦福文 +5 位作者 吴爱民 刘胜芳 杨智慧 姜辛 李帅 董武军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期445-449,共5页

采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和... 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。 展开更多

关键词 GAN TMGa流量 化学气相沉积 玻璃衬底 低温

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玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究 被引量：3

13

作者 张广英 吴爱民 +1 位作者 秦福文 姜辛 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1331-1334,共4页

为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析... 为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜. 展开更多

关键词 氮化硅 ECR—PECVD 减反射膜 低温

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AlN薄膜对太阳能吸收率的研究 被引量：3

14

作者 丁迪 张贵锋 +1 位作者 冯煜东 侯晓多 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-72,共5页

采用磁控溅射方法,在高纯氩气和氮气混合气氛下成功制备出Al(W)-AlN系太阳能选择性吸收薄膜。借助吸收光谱分析,比较了Al、W两种反射层材料上制备单层AlN和多层AlN薄膜的光谱吸收特性。结果表明:多层AlN薄膜比单层AlN薄膜的吸收性能好;W... 采用磁控溅射方法,在高纯氩气和氮气混合气氛下成功制备出Al(W)-AlN系太阳能选择性吸收薄膜。借助吸收光谱分析,比较了Al、W两种反射层材料上制备单层AlN和多层AlN薄膜的光谱吸收特性。结果表明:多层AlN薄膜比单层AlN薄膜的吸收性能好;W比Al更适合做反射面材料,W-渐变型多层AlN膜系对太阳能的吸收率可达到80%以上。 展开更多

关键词 磁控溅射 物理气相沉积 ALN薄膜 选择性吸收膜

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调制比对GDC/YSZ多层氧离子导体薄膜结构与电学性能的影响 被引量：1

15

作者 孟昕 孟宪芹 +3 位作者 姜雪宁 庞胜利 李向楠 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1120-1123,共4页

采用反应射频磁控溅射技术在(0001)蓝宝石基片上制备了不同调制结构的(GDC/YSZ)12多层氧离子导体电解质薄膜。利用电子探针微区分析技术测得薄膜的摩尔质量比为m(Zr):m(Y)=5.73:1、m(Ce):m(Gd)=4.12:1;X射线衍射(XRD)与小角X射线反射(X... 采用反应射频磁控溅射技术在(0001)蓝宝石基片上制备了不同调制结构的(GDC/YSZ)12多层氧离子导体电解质薄膜。利用电子探针微区分析技术测得薄膜的摩尔质量比为m(Zr):m(Y)=5.73:1、m(Ce):m(Gd)=4.12:1;X射线衍射(XRD)与小角X射线反射(XRR)结果表明,GDC/YSZ调制比为5:1、2:1和1:2的样品(A1～A3)具有好的超晶格结构,而A4样品未形成超晶格结构;原子力显微镜形貌分析结果表明多层膜呈密集岛状生长形貌,与GDC、YSZ单层膜比较,多层膜生长岛尺寸减小,密度增大,表面粗糙度明显减小;电学性能测试与理论分析结果表明,界面缺陷使多层膜电导率提高,而GDC成分增多,则超晶格多层膜电导率增大。 展开更多

关键词 GDC/YSZ多层薄膜 结构 表面形貌 电学性质

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反应溅射的PID神经网络控制仿真 被引量：1

16

作者 王振伟 牟宗信 刘升光 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期364-368,共5页

在反应溅射工艺中,反应气体流量和沉积速率、反应气体气压、靶电压之间存在迟滞关系。为了保证反应溅射稳定以及保持溅射率高和反应气体利用率高,需要对反应溅射系统进行精确控制。PID神经网络(PIDNN)控制器具有PID控制的快速收敛特点... 在反应溅射工艺中,反应气体流量和沉积速率、反应气体气压、靶电压之间存在迟滞关系。为了保证反应溅射稳定以及保持溅射率高和反应气体利用率高,需要对反应溅射系统进行精确控制。PID神经网络(PIDNN)控制器具有PID控制的快速收敛特点和神经网络的非线性逼近能力,适合对非线性反应溅射系统的控制。本文用PID神经网络(PIDNN)控制器对反应溅射系统进行精确控制。在S.Berg给出的反应溅射系统模型基础上,对反应溅射系统的PIDNN控制进行仿真。仿真结果表明,PIDNN控制器能够稳定反应溅射过程,并且收敛速度较快,输出响应迅速,抗干扰能力强。 展开更多

关键词 反应溅射 迟滞效应 PID神经网络控制 S.Berg模型

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变价稀土元素Eu掺杂BiCuSeO热电性能的研究 被引量：3

17

作者 康慧君 张校影 +5 位作者 王燕遐 李建波 杨雄 刘达权 杨泽荣 王同敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1041-1046,共6页

作为一种适于中温下使用的极具发展前景的新型热电材料,BiCuSeO由于本征热导率低且Seebeck系数较高而广受关注。本研究探索了变价稀土元素Eu替换Bi位对BiCuSeO热电材料微观组织和热电性能的影响。实验结果显示,样品中同时存在Eu^2+和Eu... 作为一种适于中温下使用的极具发展前景的新型热电材料,BiCuSeO由于本征热导率低且Seebeck系数较高而广受关注。本研究探索了变价稀土元素Eu替换Bi位对BiCuSeO热电材料微观组织和热电性能的影响。实验结果显示,样品中同时存在Eu^2+和Eu^3+两种价态的离子,掺杂Eu元素不仅可以增加样品的载流子浓度,还可以调整样品的能带结构,进而改善样品的电输运性能,Bi0.85Eu0.15CuSeO电导率显著提升,在823 K时达到了98 S·cm^–1,相比于未掺杂样品提升了将近6倍。在温度为823 K时,Bi0.975Eu0.025CuSeO的功率因子可达0.32 mW·m^–1·K^–2,ZT值为0.49。本研究表明,掺杂变价稀土元素可以有效改善BiCuSeO热电材料的性能。 展开更多

关键词 热电材料 BiCuSeO 变价元素掺杂

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衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

18

作者 陈伟绩 秦福文 +1 位作者 吴爱民 王文彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1836-1839,共4页

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底... 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响。结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差。 展开更多

关键词 GAN 氮化 ECR-PEMOCVD 玻璃衬底

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ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜

19

作者 杨智慧 秦福文 +3 位作者 吴爱民 宋世巍 刘胜芳 陈伟绩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期299-303,共5页

利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(X... 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响。 展开更多

关键词 掺铝氧化锌衬底 GAN薄膜 低温生长

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