通过制备Ti/TiC和Si/Si_xN_y过渡层在铜基体上沉积类金刚石膜的研究 被引量：5

1

作者 王静 刘贵昌 +2 位作者 汲大鹏 徐军 邓新禄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期397-403,共7页

将磁控溅射物理气相沉积(MS-PVD)和电子回旋共振-微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术相结合,在铜基体上通过制备两种不同的过渡层,成功地沉积了类金刚石膜。拉曼光谱结果分析表明,所制备的碳膜都具有典型的类金刚石结构特征... 将磁控溅射物理气相沉积(MS-PVD)和电子回旋共振-微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术相结合,在铜基体上通过制备两种不同的过渡层,成功地沉积了类金刚石膜。拉曼光谱结果分析表明,所制备的碳膜都具有典型的类金刚石结构特征。通过原子力显微镜对薄膜的微观形貌进行分析,采用纳米压痕测量薄膜的硬度和模量。并对Ti/TiC过渡层和Si/SixNy过渡层上沉积的类金刚石薄膜进行了研究对比。 展开更多

关键词 类金刚石膜 铜基体 过渡层 拉曼光谱(Raman) 原子力显微镜(AFM) 纳米压痕

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等离子体源离子渗氮 1Cr18Ni9Ti 奥氏体不锈钢磨损特性的试验研究 被引量：7

2

作者 雷明凯 李有宏 +1 位作者 张仲麟 黄岩 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期206-213,共8页

用等离子体源离子渗氮，即低能（１～３ｋｅＶ）、超大剂量（１０１９～１０２０ｉｏｎｓ／ｃｍ２量级）Ｎ＋注入－同步扩散改性技术，在２８０℃和３８０℃下处理１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ奥氏体不锈钢，获得了最大深度分别为１．６μｍ和... 用等离子体源离子渗氮，即低能（１～３ｋｅＶ）、超大剂量（１０１９～１０２０ｉｏｎｓ／ｃｍ２量级）Ｎ＋注入－同步扩散改性技术，在２８０℃和３８０℃下处理１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ奥氏体不锈钢，获得了最大深度分别为１．６μｍ和１０．６μｍ，固溶Ｎ的最高原子浓度均约为２５％的Ｎ过饱和面心立方相（γＮ）改性层．销－盘磨损试验表明：在２ｍ／ｓ和较宽负荷范围（等效正应力０．２～２．８ＭＰａ）条件下，高硬度（ＨＫ０．１Ｎ２２００）的γＮ相改性层具有较高的承载能力和较长的耐磨寿命．高度过饱和Ｎ在母相奥氏体中的固溶强化作用，是使等离子体源离子渗氮奥氏体不锈钢耐磨性提高的主要原因． 展开更多

关键词 等离子体源 离子渗氮 奥氏体不锈钢 耐磨性

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冠脉支架表面PLGA涂层制备及其血液相容性研究 被引量：11

3

作者 黄莹莹 齐民 +1 位作者 杨大智 王昌明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期411-414,共4页

采用静电喷涂沉积(electrospray depositionESD)法在冠脉支架表面制备了PLGA涂层。采用O-LYMPUS体式显微镜、原子力显微镜(AFM)观察了涂层宏观表面形貌及三维形貌;通过对涂层支架进行球囊扩张考察了PLGA涂层与支架的结合力;通过血小板... 采用静电喷涂沉积(electrospray depositionESD)法在冠脉支架表面制备了PLGA涂层。采用O-LYMPUS体式显微镜、原子力显微镜(AFM)观察了涂层宏观表面形貌及三维形貌;通过对涂层支架进行球囊扩张考察了PLGA涂层与支架的结合力;通过血小板粘附实验和动态凝血时间测定研究PLGA涂层的血液相容性。结果表明:ESD法在冠脉支架表面制备PLGA涂层,支架筋拐角处无明显的聚合物胶体缠绕、粘连且涂层表面光滑;PLGA涂层将316L不锈钢基体的微坑覆盖,基体Ra=16.174nm,PLGA涂层Ra=0.149nm,涂层表面粗糙度小;涂层支架撑开后在最大塑性变形位置无涂层撕裂、翘起等缺陷,涂层与支架有良好结合力;PLGA涂层血小板粘附量少,变形小,未引起血小板激活,动态凝血时间长,直到50min未产生凝血,PLGA涂层具有较好的血液相容性。 展开更多

关键词 冠脉支架 PLGA涂层 静电喷涂沉积(ESD)

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提高直升机齿轮传动干运转能力的离子注入技术 被引量：5

4

作者 于敏 戴振东 +3 位作者 薄玉奎 薛同博 刘贵龄 董创 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期11-15,共5页

根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了M o离子注入量及润滑条件对齿轮钢12C r2N i4A摩擦副摩擦因数和磨损量的影响。结果表明:M o离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大降低磨损率,对增强材料耐磨性有很好的作用。在FZ... 根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了M o离子注入量及润滑条件对齿轮钢12C r2N i4A摩擦副摩擦因数和磨损量的影响。结果表明:M o离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大降低磨损率,对增强材料耐磨性有很好的作用。在FZG齿轮试验机上进行了齿轮改性前后的对比试验,结果表明,未改性齿轮干运转30 m in后齿面明显胶合,而改性处理后的齿轮经45 m in干运转试验,齿轮工作良好,齿面光整,仍然可以继续使用,具有很好的干运转性能。 展开更多

关键词 离子注入 表面改性 千运转 摩擦磨损性能

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激光熔覆Ni60在抽油泵柱塞上的应用 被引量：10

5

作者 彭玉娟 罗燕 +3 位作者 张伟强 李赫亮 崔立丰 王春山 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2005年第10期46-47,共2页

在45钢柱塞表面激光熔覆制备Ni60粉末涂层,用于代替氧乙炔喷焊Ni40涂层,研究了组织形态和各种性能,结果表明:与火焰喷焊层相比,激光熔覆层的组织均匀细小,硬度及耐磨性耐蚀性更好。

关键词 激光熔覆:氧乙炔喷焊 镍基合金

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工程陶瓷的等离子弧加工技术 被引量：3

6

作者 徐文骥 方建成 +2 位作者 卢毅申 周锦进 马腾才 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期868-871,共4页

介绍了附加阳极等离子弧加工陶瓷材料的基本原理、基本形式和特点 ,以切割厚度为 6mm的 Al2 O3陶瓷板为例 ,研究了水再约束、磁场再约束、水磁综合再约束等各种约束条件对等离子弧柱特性及切口质量的影响规律。结果表明 ,喷嘴直径为 4mm... 介绍了附加阳极等离子弧加工陶瓷材料的基本原理、基本形式和特点 ,以切割厚度为 6mm的 Al2 O3陶瓷板为例 ,研究了水再约束、磁场再约束、水磁综合再约束等各种约束条件对等离子弧柱特性及切口质量的影响规律。结果表明 ,喷嘴直径为 4mm时 ,切口宽度小于 5 mm,切口角小于 3°,无渣切速可达 0 .8～ 1 展开更多

关键词 等离子弧切割 工程陶瓷 附加阳极 等离子体约束

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激光-等离子体辅助化学气相沉积工艺参数对氮化硅膜显微硬度的影响 被引量：3

7

作者 陆宗仪 李文梅 +4 位作者 徐军 夏元良 郭宝海 梅雨 安世民 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期7-9,共3页

采用一种新的方法──激光-等离子体辅助气相沉积法（LPCVD），在自行研制的LPCVD装置上进行了SiH4-NH3-N2体系沉积Si3N4膜的工艺试验；采用正交试验法选择工艺多数，根据显微硬度评价膜层性能，并找出最佳工艺参数：激光功率密度为328W... 采用一种新的方法──激光-等离子体辅助气相沉积法（LPCVD），在自行研制的LPCVD装置上进行了SiH4-NH3-N2体系沉积Si3N4膜的工艺试验；采用正交试验法选择工艺多数，根据显微硬度评价膜层性能，并找出最佳工艺参数：激光功率密度为328W／cm2，RF电源功率为50W，氮硅流量比为10。结果表明，激光功率密度对膜层显微硬度的影响最大，RF电源功率的影响次之，氮硅流量比的影响最弱。 展开更多

关键词 CVD 氮化硅陶瓷 表面工程 陶瓷涂层 显微硬度

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等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究 被引量：3

8

作者 雷明凯 袁力江 +1 位作者 张仲麟 马腾才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期189-192,共4页

采用等离子体源离子渗氮，即低能（1-3keV）、超大剂量（10^(19)～10^(20)ions．cm^(-2)）氮离子注入-同步热扩散技术，在300～500℃处理碳化硼薄膜，合成了硼碳氮三元薄膜．俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明，合成的硼碳... 采用等离子体源离子渗氮，即低能（1-3keV）、超大剂量（10^(19)～10^(20)ions．cm^(-2)）氮离子注入-同步热扩散技术，在300～500℃处理碳化硼薄膜，合成了硼碳氮三元薄膜．俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明，合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定，氮含量可控的非晶态薄膜．300℃渗氮的薄膜由sp^2型的硼、碳、氮微区构成，而500℃渗氮的薄膜则由sp^3和sP^2型复合的微区组成．较高的渗氮工艺温度促进sP^3型结构的形成，渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著． 展开更多

关键词 等离子体源 离子渗氮 硼碳氮薄膜

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等离子体基低能离子注入的光谱诊断 被引量：1

9

作者 吴桂林 雷明凯 +2 位作者 刘延伟 张仲麟 马腾才 《分析测试学报》 CAS CSCD 1998年第6期1-4,共4页

采用发射光谱（ＯＥＳ）技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体基低能离子注入的等离子体特性。结果表明：纯氮气形成的等离子体中的活性粒子主要是Ｎ２和Ｎ＋２，等离子体中电子与气体分子碰撞使Ｎ２产生激发和电离... 采用发射光谱（ＯＥＳ）技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体基低能离子注入的等离子体特性。结果表明：纯氮气形成的等离子体中的活性粒子主要是Ｎ２和Ｎ＋２，等离子体中电子与气体分子碰撞使Ｎ２产生激发和电离，而使Ｎ２离解的作用很小；氮氩混合气形成的等离子体中，随着氩气分压的增加，Ｎ２和Ｎ＋２的浓度降低，同时氩气对氮分子离解的贡献很小；直接施加于试样的脉冲负偏压对等离子体特性没有明显影响，但存在着一定的溅射作用。 展开更多

关键词 等离子体 离子注入 离子渗氮 光谱 改性 氮离子

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基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响 被引量：2

10

作者 俞世吉 丁振峰 +1 位作者 马腾才 邬钦崇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期131-133,共3页

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将... 在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 展开更多

关键词 等离子体 化学气相沉积 金刚石薄膜 基片位置

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Al 离子注入 Al-SiO_2 的研究 被引量：1

11

作者 宫泽祥 苏晓维 张庆瑜 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期649-652,共4页

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０... 在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性． 展开更多

关键词 离子注入 薄膜 结合力 铝 二氧化硅

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氟化类金刚石薄膜的研究进展 被引量：1

12

作者 张茹芝 刘贵昌 邓新绿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期271-275,共5页

氟化类金刚石 (FDLC)薄膜是在传统类金刚石膜基础上发展起来的一种新型表面改性材料。本文简述了FDLC薄膜的结构、性能 ,重点介绍了其制备工艺 ,讨论了源气体的种类和退火工艺对薄膜的影响。

关键词 氟化类金刚石薄膜 类金刚石膜 表面改性材料 气体 性能 制备工艺

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WC-Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究 被引量：1

13

作者 俞世吉 丁振峰 +1 位作者 马腾才 邬钦崇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期71-73,70,共4页

用微波等离子体化学气相沉积 (MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前 ,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢 氧等离子体对WC Co硬质合金 (YG6 )基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明 ,与化学腐蚀方法相比 ,氢 氧等... 用微波等离子体化学气相沉积 (MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前 ,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢 氧等离子体对WC Co硬质合金 (YG6 )基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明 ,与化学腐蚀方法相比 ,氢 氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果 ,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善 ,且对MW PCVD过程而言有其技术上的一些优越性。 展开更多

关键词 WC-CO硬质合金 去钴预处理 氢-氧等离子体 表面处理 金刚石薄膜 MWPCVD

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等离子体源低能离子注入的等离子体特性诊断

14

作者 吴桂林 雷明凯 +2 位作者 刘延伟 马腾才 张仲麟 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第S2期30-30,共1页

等离子体源低能离子注入的等离子体特性诊断吴桂林雷明凯刘延伟马腾才（大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室１１６０２４）张仲麟（大连理工大学材料工程系１１６０２４）采用ＯＥＳ技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微... 等离子体源低能离子注入的等离子体特性诊断吴桂林雷明凯刘延伟马腾才（大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室１１６０２４）张仲麟（大连理工大学材料工程系１１６０２４）采用ＯＥＳ技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源低能氮离子注入的等离子... 展开更多

关键词 低能离子注入 等离子体特性 等离子体源 大连理工大学 国家自然科学基金 电子回旋共振 低能氮离子注入 材料工程系 脉冲负偏压 微波等离子

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合成硼碳氮体系薄膜的XPS研究

15

作者 雷明凯 袁力江 +1 位作者 张仲麟 马腾才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期635-639,共5页

采用 Ｘ 射线光电子谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 分析３００ ～５００‘ Ｃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点， 研究 Ｂ、 Ｃ、 Ｎ 对薄膜的 Ｘ Ｐ Ｓ影响结果表明， Ｘ Ｐ Ｓ分析合成氮... 采用 Ｘ 射线光电子谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 分析３００ ～５００‘ Ｃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点， 研究 Ｂ、 Ｃ、 Ｎ 对薄膜的 Ｘ Ｐ Ｓ影响结果表明， Ｘ Ｐ Ｓ分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成， 但不能确定ｓｐ２ 和ｓｐ３ 型键合结构特性； Ｘ Ｐ Ｓ 分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性在较高的工艺温度下， 等离子体源离子渗氮合成的硼碳氮薄膜具有ｓｐ２ 和ｓｐ３ 展开更多

关键词 硼碳氮薄膜 等离子体源 离子渗氮 XPS 薄膜

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氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

16

作者 张庆瑜 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第1期29-35,共7页

着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X... 着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化，给出新的解释。 展开更多

关键词 氮化钛膜 高分辨率 俄歇电子谱 薄膜 XPS

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Si过渡层对梯度影响类金刚石薄膜结合力的影响研究

17

作者 胡德平 刘成龙 +3 位作者 齐民 杨大智 李国卿 徐军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1561-1563,1567,共4页

实验利用双放电腔微波-ECR等离子体源设备,采用复合PVD(physical vapor deposition)和PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)的方法,先后在NiTi基体上沉积Si和Si/α-C∶H过渡层,然后制备类金刚石薄膜。Raman光谱和透射电镜... 实验利用双放电腔微波-ECR等离子体源设备,采用复合PVD(physical vapor deposition)和PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)的方法,先后在NiTi基体上沉积Si和Si/α-C∶H过渡层,然后制备类金刚石薄膜。Raman光谱和透射电镜表明制备的梯度薄膜是典型的类金刚石薄膜,划痕的测试结果表明,Si过渡层沉积时间影响着梯度类金刚石薄膜与NiTi合金基体之间的结合强度,当沉积时间在60min左右时可获得具有最好结合强度的梯度薄膜,而超过或低于这个时间值会导致膜基结合强度降低。 展开更多

关键词 NITI合金 类金刚石薄膜 过渡层 结合强度 划痕法

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