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生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
被引量：
2
1
作者
杨园静
涂洁磊
+1 位作者
李雷
姚丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期461-464,共4页
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池...
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。
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关键词
INAS
GaAs量子点
生长温度
三结叠层量子点电池
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职称材料
题名
生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
被引量：
2
1
作者
杨园静
涂洁磊
李雷
姚丽
机构
云南师范大学太阳能研究所
文山
学院
信息科学
学院
楚雄师范
学院
物理与
电子
科学系
大理学院电子工程及自动化系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期461-464,共4页
基金
云南省科技计划重点项目(2009CC012)
国家高技术发展计划(863计划)(2011AA050512)
文摘
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。
关键词
INAS
GaAs量子点
生长温度
三结叠层量子点电池
Keywords
InAs/GaAs quantum dot
growth temperature
quantum dot multiple solar cell
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
杨园静
涂洁磊
李雷
姚丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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