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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
1
作者
胡宪富
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期141-146,共6页
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO)作为场板的准垂直结构GaN SBD。通过击穿电压实验和器件电场仿真分析,结果表明BTO高k场板能够有效抑制边缘峰值电场集聚,显著提升SBD击穿电压并降低漏电流。使用BTO场板的GaN SBD实现了0.75 V的开启电压、2.45 mΩ·cm^(2)的比导通电阻以及1.49 kV的高击穿电压。研究表明,BTO高k场板在高功率GaN电子器件的发展中具有广阔的应用前景。
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关键词
GAN
肖特基势垒二极管(SBD)
钛酸钡(BTO)
击穿电压
电场仿真
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职称材料
题名
高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
1
作者
胡宪富
机构
大唐
(
通辽
)
霍林
河
新
能源
有限公司
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期141-146,共6页
基金
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
文摘
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO)作为场板的准垂直结构GaN SBD。通过击穿电压实验和器件电场仿真分析,结果表明BTO高k场板能够有效抑制边缘峰值电场集聚,显著提升SBD击穿电压并降低漏电流。使用BTO场板的GaN SBD实现了0.75 V的开启电压、2.45 mΩ·cm^(2)的比导通电阻以及1.49 kV的高击穿电压。研究表明,BTO高k场板在高功率GaN电子器件的发展中具有广阔的应用前景。
关键词
GAN
肖特基势垒二极管(SBD)
钛酸钡(BTO)
击穿电压
电场仿真
Keywords
GaN
Schottky barrier diode(SBD)
barium titanate(BTO)
breakdown voltage
electric field simulation
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
胡宪富
《半导体技术》
北大核心
2025
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