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区熔用多晶硅棒制备技术浅析
被引量：
1
1
作者
陈辉
严大洲
+2 位作者
万烨
孙强
张邦洁
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第S02期152-156,共5页
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重...
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。
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关键词
区熔
多晶硅
CVD反应器
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职称材料
高纯多晶硅材料行业竞争新格局
被引量：
6
2
作者
严大洲
李爱民
+5 位作者
万烨
杨永亮
张升学
赵雄
何伟
汤传斌
《太阳能》
2017年第1期7-15,共9页
研究多晶硅生产的工艺技术、装备、产品质量、能耗、环保和成本等方面发生的巨大变化,提出维护高纯多晶硅健康发展的建议。
关键词
高纯多晶硅
三氯氢硅法
硅烷法
技术进步
成本
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职称材料
电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
被引量：
3
3
作者
万烨
肖劲
+3 位作者
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期3341-3348,共8页
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的...
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,As和Pb共18种金属杂质的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法,并确定质谱激发模式和最优仪器参数。研究结果表明:采用这种消解方法可以获得较好的检测效果:标准曲线线性相关系数大于0.999,各元素检出限低于0.10 ng/g,加标回收率为80%~110%,方法精密度小于10%。对比酸雾消解法和直接消解法对硅基体的消解效果,发现酸雾消解法作为样品前处理方式更加安全、洁净、准确和高效。精密度和准确度符合超痕量杂质检测方法的规定,再现性满足用户要求,适用于六氯乙硅烷中金属杂质的检测,其他高纯度氯硅烷的杂质测试亦可参照使用。
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关键词
六氯乙硅烷
ICP-MS
金属杂质
酸雾消解
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职称材料
题名
区熔用多晶硅棒制备技术浅析
被引量：
1
1
作者
陈辉
严大洲
万烨
孙强
张邦洁
机构
洛阳中硅高科技有限公司
多晶硅材料制备技术国家工程实验室
中国恩菲
工程
技术
有限公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第S02期152-156,共5页
基金
2016年工业强基工程项目(0714-EMTC02-5593/13)。
文摘
区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。
关键词
区熔
多晶硅
CVD反应器
Keywords
zone melting
polysilicon
CVD reactor
分类号
TQ127.2 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
高纯多晶硅材料行业竞争新格局
被引量：
6
2
作者
严大洲
李爱民
万烨
杨永亮
张升学
赵雄
何伟
汤传斌
机构
多晶硅材料制备技术国家工程实验室
洛阳中硅高科技有限公司
中国恩菲
工程
技术
有限公司
出处
《太阳能》
2017年第1期7-15,共9页
文摘
研究多晶硅生产的工艺技术、装备、产品质量、能耗、环保和成本等方面发生的巨大变化,提出维护高纯多晶硅健康发展的建议。
关键词
高纯多晶硅
三氯氢硅法
硅烷法
技术进步
成本
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
被引量：
3
3
作者
万烨
肖劲
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
机构
中南大学冶金与环境学院
中国恩菲
工程
技术
有限公司
多晶硅材料制备技术国家工程实验室
难冶有色金属资源高效利用
国家
工程
实验室
出处
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期3341-3348,共8页
基金
河南省重大科技专项(181200212700)。
文摘
六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,As和Pb共18种金属杂质的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法,并确定质谱激发模式和最优仪器参数。研究结果表明:采用这种消解方法可以获得较好的检测效果:标准曲线线性相关系数大于0.999,各元素检出限低于0.10 ng/g,加标回收率为80%~110%,方法精密度小于10%。对比酸雾消解法和直接消解法对硅基体的消解效果,发现酸雾消解法作为样品前处理方式更加安全、洁净、准确和高效。精密度和准确度符合超痕量杂质检测方法的规定,再现性满足用户要求,适用于六氯乙硅烷中金属杂质的检测,其他高纯度氯硅烷的杂质测试亦可参照使用。
关键词
六氯乙硅烷
ICP-MS
金属杂质
酸雾消解
Keywords
hexachlorodisilane
ICP-MS
metal impurities
acid mist digestion
分类号
TQ129 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
区熔用多晶硅棒制备技术浅析
陈辉
严大洲
万烨
孙强
张邦洁
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高纯多晶硅材料行业竞争新格局
严大洲
李爱民
万烨
杨永亮
张升学
赵雄
何伟
汤传斌
《太阳能》
2017
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法
万烨
肖劲
严大洲
张园园
仲奇凡
刘芳洋
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
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职称材料
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