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区熔用多晶硅棒制备技术浅析被引量：1: 1; 作者陈辉严大洲 +2 位作者万烨孙强张邦洁《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S02期152-156,共5页; 区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重... 展开更多; 关键词区熔多晶硅 CVD反应器; 在线阅读下载PDF 职称材料

高纯及超高纯四氯化钛制备技术研究进展被引量：1: 2; 作者张兴毅赵雄 +3 位作者万烨郭树虎袁振军刘见华《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期244-247,266,共5页; 四氯化钛是钛及其化合物生产中的重要中间产品,钛工业的重要原料,有着极其广泛的应用。综述了通过除钒、蒸馏、精馏、多级精馏等方法以及这些方法的组合来制备高纯四氯化钛;阐述了在高纯四氯化钛的基础上,通过吸附、汽提、蒸馏、亚沸蒸... 展开更多; 关键词四氯化钛除钒蒸馏复合提纯; 在线阅读下载PDF 职称材料

先进硅基前驱体的应用研究与技术进展被引量：6: 3; 作者常欣万烨 +3 位作者赵雄严大洲袁振军郭树虎《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期409-418,共10页; 前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础... 展开更多; 关键词集成电路(IC) 硅基前驱体化学气相沉积(CVD) 原子层沉积提纯工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属烧结滤芯用于多晶硅氯硅烷净化放大研究被引量：3: 4; 作者刘见华万烨 +3 位作者赵雄赵宇周勇毅严大洲《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期231-233,共3页; 采用金属粉末烧结滤芯对多晶硅制备干法回收工序的氯硅烷进行中试净化研究,在相同过滤精度和面积下,对比处理量对初始过滤压降和不同滤饼剥离方式对剥离率的影响。结果表明,当原料颗粒浓度为235 g/m^(3)、采用液相反冲滤饼剥离方式时,... 展开更多; 关键词金属烧结滤芯氯硅烷过滤多晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法被引量：5: 5; 作者万烨肖劲 +3 位作者严大洲张园园仲奇凡刘芳洋《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期3341-3348,共8页; 六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的... 展开更多; 关键词六氯乙硅烷 ICP-MS 金属杂质酸雾消解; 在线阅读下载PDF 职称材料

光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷被引量：7: 6; 作者万烨肖劲 +1 位作者严大洲刘见华《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期201-206,216,共7页; 以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl2)∶n(CH4Cl2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为... 展开更多; 关键词微通道光氯化三氯氢硅甲基二氯硅烷精细化工中间体; 在线阅读下载PDF 职称材料

分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展被引量：2: 7; 作者杨典王芳 +3 位作者万烨孙强张征时庆合《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期30-33,72,共5页; 三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了... 展开更多; 关键词三氯氢硅甲基二氯硅烷吸附反应精馏萃取精馏; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名区熔用多晶硅棒制备技术浅析被引量：1: 1; 作者陈辉严大洲万烨孙强张邦洁; 机构洛阳中硅高科技有限公司多晶硅材料制备技术国家工程实验室中国恩菲工程技术有限公司; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S02期152-156,共5页; 基金 2016年工业强基工程项目(0714-EMTC02-5593/13)。; 文摘区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。; 关键词区熔多晶硅 CVD反应器; Keywords zone melting polysilicon CVD reactor; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高纯及超高纯四氯化钛制备技术研究进展被引量：1: 2; 作者张兴毅赵雄万烨郭树虎袁振军刘见华; 机构多晶硅制备技术国家工程实验室洛阳中硅高科技有限公司中国恩菲工程技术有限公司; 出处《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期244-247,266,共5页; 基金工业和信息化部工业强基工程项目(0714-EMTC02-5593/13) 郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项(18100212700)。; 文摘四氯化钛是钛及其化合物生产中的重要中间产品,钛工业的重要原料,有着极其广泛的应用。综述了通过除钒、蒸馏、精馏、多级精馏等方法以及这些方法的组合来制备高纯四氯化钛;阐述了在高纯四氯化钛的基础上,通过吸附、汽提、蒸馏、亚沸蒸馏、多级精馏等方法以及此类方法的组合,来制备可应用于半导体行业的超高纯四氯化钛。对超高纯四氯化钛的制备工艺进行探讨,并展望超高纯四氯化钛制备工艺的发展趋势和方向。; 关键词四氯化钛除钒蒸馏复合提纯; Keywords titanium tetrachloride vanadium removal distillation compound purification; 分类号 TQ134.11 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名先进硅基前驱体的应用研究与技术进展被引量：6: 3; 作者常欣万烨赵雄严大洲袁振军郭树虎; 机构多晶硅制备技术国家工程实验室洛阳中硅高科技有限公司中国恩菲工程技术有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期409-418,共10页; 基金河南省科技人才研发专项资助项目(174200510014) 郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项资助项目(181200212700)。; 文摘前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础,综述了业界几种较为流行的硅基前驱体材料的结构与性能,其中包括二氯硅烷(DCS)、乙硅烷(DS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、四甲基硅烷(4MS)、六氯乙硅烷(HCDS)、双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)、三(二甲胺基)硅烷(3DMAS)和三甲硅烷基胺(TSA)。系统介绍了硅基前驱体的应用现状和研究进展,并对其合成和提纯工艺进行了探讨。; 关键词集成电路(IC) 硅基前驱体化学气相沉积(CVD) 原子层沉积提纯工艺; Keywords integrated circuit(IC) silicon-based precursor chemical vapor deposition(CVD) atomic layer deposition purification process; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属烧结滤芯用于多晶硅氯硅烷净化放大研究被引量：3: 4; 作者刘见华万烨赵雄赵宇周勇毅严大洲; 机构洛阳中硅高科技有限公司中国恩菲工程技术有限公司多晶硅制备技术国家工程实验室; 出处《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期231-233,共3页; 文摘采用金属粉末烧结滤芯对多晶硅制备干法回收工序的氯硅烷进行中试净化研究,在相同过滤精度和面积下,对比处理量对初始过滤压降和不同滤饼剥离方式对剥离率的影响。结果表明,当原料颗粒浓度为235 g/m^(3)、采用液相反冲滤饼剥离方式时,出口颗粒平均浓度为2.1 g/m^(3),过滤效率为99.1%。; 关键词金属烧结滤芯氯硅烷过滤多晶硅; Keywords metal sintered filter element chlorosilane filter polysilicon; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法被引量：5: 5; 作者万烨肖劲严大洲张园园仲奇凡刘芳洋; 机构中南大学冶金与环境学院中国恩菲工程技术有限公司多晶硅材料制备技术国家工程实验室难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室; 出处《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期3341-3348,共8页; 基金河南省重大科技专项(181200212700)。; 文摘六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,As和Pb共18种金属杂质的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法,并确定质谱激发模式和最优仪器参数。研究结果表明:采用这种消解方法可以获得较好的检测效果:标准曲线线性相关系数大于0.999,各元素检出限低于0.10 ng/g,加标回收率为80%~110%,方法精密度小于10%。对比酸雾消解法和直接消解法对硅基体的消解效果,发现酸雾消解法作为样品前处理方式更加安全、洁净、准确和高效。精密度和准确度符合超痕量杂质检测方法的规定,再现性满足用户要求,适用于六氯乙硅烷中金属杂质的检测,其他高纯度氯硅烷的杂质测试亦可参照使用。; 关键词六氯乙硅烷 ICP-MS 金属杂质酸雾消解; Keywords hexachlorodisilane ICP-MS metal impurities acid mist digestion; 分类号 TQ129 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷被引量：7: 6; 作者万烨肖劲严大洲刘见华; 机构中南大学冶金与环境学院多晶硅制备技术国家工程实验室洛阳中硅高科技有限公司难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室; 出处《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期201-206,216,共7页; 基金工信部工业强基工程项目(0714-EMTC02-5593/13) 河南省科技研发专项(174200510014) 郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项(181200212700).; 文摘以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl2)∶n(CH4Cl2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为365 nm,光强为15 W,反应时间为20 s。在最优条件下,产品中甲基二氯硅烷含量小于5×10–8 g/g,去除率达到99.67%;反应产物中出现少量四氯化硅,是聚氯硅烷和三氯氢硅发生氯化反应生成的。以最优条件制备的三氯氢硅为原料,使用评价炉制备的多晶硅中碳原子浓度小于3×1015 atoms/cm3,达到电子一级品指标。; 关键词微通道光氯化三氯氢硅甲基二氯硅烷精细化工中间体; Keywords micro-channel photochlorination trichlorosilane methyldichlorosilane fine chemical intermediates; 分类号 TQ264.1 [化学工程—有机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展被引量：2: 7; 作者杨典王芳万烨孙强张征时庆合; 机构洛阳中硅高科技有限公司; 出处《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期30-33,72,共5页; 基金河南省科技研发专项(174200510014)。; 文摘三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了上述方法的优缺点,其中吸附法、反应精馏法是分离甲基二氯硅烷行之有效的方法,萃取精馏法也是分离甲基二氯硅烷的重要研究方向,并对这些工艺的发展方向进行了展望。; 关键词三氯氢硅甲基二氯硅烷吸附反应精馏萃取精馏; Keywords trichlorosilane methyl dichlorosilane adsorption reactive distillation extractive distillation; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	区熔用多晶硅棒制备技术浅析	陈辉严大洲万烨孙强张邦洁	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高纯及超高纯四氯化钛制备技术研究进展	张兴毅赵雄万烨郭树虎袁振军刘见华	《应用化工》 CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	先进硅基前驱体的应用研究与技术进展	常欣万烨赵雄严大洲袁振军郭树虎	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	金属烧结滤芯用于多晶硅氯硅烷净化放大研究	刘见华万烨赵雄赵宇周勇毅严大洲	《现代化工》 CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	电子特气六氯乙硅烷产品金属杂质检测方法	万烨肖劲严大洲张园园仲奇凡刘芳洋	《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷	万烨肖劲严大洲刘见华	《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	7	在线阅读下载PDF 职称材料
7	分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展	杨典王芳万烨孙强张征时庆合	《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料