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基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
被引量：
2
1
作者
程加力
韩波
+2 位作者
李寿林
翟国华
高建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻...
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
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关键词
等效电路模型
参数提取
射频MOSFET
GAAS
STATZ模型
直流模型
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职称材料
一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计
被引量：
1
2
作者
张振勇
胡伟
+1 位作者
赵勇
杨莲兴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期36-39,共4页
介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,I...
介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,IIP3为-3.06dBm,1dB压缩点为-10.955dBm,功耗小于20mW。
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关键词
低噪声放大器
噪声系数
功率增益
阻抗匹配
CMOS
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职称材料
考虑量子效应的MOS器件表面势模型
3
作者
贺道奎
权五云
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期431-435,共5页
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理...
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。
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关键词
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
表面势
量子效应
集约模型
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职称材料
题名
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
被引量：
2
1
作者
程加力
韩波
李寿林
翟国华
高建军
机构
华东师范
大学
信息科学技术学院
淮海工学院电子工程学院
复旦大学asic国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期591-594,603,共5页
基金
华东师范大学2010年优秀博士生培养基金项目(2010039)
文摘
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
关键词
等效电路模型
参数提取
射频MOSFET
GAAS
STATZ模型
直流模型
Keywords
quivalent circuit model
parameter extraction
RF MOSFET
GaAs STATZ model
DC model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计
被引量：
1
2
作者
张振勇
胡伟
赵勇
杨莲兴
机构
复旦大学asic国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期36-39,共4页
文摘
介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,IIP3为-3.06dBm,1dB压缩点为-10.955dBm,功耗小于20mW。
关键词
低噪声放大器
噪声系数
功率增益
阻抗匹配
CMOS
Keywords
LNA
NF
powergain
impedence match
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
考虑量子效应的MOS器件表面势模型
3
作者
贺道奎
权五云
机构
复旦大学asic国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期431-435,共5页
文摘
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。
关键词
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
表面势
量子效应
集约模型
Keywords
MOSFET
surface potential
quantum effects
compact model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
程加力
韩波
李寿林
翟国华
高建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计
张振勇
胡伟
赵勇
杨莲兴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
在线阅读
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职称材料
3
考虑量子效应的MOS器件表面势模型
贺道奎
权五云
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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