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原子级表面加工和nm级器件制造中STM的应用
1
作者
董树忠
朱福荣
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第6期379-385,共7页
本文评述了用扫描隧道电子显傲镜(STM)进行nm级表面加工的方法,现状和应用展望。用STM进行表面微细加工的方法主要有两类:一类是在STM的针尖上加电压脉冲,使针尖下的表面形成点、线或规定的图形符号;另一类是通过STM的电子束引起适当的...
本文评述了用扫描隧道电子显傲镜(STM)进行nm级表面加工的方法,现状和应用展望。用STM进行表面微细加工的方法主要有两类:一类是在STM的针尖上加电压脉冲,使针尖下的表面形成点、线或规定的图形符号;另一类是通过STM的电子束引起适当的化学反应,在针尖下的表面上淀积金属点、线。近年来已用第一类方法在Si(110)和Si(001)表面上直接写入了点的阵列,其写入密度在STM的扫描面积10×10μm^2上超过10~6。利用有机金属化合物气体在STM的针尖和表面间分解,在Si表面上淀积的金属点、线,相应的直径和线宽约25nm。将STM与固体器件工艺技术结合,已制得尺寸长2μm、宽120nm的Au-Pd合金薄膜电阻,其室温电阻值为2.5K。STM在上述领域中的应用是:修补或制造集成电路的掩模或电路;开发高密度数据存贮器;进一步缩小现有器件的尺寸,提高器件集成度;以及设计和制造以量子尺寸效应为作用基础的新器件。
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关键词
原子级
STM
NM
表面加工
量子尺寸效应
有机金属化合物
器件制造
器件工艺
直接写入
薄膜电阻
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职称材料
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
被引量：
3
2
作者
董泰阁
黄伟其
+5 位作者
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期197-202,共6页
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一...
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
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关键词
光致发光
电致发光
调节波长
Si-Yb量子级联
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职称材料
题名
原子级表面加工和nm级器件制造中STM的应用
1
作者
董树忠
朱福荣
机构
复旦大学表面物理研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第6期379-385,共7页
文摘
本文评述了用扫描隧道电子显傲镜(STM)进行nm级表面加工的方法,现状和应用展望。用STM进行表面微细加工的方法主要有两类:一类是在STM的针尖上加电压脉冲,使针尖下的表面形成点、线或规定的图形符号;另一类是通过STM的电子束引起适当的化学反应,在针尖下的表面上淀积金属点、线。近年来已用第一类方法在Si(110)和Si(001)表面上直接写入了点的阵列,其写入密度在STM的扫描面积10×10μm^2上超过10~6。利用有机金属化合物气体在STM的针尖和表面间分解,在Si表面上淀积的金属点、线,相应的直径和线宽约25nm。将STM与固体器件工艺技术结合,已制得尺寸长2μm、宽120nm的Au-Pd合金薄膜电阻,其室温电阻值为2.5K。STM在上述领域中的应用是:修补或制造集成电路的掩模或电路;开发高密度数据存贮器;进一步缩小现有器件的尺寸,提高器件集成度;以及设计和制造以量子尺寸效应为作用基础的新器件。
关键词
原子级
STM
NM
表面加工
量子尺寸效应
有机金属化合物
器件制造
器件工艺
直接写入
薄膜电阻
分类号
TB7-55 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
被引量：
3
2
作者
董泰阁
黄伟其
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
机构
贵州
大学
纳米光子
物理
研究所
复旦大学表面物理研究所
中国科学院国家矿床地球化学重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期197-202,共6页
基金
国家自然科学基金项目(11264007)
文摘
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
关键词
光致发光
电致发光
调节波长
Si-Yb量子级联
Keywords
photoluminescence electroluminescence manipulating wavelength Si-- Yb quantum cascade
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原子级表面加工和nm级器件制造中STM的应用
董树忠
朱福荣
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990
0
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职称材料
2
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光
董泰阁
黄伟其
黄忠梅
王刚
苗信建
吕泉
刘世荣
秦朝建
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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职称材料
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引证文献
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