用于物理研究的分子束外延模拟实验装置

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作者 董国胜 侯晓远 +3 位作者 丁训民 陈平 张恩善 谢琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期95-98,共4页

本文报道了一台用于物理研究的分子束外延模拟实验装置的设计和调试。这一模拟实验装置和商业化的大型测试仪器相连接,允许在不破坏超高真空状态时测试用分子束外延方法制备的样品,提供了开展应用研究和在线检测的手段。

关键词 分子束外延 物理研究 模拟实验装置 在线检测 测试仪器 束源 样品架 物理测试 准备室 应用研究

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半导体异质结界面能带排列的实验研究 被引量：5

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作者 卢学坤 王迅 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1991年第4期456-482,共27页

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研... 本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 展开更多

关键词 半导体 异质结 界面 能带

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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究 被引量：1

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作者 李海涛 陈辰嘉 +6 位作者 王学忠 刘继周 孙允希 凌震 王迅 吕少哲 孔祥贵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期113-119,共7页

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平... 在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。 展开更多

关键词 光致发光 稀磁半导体 超晶格 光学性质 锌碲

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高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究 被引量：1

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作者 陈辰嘉 王学忠 +9 位作者 梁晓甘 李海涛 凌震 王迅 V Bellani M Geddo A Stella S Tavazzi A Borghesi A Sassella 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期332-336,共5页

报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ... 报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 . 展开更多

关键词 光调制反射 激子跃迁 应力效应 超晶格

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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究

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作者 李海涛 李晓莅 +7 位作者 陈唏 刘继周 陈辰嘉 王学忠 韩一龙 林春 凌震 王迅 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期129-134,共6页

本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结... 本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。 展开更多

关键词 稀磁半导体 超晶格 光调制反射谱 MBE DMS

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Ge/Si超导型和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格的分子束外延生长和特性研究

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作者 盛篪 俞鸣人 王迅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期142-150,共9页

用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格... 用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性进行了研究。 展开更多

关键词 GE/SI 超晶格 Ge_xSi 反射谱 分子束外延生长 失配位错 多层结构 合金层 单原子 异质结

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ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射 被引量：2

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作者 陈唏 李晓莅 +8 位作者 刘继周 王晶晶 周赫田 王学忠 陈辰嘉 凌震 王杰 王迅 孔祥贵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期102-106,共5页

在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引... 在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致． 展开更多

关键词 超晶格 喇曼散射 界面模 半导体 碲化锌

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反光电子谱仪的研制 被引量：1

8

作者 周红 王向东 +1 位作者 胡际璜 戴道宣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期163-165,共3页

用经过改进的LEED装置和自制的9.8eV光子探测器研制成反光电子谱仪。测得了Si(111)7×7清洁表面的反光电子谱。

关键词 电子谱仪 子谱 光子探测器 LEED 电子倍增器 低能电子 光子能量 反键态 真空紫外 电子态

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分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)的原位俄歇定量分析

9

作者 卫星 周铁城 +4 位作者 杨小平 俞鸣人 张翔九 盛篪 王迅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期103-107,共5页

通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有... 通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性. 展开更多

关键词 分子束外延 俄歇电子谱 硅化锗

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总电流谱仪的研制

10

作者 王向东 周红 +1 位作者 胡际璜 戴道宣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期31-33,共3页

用经过改进的LEED装置和本校自制的WF-1型功函数测试仪研制成总电流谱仪。得到了Si(111)7×7再构表面的总电流谱,结果与有关文献报道相近。

关键词 电流谱 LEED 功函数 文献报道 发射特性 电子束流 样品架 抛光片 真空室 补偿电压

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全国产化的低能电子衍射——俄歇联合谱仪

11

作者 林荣富 王虹川 王迅 《仪器仪表学报》 EI CAS 1987年第3期317-322,共6页

一、引言低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)是研究表面晶格结构的最基本的方法。由低能电子衍射,可以得到固体表面的二维周期性和对称性等长程有序的信息[1]。而俄歇电子能谱则常被用于检测表面成分及其变化,控制吸附和反应程度,... 一、引言低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)是研究表面晶格结构的最基本的方法。由低能电子衍射,可以得到固体表面的二维周期性和对称性等长程有序的信息[1]。而俄歇电子能谱则常被用于检测表面成分及其变化,控制吸附和反应程度,探测表面原子的电子态等。利用AES 装置,还可测量表面电子能量损失谱[2]及其精细结构[3],它们可提供许多有关表面局域结构的信息。LEED 和AES 装置的联合使用已成为现代表面研究用电子能谱仪的最基本的组合形式。本文报道的LEED-AES 谱仪是参照国外装置,自行设计,由沈阳科学仪器厂加工制造,主要部件分别采用沈阳科学仪器厂、沈阳教学仪器厂。 展开更多

关键词 低能电子衍射 表面研究 长程有序 二维周期 科学仪器厂 电子能量损失谱 俄歇电子 电子能谱仪 局域结构 晶格结构

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反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统

12

作者 周铁城 陈可明 盛篪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期265-268,共4页

本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。

关键词 高能电子衍射 自动测量系统 反射式 同质外延 外延层 分子束外延生长 石英晶振 象素点 HEED 表面覆盖率

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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应

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作者 李晓莅 陈唏 +5 位作者 刘继周 陈辰嘉 王学忠 凌震 王迅 吕少哲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期1-7,共7页

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－... 本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。 展开更多

关键词 超晶格 光致发光谱 应力效应 稀磁半导体

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