受禁锢的表面态电子波的驻波 被引量：1

1

作者 梁励芬 《大学物理》 北大核心 1996年第7期26-27,共2页

在金属表面上把电子约束在纳米尺度的环形量子围栏中，导致电子波在围栏内形成同心圆状的驻波．本文用无限高圆形对称散射势的近似方法模拟和分析了这种情况下受禁锢的表面态电子波的驻波，并介绍了实验上观察电子驻波图象的方法．

关键词 量子围栏 驻波 表面局域态密度 表面物理

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平均键能模型的物理基础及该模型的应用

2

作者 柯三黄 王仁智 黄美纯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期299-310,共12页

平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比... 平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。 展开更多

关键词 能带不连续性 半导体 异质界面 平均键能

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激光光声振动谱研究表面吸附

3

作者 胡长武 朱昂如 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期247-251,共5页

报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

关键词 激光 光声光谱 表面吸附 分子振动

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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 被引量：1

4

作者 郭子路 王文娟 +7 位作者 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期63-69,共7页

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。 展开更多

关键词 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管

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纳秒脉冲激光制备黑硅及其光学性能的研究

5

作者 王可 王梓霖 +7 位作者 周晓雨 黄伟其 张铁民 彭鸿雁 王安琛 张茜 黄忠梅 刘世荣 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期813-821,共9页

利用纳秒脉冲激光器在常温常压室内环境下扫描刻蚀单晶硅片,通过改变扫描方式和扫描的线间距制备了各种不同结构的黑硅样品,重点研究了扫描方式、扫描间隔、高温吹氧退火时间等对黑硅光致发光(PL)特性的影响,以及不同参量制备的硅表面... 利用纳秒脉冲激光器在常温常压室内环境下扫描刻蚀单晶硅片,通过改变扫描方式和扫描的线间距制备了各种不同结构的黑硅样品,重点研究了扫描方式、扫描间隔、高温吹氧退火时间等对黑硅光致发光(PL)特性的影响,以及不同参量制备的硅表面微结构对光吸收率的影响。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、光学显微镜、拉曼和荧光光谱仪、吸收光谱仪等对制备的黑硅样品形貌、光吸收和PL发光特性进行了检测与表征,获得了吸收率高于90%且具有良好发光性能的黑硅结构样品。研究发现,采用线性扫描方式制备的黑硅样品的PL光谱主要分布在红光波段,而采用正交扫描方式制备的黑硅样品的PL光谱中在近红外900 nm附近有稳定的发光峰;此外,在黑硅样品中还观察到630 nm附近的电子局域态发光,并通过建立对应的物理模型解释了其发光机理。 展开更多

关键词 激光技术 黑硅 吹氧退火 光致发光谱 反射谱 局域态发光

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有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析 被引量：7

6

作者 何钧 廖良生 +3 位作者 周翔 缪熙月 熊祖洪 侯晓远 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期169-175,共7页

对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察．发现器件工作时，有机层／金属界面形成的气泡逐渐变大变多，最终导致器件完全失效．气泡中不仅含有水汽，还存在大量有机气体．

关键词 有机薄膜 器件 失效分析 动态观测

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半导体中超快过程的研究 被引量：4

7

作者 黄仕华 李汐 +1 位作者 凌严 陆昉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期179-181,共3页

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散... 用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散射几率下降,使动量弛豫时间增加至130飞秒.用超快反射谱法测量了载流子的能量弛豫过程和扩散过程,用高能量激光激发得到载流子的能量弛豫时间约为几个皮秒,这与载流子与声子的散射几率密切相关;而用低能量激光激发可得到光生载流子的扩散时间约为1百皮秒量级. 展开更多

关键词 飞秒脉冲激光 半导体 动量弛豫 能量弛豫 超快光生电压谱

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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量：4

8

作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 被引量：2

9

作者 曾宇昕 王水凤 +3 位作者 元美玲 程国安 肖志松 徐飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期377-380,共4页

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 展开更多

关键词 硅基薄膜 离子注入 ND^3+ 结构 光致发光 钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 被引量：2

10

作者 袁泽亮 侯晓远 王迅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期170-175,共6页

表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。

关键词 表面钝化 硫钝化 Ⅲ-Ⅴ族半导体 半导体薄膜技术

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LiBaF_3:Eu^(2+)真空紫外光谱研究 被引量：1

11

作者 周映雪 张新夷 +1 位作者 汪东升 张国斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期393-395,共3页

在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的... 在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的反射光谱,并利用Kramers-Kronig关系,计算了吸收光谱。从吸收光谱中,可以看到在102nm处有明显的吸收边,得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV。在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰,它们对应于Ba2+的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁。在低能量的183.4nm处,有很明显的吸收峰,推测这对应于本征缺陷的吸收。更低能量的吸收峰,则对应于禁带中的一些杂质能级。在未经紫外光或X射线辐照之前,用长波长（>450nm）光激发LiBaF3:Eu2+粉末样品,可以观测到Eu2+离子的360nm和410nm发光,亦表现出光激励发光特性。 展开更多

关键词 真空紫外光谱 光激励发光 同步辐射 LiBaF3:Eu^2+ 铕掺杂 钙钛矿型复合氟化物 固体可调谐激光器 发光特性 激光材料

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Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制 被引量：1

12

作者 高勇 李国正 +5 位作者 刘恩科 赵策洲 刘西钉 张翔九 卢学坤 王迅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期33-37,共5页

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于... 在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％ 展开更多

关键词 光波导 定向耦合器 硅锗材料

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9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器 被引量：1

13

作者 龚大卫 卢学坤 +8 位作者 卫星 杨小平 胡际璜 盛篪 张翔九 王迅 周涛 叶红娟 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期149-152,共4页

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．

关键词 异质结 锗硅合金 红外探测器

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不同条件下颗粒物质的粘弹性响应 被引量：3

14

作者 胡林 周鲁卫 《物理实验》 2005年第1期13-16,共4页

研制了能承受100 MPa压强的测量装置,并用该装置对加压下制备的紧密沙堆进行粘弹性响应测量,得到球形镍颗粒沙堆在周期性竖直振荡下储能模量G′与压强p的关系. 实验结果表明,反映沙堆整体弹性特征的储能模量G′与压强p的关系为G′～p0.... 研制了能承受100 MPa压强的测量装置,并用该装置对加压下制备的紧密沙堆进行粘弹性响应测量,得到球形镍颗粒沙堆在周期性竖直振荡下储能模量G′与压强p的关系. 实验结果表明,反映沙堆整体弹性特征的储能模量G′与压强p的关系为G′～p0.45;不同形状颗粒体系的粘弹性响应行为不同. 展开更多

关键词 颗粒物质 粘弹性 压强

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获得多孔硅蓝绿光发射的新方法 被引量：3

15

作者 李谷波 张甫龙 +3 位作者 范洪雷 陈华杰 俞鸣人 侯晓远 《四川工业学院学报》 2000年第2期132-135,共4页

对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样... 对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。 展开更多

关键词 多孔硅 光发射 快速热氧化 蓝光发射 绿光发射

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杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响

16

作者 杨宇 刘晓晗 +4 位作者 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 龚大卫 王迅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期175-181,共7页

发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子附带过激子发光的主要因素．研究了在低阻衬底上外延、在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光．

关键词 硅源 杂质 量子阱 发光 锗源

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Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

17

作者 杨宇 黄醒良 +5 位作者 刘晓晗 黄大鸣 蒋最敏 龚大卫 张翔九 赵国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期285-292,共8页

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应... 采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响． 展开更多

关键词 分子束外延 量子阱 硅 发光材料 反常沟道效应

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硅中δ掺杂材料的表征

18

作者 蒋最敏 朱海军 +5 位作者 朱建红 毛明春 徐阿妹 胡冬枝 张翔九 王迅 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期375-378,共4页

利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂... 利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。 展开更多

关键词 硅 Δ掺杂 量子阱 DLTS技术

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快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

19

作者 张胜坤 谌达宇 +1 位作者 陆昉 王迅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期431-436,共6页

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。

关键词 傅里叶系数 FFT-DLTS 测试系统 半导体材料

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碲化钨薄膜的红外近场光学成像

20

作者 代珍兵 罗国语 +3 位作者 贺言 王冲 晏湖根 李志强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期464-469,共6页

研究了过渡金属硫族化合物碲化钨的近场光学响应,通过Drude-Lorentz模型拟合得到其块材在室温下的介电常数,并利用有限偶极模型计算出碲化钨样品与金刚石基底的近场散射信号比。当样品边缘未出现散射信号增强时,实验结果与理论模型符合... 研究了过渡金属硫族化合物碲化钨的近场光学响应,通过Drude-Lorentz模型拟合得到其块材在室温下的介电常数,并利用有限偶极模型计算出碲化钨样品与金刚石基底的近场散射信号比。当样品边缘未出现散射信号增强时,实验结果与理论模型符合较好;当样品边缘出现信号增强现象时,理论模型与实验观测结果不符,说明这部分样品的光学性质并不能完全由块材所描述,从而推测样品表面具有与块材无耦合作用的碲化钨纳米薄层,同时对在样品边缘很强的近场散射信号给出了可能的解释。这个工作为今后对拓扑材料的光学研究提供了参考。 展开更多

关键词 碲化钨薄膜 近场光学成像 介电常数 拓扑

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