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1
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含氮体系CVD低压金刚石薄膜淀积条件 |
刘志杰
张卫
张剑云
万永中
王季陶
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
1
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2
|
超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究 |
王鹏飞
丁士进
张卫
张剑云
王季陶
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
3
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|
|
3
|
CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析 |
张剑云
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
刘志杰
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
2
|
|
|
4
|
激活温度对C-H体系低压金刚石生长条件的影响 |
刘志杰
张卫
万永中
王季陶
|
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
1
|
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5
|
不同压力下碳氢体系低压金刚石的非平衡定态系列相图 |
刘志杰
张卫
万永中
王季陶
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《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
1
|
|
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6
|
C-H-Cl气相体系生长金刚石的相图计算 |
刘志杰
张卫
万永中
王季陶
|
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
1
|
|
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7
|
非平衡定态相图在含氮体系低压金刚石沉积中的应用 |
刘志杰
张卫
张剑云
丁士进
王鹏飞
王季陶
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《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
|
1999 |
0 |
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8
|
氮原子在 CVD 低压金刚石制备过程中的作用 |
刘志杰
张卫
万永中
张剑云
王季陶
曹传宝
朱鹤孙
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《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
|
1998 |
0 |
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9
|
低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究 |
丁士进
张卫
王鹏飞
张剑云
刘志杰
王季陶
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
11
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10
|
氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析 |
刘志杰
张卫
张剑云
万永中
王季陶
曹传宝
朱鹤孙
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《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1999 |
1
|
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11
|
卤素原子在化学气相淀积金刚石薄膜过程中的作用 |
刘志杰
张卫
万永中
王季陶
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《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
|
1998 |
1
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12
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氟原子参与的低压金刚石薄膜淀积条件 |
刘志杰
张卫
张剑云
万永中
王季陶
|
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
0 |
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