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一种新型的CMOS电流转换电路的设计: 1; 作者张万鹏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期19-20,24,共3页; 提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数（阈值电压和氧化层的厚度）依赖性较低，适用于以电流模式工作的数模混合电路。; 关键词电流转换电路电流模式数模混合电路 CMOS 设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用局部分子束外延技术的HEMT─HBT集成: 2; 作者张万鹏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期23-25,共3页; 介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术。; 关键词局部分子束外延 HEMT HBT 微波电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

CCD及其在象感领域的应用被引量：1: 3; 作者张万鹏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期8-13,共6页; 介绍ＣＣＤ的基本工作原理，并详细介绍ＣＣＤ结构的发展，以及它在象感领域中的作用。; 关键词象感电荷耦合器件半导体器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

电阻栅MOSFET及其应用: 4; 作者张万鹏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期59-61,共3页; 介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。; 关键词伏安特性互补结构栅场效应晶体管电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

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