检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

频率式硅电容压力传感器的研究: 1; 作者李昕欣鲍敏杭沈绍群《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期8-11,共4页; 本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了... 展开更多; 关键词硅电容压力传感器制造工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用快速微分输出的氯气传感器被引量：2: 2; 作者李昕欣郎海宁庞世信《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期25-28,共4页; 介绍了一种新型氯气传感器。通过对敏感材料的研究和采用混合集成电路工艺，使器件具有较高的可靠性和批量制造能力。通过对化学吸附平衡方式的敏感特性的研究，提出以微分输出信号作为检测信号的方式，从而实现了在３秒钟内响应输出的... 展开更多; 关键词氯气传感器微分输出; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用: 3; 作者李昕欣杨恒 +1 位作者鲍敏杭沈绍群《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期6-9,45,共5页; 提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传... 展开更多; 关键词硅各向异性腐蚀微结构力敏传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器: 4; 作者朱海军《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期45-47,共3页; 简述了单晶硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术获得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。; 关键词硅传声器自终止腐蚀振膜声传感器制造; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名频率式硅电容压力传感器的研究: 1; 作者李昕欣鲍敏杭沈绍群; 机构复旦大学电子工程系传感器研究室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期8-11,共4页; 基金国家自然科学基金国家"八五"攻关项目; 文摘本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计，提高了传感器的性能。; 关键词硅电容压力传感器制造工艺; 分类号 TP212.05 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用快速微分输出的氯气传感器被引量：2: 2; 作者李昕欣郎海宁庞世信; 机构复旦大学电子工程系传感器研究室机械部沈阳仪器仪表工艺研究所国家传感器工程中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期25-28,共4页; 文摘介绍了一种新型氯气传感器。通过对敏感材料的研究和采用混合集成电路工艺，使器件具有较高的可靠性和批量制造能力。通过对化学吸附平衡方式的敏感特性的研究，提出以微分输出信号作为检测信号的方式，从而实现了在３秒钟内响应输出的高敏感速度，并使器件实现频繁的重复测量而重复性误差很小。; 关键词氯气传感器微分输出; 分类号 TP212.02 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用: 3; 作者李昕欣杨恒鲍敏杭沈绍群; 机构复旦大学电子工程系传感器研究室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期6-9,45,共5页; 基金国家自然科学基金中科院传感技术国家重点实验室和"九五"科技攻关等项目; 文摘提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。; 关键词硅各向异性腐蚀微结构力敏传感器; Keywords Silicon Anisotropic etching Micromachining structure Mechanical sensor; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器: 4; 作者朱海军; 机构复旦大学电子工程系传感器研究室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期45-47,共3页; 文摘简述了单晶硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术获得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。; 关键词硅传声器自终止腐蚀振膜声传感器制造; 分类号 TN641.05 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	频率式硅电容压力传感器的研究	李昕欣鲍敏杭沈绍群	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	采用快速微分输出的氯气传感器	李昕欣郎海宁庞世信	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用	李昕欣杨恒鲍敏杭沈绍群	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器	朱海军	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料