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InGaAlP外延片的微分析
1
作者 樊华 曹永明 +1 位作者 曾伟 李越生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期32-34,共3页
介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。
关键词 电子显微镜 二次离子质谱 发光二极管 外延片
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用电子显微镜剖析存储器器件 被引量：3
2
作者 刘剑霜 谢锋 +1 位作者 陈一 胡刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期68-71,共4页
简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果。
关键词 电子显微镜 存储器 透射电镜 栅氧化层 集成电路 IC微结构
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扫描电子显微镜 被引量：14
3
作者 刘剑霜 谢锋 +2 位作者 吴晓京 陈一 胡刚 《上海计量测试》 2003年第6期37-39,共3页
随着科学技术的发展进步,人们不断需要从更高的微观层次观察、认识周围的物质世界.细胞、微生物等微米尺度的物体直接用肉眼观察不到,显微镜的发明解决了这个问题.目前,纳米科技成为研究热点,集成电路工艺加工的特征尺度进入深亚微米,... 随着科学技术的发展进步,人们不断需要从更高的微观层次观察、认识周围的物质世界.细胞、微生物等微米尺度的物体直接用肉眼观察不到,显微镜的发明解决了这个问题.目前,纳米科技成为研究热点,集成电路工艺加工的特征尺度进入深亚微米,所有这些更加微小的物体光学显微镜也观察不到,必须使用电子显微镜.电子显微镜可分为扫描电子显微镜简称扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜简称透射电镜(TEM)两大类. 展开更多
关键词 扫描电子显微镜 二次电子 特征x射线 背散射电子
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二次离子质谱分析 被引量：9
4
作者 王铮 曹永明 +1 位作者 李越生 方培源 《上海计量测试》 2003年第3期42-46,共5页
一、引言 二次离子质谱(SecondaryIon Mass Spectrometry)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段.通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像.
关键词 固体材料 表面组分 杂质 二次离子质谱分析 SIMS 工作原理 深度剖析 二次离子像
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Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用 被引量：1
5
作者 吴恩超 江素华 +2 位作者 胡琳琳 张卫 李越生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期508-511,519,共5页
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄... 半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。 展开更多
关键词 低K材料 Forouhi-Bloomer离散方程 折射率
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X射线光电子能谱(XPS) 被引量：14
6
作者 俞宏坤 《上海计量测试》 2003年第4期45-47,共3页
在对许多材料的研究和应用中,了解其表面特性是很重要的.而要获得材料的表面特性,就需要一些特殊的仪器,对各种材料从成分和结构上进行表面表征.其中,X射线光电子能谱(XPS)由于其对材料表面化学特性的高度识别能力,成为材料表面分析的... 在对许多材料的研究和应用中,了解其表面特性是很重要的.而要获得材料的表面特性,就需要一些特殊的仪器,对各种材料从成分和结构上进行表面表征.其中,X射线光电子能谱(XPS)由于其对材料表面化学特性的高度识别能力,成为材料表面分析的一种重要技术手段. 展开更多
关键词 X射线光电子能谱 XPS 表面特性 表面分析 光电效应 能量分布
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化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
7
作者 杨柳滨 江素华 +1 位作者 郝茂盛 李越生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期351-354,共4页
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与... 化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。 展开更多
关键词 分光光度法 Forouhi-Bloomer离散方程 铝镓氦 组分分析
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