期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究 被引量:1
1
作者 崔兴美 陈笋 丁士进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期481-486,共6页
非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜... 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。 展开更多
关键词 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT) 存储器 系统面板(SoP) 柔性器件
在线阅读 下载PDF
高性能栅压自举开关的设计 被引量:1
2
作者 穆敏宏 叶凡 陈勇臻 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期663-668,共6页
对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。 展开更多
关键词 模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关 互补型开关 导通电阻 沟道电荷注入
在线阅读 下载PDF
基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器 被引量:14
3
作者 李家意 丁一 +1 位作者 张卫 周鹏 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1058-1077,共20页
近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 光电探测 二维材料 异质结 过渡金属二硫化物 机械剥离
在线阅读 下载PDF
不同晶向BiFeO3薄膜的表征及导电性研究 被引量:1
4
作者 刘少清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期10001-10004,10027,共5页
采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微... 采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微观表征,分析其表面形貌、电畴结构和结晶程度。通过磁控溅射的方法生长Au上电极,测试两种晶向BiFeO3薄膜的电滞回线以及I-V特性曲线,通过对比发现(100)晶向的BiFeO3薄膜导电性更强;最后对I-V曲线进行拟合,综合分析证明不同晶向的铁酸铋薄膜导电性不同的主要原因是受膜内陷阱密度、结晶度和空间电荷限制导电机制的影响。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 铁酸铋 铁电 导电机制 空间电荷限制导电
在线阅读 下载PDF
基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作 被引量:1
5
作者 刘嘉 王续博 +1 位作者 徐卫疆 周嘉 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第7期63-65,69,共4页
利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。 展开更多
关键词 超声传感器 高频 锆钛酸铅厚膜 压电材料
在线阅读 下载PDF
两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片 被引量:1
6
作者 盛文洁 王续博 周嘉 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第8期65-68,共4页
介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润湿力不平衡,液滴向指定方向驱动。该新型器件只需两个信号即可实现液滴长距离、大规模的单向运输。通过COMSOL仿真软件对器件在电压作用下液滴受力和运动情况进行了表征,并制作及测试芯片对其功能进行了验证。仿真和测试结果表明:通过两个驱动信号的重复交替,能够在一维路径上稳定地实现单向运输。 展开更多
关键词 数字微流 微液滴单向输运 介质上的电润湿
在线阅读 下载PDF
超薄氧化铝层的电场调制效应(英文)
7
作者 徐大朋 程佩红 +1 位作者 陈琳 张卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期693-698,共6页
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中. 展开更多
关键词 电场调制 阻变存储器 原子层沉积
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部