复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展 被引量：3

1

作者 周嘉 蒋玉龙 +1 位作者 任俊彦 张卫 《中国大学教学》 CSSCI 北大核心 2012年第4期35-36,60,共3页

复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史,形成了"基础与专业结合,研究与应用并重,创新人才培养国际化"特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中,通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力,复旦大学... 复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史,形成了"基础与专业结合,研究与应用并重,创新人才培养国际化"特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中,通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力,复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。 展开更多

关键词 特色专业建设 复旦大学 微电子学 创新人才培养

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技术创新导向型校内创业苗圃系统构建探索-复旦大学IC创新工场培育模式分析 被引量：5

2

作者 林青 闵昊 《中国大学教学》 CSSCI 北大核心 2017年第10期38-41,共4页

IC创新工场是复旦大学面向集成电路专业领域建设的校内创业苗圃,在构建中尝试了许多新的举措:开放共享的资源深植在学校优势学科和国家重点实验室中;将创新创业教育过程与学校师资、国家设备资源和企业市场需求深度融合;全力解放对创业... IC创新工场是复旦大学面向集成电路专业领域建设的校内创业苗圃,在构建中尝试了许多新的举措:开放共享的资源深植在学校优势学科和国家重点实验室中;将创新创业教育过程与学校师资、国家设备资源和企业市场需求深度融合;全力解放对创业团队的股权束缚并大幅降低创新门槛和试错成本。在培育过程中充分利用学校技术创新优势,注重支持项目的创意实现、创新验证和创业整合。 展开更多

关键词 创新工场 创业苗圃 集成电路 创新实践 系统构建

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MEMS神经元微探针研究 被引量：3

3

作者 程正喜 黄维宁 +2 位作者 周嘉 黄宜平 鲍敏杭 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1388-1390,1394,共4页

制作了一种神经元多电极微探针，采用阻抗分析仪对微探针进行了表征，测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1kHz范围内的交流阻抗．1kHz工作频率下，探针的交流电阻和交流容抗分别为100kΩ和10kΩ，时漂小于1％．作为微探针的初步应... 制作了一种神经元多电极微探针，采用阻抗分析仪对微探针进行了表征，测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1kHz范围内的交流阻抗．1kHz工作频率下，探针的交流电阻和交流容抗分别为100kΩ和10kΩ，时漂小于1％．作为微探针的初步应用，测量了两个电极之间在不同浓度的NaCl溶液中的交流阻抗．结果表明该探针基本符合神经元探针的要求，为下一步进行生物实验奠定基础． 展开更多

关键词 神经元 微探针 交流阻抗 单元常数

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ANSYS在VLSI互连模拟中的应用 被引量：2

4

作者 阮刚 梁庆龙 +3 位作者 ReinhardStreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期53-56,共4页

介绍了ANSYS程序在VLSI互连几何最佳化设计中的初步应用。应用表明:ANSYS的模拟精度高,图形显示功能强。应用ANSYS自动寻优功能使RC延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。

关键词 集成电路 互连模拟 ANSYS模拟程序 VLSI

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铁电薄膜的特性、制备及应用 被引量：1

5

作者 汤庭鳌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期1-7,共7页

铁电薄膜材料具有自发极化，且其方向随外电场反转．它还具有压电效应、热释电效应等，因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准ＣＭＯＳ工艺、双极型集成电路工艺以及ＧａＡｓ集成电路... 铁电薄膜材料具有自发极化，且其方向随外电场反转．它还具有压电效应、热释电效应等，因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准ＣＭＯＳ工艺、双极型集成电路工艺以及ＧａＡｓ集成电路工艺相容，使集成铁电技术取得长足的发展。一门崭新的集半导体、电介质等学科于一体的集成铁电学正在崛起。 展开更多

关键词 铁电薄膜 不挥发 存贮器 压力传感器 红外传感器

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非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究 被引量：1

6

作者 崔兴美 陈笋 丁士进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期481-486,共6页

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜... 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。 展开更多

关键词 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT) 存储器 系统面板(SoP) 柔性器件

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红外焦平面CTIA型读出电路的设计研究 被引量：6

7

作者 蔡晶晶 刘晓东 张轩雄 《上海理工大学学报》 北大核心 2017年第4期346-352,共7页

为了适应红外焦平面(IRFPA)高像素的趋势,设计出面积更小、性能更优的像元电路,选择电容反馈跨阻放大器(CTIA)作为像元电路的电路结构,在CTIA中运算放大器基于共源共栅结构,采用积分电容可选的模式来调整积分时间,并基于电路高像素的需... 为了适应红外焦平面(IRFPA)高像素的趋势,设计出面积更小、性能更优的像元电路,选择电容反馈跨阻放大器(CTIA)作为像元电路的电路结构,在CTIA中运算放大器基于共源共栅结构,采用积分电容可选的模式来调整积分时间,并基于电路高像素的需求,优化电路,减小面积.在此基础上,搭建模拟信号通路进行仿真研究,绘制版图,并进行后仿,为读出电路的正确性、可靠性提供保障.优化后的像元电路面积为18μm×18μm,可选积分电容分别为60 fF和400 fF,后仿得到的信号通路输出摆幅常温下为2.03 V,低温下为1.52 V,且低温下的积分噪声为213.6μV,满足设计需求. 展开更多

关键词 红外焦平面 读出电路 像元电路 CTIA 模拟信号通路

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高性能栅压自举开关的设计 被引量：1

8

作者 穆敏宏 叶凡 陈勇臻 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期663-668,共6页

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。 展开更多

关键词 模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关 互补型开关 导通电阻 沟道电荷注入

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钛表面氧化锌与纤连蛋白复合修饰应用于抗种植体周炎的研究 被引量：1

9

作者 张大卫 朱立远 +1 位作者 卢红亮 王佐林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1316-1322,I0003-I0006,共11页

种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该... 种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该复合涂层抗菌效果的体外验证。同时,检测牙龈成纤维细胞在钛、氧化锌修饰钛及纤连蛋白与氧化锌复合修饰钛表面黏附、增殖及其相关基因的表达。在大鼠上颌第一磨牙位点通过注射细菌法建立种植体周炎模型,并比较不同材料的钛钉周围骨破坏范围和牙龈组织中的炎症程度。实验结果显示,该复合涂层对伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌的24 h抗菌率分别为80.9%和75.7%;牙龈成纤维细胞在复合修饰钛片表面展现出良好的黏附、增殖状态;在大鼠种植体周炎模型中,Micro-CT结果显示,纯钛钉周骨组织吸收为(1.14±0.71)mm,而经复合修饰的钛钉周围骨组织吸收仅为(0.37±0.28)mm。石蜡切片观察和qPCR定量检测结果显示,纯钛钉周牙龈及牙槽骨组织的炎症反应较重,而经复合修饰的钛钉周围组织炎症反应明显减轻。因此,该复合修饰可能在牙种植体防御细菌入侵、增强牙龈附着和降低牙龈炎症反应方面发挥作用。 展开更多

关键词 钛 氧化锌 纤连蛋白 种植体周炎

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基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器 被引量：14

10

作者 李家意 丁一 +1 位作者 张卫 周鹏 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1058-1077,共20页

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 光电探测 二维材料 异质结 过渡金属二硫化物 机械剥离

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不同晶向BiFeO3薄膜的表征及导电性研究 被引量：1

11

作者 刘少清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期10001-10004,10027,共5页

采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微... 采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微观表征,分析其表面形貌、电畴结构和结晶程度。通过磁控溅射的方法生长Au上电极,测试两种晶向BiFeO3薄膜的电滞回线以及I-V特性曲线,通过对比发现(100)晶向的BiFeO3薄膜导电性更强;最后对I-V曲线进行拟合,综合分析证明不同晶向的铁酸铋薄膜导电性不同的主要原因是受膜内陷阱密度、结晶度和空间电荷限制导电机制的影响。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 铁酸铋 铁电 导电机制 空间电荷限制导电

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基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作 被引量：1

12

作者 刘嘉 王续博 +1 位作者 徐卫疆 周嘉 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第7期63-65,69,共4页

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。 展开更多

关键词 超声传感器 高频 锆钛酸铅厚膜 压电材料

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两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片 被引量：1

13

作者 盛文洁 王续博 周嘉 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第8期65-68,共4页

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润湿力不平衡,液滴向指定方向驱动。该新型器件只需两个信号即可实现液滴长距离、大规模的单向运输。通过COMSOL仿真软件对器件在电压作用下液滴受力和运动情况进行了表征,并制作及测试芯片对其功能进行了验证。仿真和测试结果表明:通过两个驱动信号的重复交替,能够在一维路径上稳定地实现单向运输。 展开更多

关键词 数字微流 微液滴单向输运 介质上的电润湿

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量子并行神经网络

14

作者 陈佳临 王伶俐 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期1205-1217,共13页

本文在前期量子概率神经网络(QPrNN)的基础上,提出了一种物理可实现的量子神经网络,称为量子并行神经网络(QPNN).主要特点是基于量子神经元的激活机制,利用量子并行性跟踪所有网络状态来提高分类结果.与之前的研究相比,在网络各个中间... 本文在前期量子概率神经网络(QPrNN)的基础上,提出了一种物理可实现的量子神经网络,称为量子并行神经网络(QPNN).主要特点是基于量子神经元的激活机制,利用量子并行性跟踪所有网络状态来提高分类结果.与之前的研究相比,在网络各个中间层和输入层之间添加了连接,增加了量子神经网络的非线性表达能力,所以结构上可以向深层网络发展.由于QPNN独特的量子门性质,该模型在很多条件下对噪声不敏感,涵盖了相位偏移和幅值翻转噪声.QPNN的另一个优势是可以作为内存使用,不但可以像经典内存一样存取数据,还可以作为生成模型,产生新数据.在实验验证部分,本次研究选取了两个标准的例子,MNIST手写体识别和Cifar-10来验证其测试误差.实验结果表明,QPNN只需采用经典神经网络3%左右的神经元资源即可超过相对应的全连接前向神经网络.与QPrNN相比,MNIST的分类测试准确率提高了0.2%;Cifar-10测试准确率提高了3%.同时,MNIST的正确取回概率平均提高了2%. 展开更多

关键词 量子神经元 量子并行神经网络 量子可实现 容错性 量子内存

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二维磁性材料与自旋系统研究进展

15

作者 周秀诚 周鹏 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期850-864,共15页

自旋系统是一类基于电子自旋工作的器件,具有高速、低功耗等优点,其中磁存储器被认为是下一代存储器的领跑者之一。二维材料有着天然的界面性能优势,接近微缩极限的尺寸特点,以及二维结构带来的物理特性,在自旋系统中有望得到广泛运用... 自旋系统是一类基于电子自旋工作的器件,具有高速、低功耗等优点,其中磁存储器被认为是下一代存储器的领跑者之一。二维材料有着天然的界面性能优势,接近微缩极限的尺寸特点,以及二维结构带来的物理特性,在自旋系统中有望得到广泛运用。本文概述了二维材料在自旋领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维磁性材料,讨论了基于二维材料的二维自旋器件,以及回顾了基于二维材料的磁性调控,最后总结了这一领域仍然面临的挑战,并对未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 微电子学与固体电子学 二维材料 综述 自旋系统 非易失性存储器 磁性隧穿结 全自旋逻辑 自旋轨道耦合

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超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）

16

作者 徐大朋 程佩红 +1 位作者 陈琳 张卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期693-698,共6页

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中. 展开更多

关键词 电场调制 阻变存储器 原子层沉积

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