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题名集成电路Cu互连线的XRD研究
被引量：7
- 1
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作者
徐赛生
曾磊
张立锋
顾晓清
张卫
汪礼康
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机构
复旦大学微电子学系
罗门哈斯电子材料(上海)有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期985-987,共3页
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基金
国家自然科学基金项目(60176013)
上海市科委AM基金(0304)
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文摘
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
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关键词
铜互连
X射线衍射
织构系数
择优取向
添加剂
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Keywords
copper interconnect
XBD
texture coefficient
preferred orientation
additive
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
被引量：5
- 2
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作者
徐赛生
曾磊
张立锋
张卫
汪礼康
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机构
复旦大学微电子学系复旦-诺发互连研究中心
罗门哈斯电子材料上海有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1070-1073,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(90607019)
上海市科委AM基金(0304)
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文摘
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
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关键词
CU互连
电沉积Cu层
脉冲电镀
直流电镀
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Keywords
copper interconnect
electrodeposited copper
pulse plating
DC plating
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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