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LNO薄膜电极的制备及其特性研究
被引量：
3
1
作者
康晓旭
林殷茵
+4 位作者
汤庭鳌
钟宇
黄维宁
姜国宝
王晓光
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期317-319,共3页
采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO...
采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
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关键词
LNO薄膜
制备
铁电体
铁电存储器
氧化物电极
铁电电容
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职称材料
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究
被引量：
1
2
作者
杨春晓
张驰
+2 位作者
徐赛生
丁士进
张卫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期105-108,共4页
对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附...
对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能。400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好。
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关键词
界面
ZrN阻挡层
SiCON低介电常数薄膜
X射线光电子能谱
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职称材料
题名
LNO薄膜电极的制备及其特性研究
被引量：
3
1
作者
康晓旭
林殷茵
汤庭鳌
钟宇
黄维宁
姜国宝
王晓光
机构
复旦大学微电子学系和系统国家重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期317-319,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(69876008)
应用材料AM基金资助项目
+1 种基金
国家科技预研资助项目(J8.3.3.JW0703)
博士点基金资助项目
文摘
采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
关键词
LNO薄膜
制备
铁电体
铁电存储器
氧化物电极
铁电电容
Keywords
LNO
oxide electrodes
ferroelectrics
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究
被引量：
1
2
作者
杨春晓
张驰
徐赛生
丁士进
张卫
机构
复旦大学
微电子学
系
ASIC
和系统
国家
重点
实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期105-108,共4页
基金
国家基础研究重点发展项目(2006CB302703)
"先进互连材料和概念"国际研究培训组中的中国教育部支持
文摘
对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能。400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好。
关键词
界面
ZrN阻挡层
SiCON低介电常数薄膜
X射线光电子能谱
Keywords
interface
ZrN barrier
SiCON low dielectric constant film
XPS
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LNO薄膜电极的制备及其特性研究
康晓旭
林殷茵
汤庭鳌
钟宇
黄维宁
姜国宝
王晓光
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
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职称材料
2
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究
杨春晓
张驰
徐赛生
丁士进
张卫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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