期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
被引量：
4
1
作者
潘少辉
何伦文
+1 位作者
汪礼康
张卫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期436-439,共4页
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在...
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。
展开更多
关键词
横向双扩散金属氧化物
贴片工艺
有限元分析法
热阻
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
被引量：
4
1
作者
潘少辉
何伦文
汪礼康
张卫
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期436-439,共4页
基金
国家自然科学基金项目(90607019)
文摘
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。
关键词
横向双扩散金属氧化物
贴片工艺
有限元分析法
热阻
Keywords
VDMOS
die attach
FEA
thermal impedance
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
潘少辉
何伦文
汪礼康
张卫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
