检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法被引量：1: 1; 作者李亨陶俊曾璇《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期721-727,共7页; 为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 展开更多; 关键词电路优化几何规划模型修正运算放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统被引量：1: 2; 作者易婷洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2046-2052,共7页; 介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 展开更多; 关键词模拟电路综合优化集成电路CAD; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米CMOS运算放大器的综合被引量：8: 3; 作者易婷洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1631-1639,共9页; 利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 展开更多; 关键词 CMOS运算放大器模拟电路综合直流工作点可制造性电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究: 4; 作者任杰周广芬 +1 位作者郭子成张卫《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2279-2283,共5页; 采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸... 展开更多; 关键词密度泛函理论原子层沉积氧化钽; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计被引量：2: 5; 作者迮德东易婷 +1 位作者方杰洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1640-1644,共5页; 全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨... 展开更多; 关键词运算跨导放大器(OTA) 折叠-级联放大器代价函数单纯形算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于蓝牙接收机基带处理的高精度ΣΔ调制器被引量：1: 6; 作者邹睿洪志良《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2005年第11期1966-1970,共5页; 设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采... 展开更多; 关键词蓝牙接收机基带处理 ∑△调制器高精度; 在线阅读下载PDF 职称材料

22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 7; 作者杨颖琳胡成 +4 位作者朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 展开更多; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

改进的门单元多输入跳变电流源模型: 8; 作者钱晨曦陶俊曾璇《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第11期1513-1520,共8页; 电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 展开更多; 关键词电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种CMOS全差分两级OTA建立时间的优化设计: 9; 作者邹睿迮德东洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2068-2071,共4页; 介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自... 展开更多; 关键词两级OTA 级联密勒电容补偿零极点建立时间优化程序; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法被引量：1: 1; 作者李亨陶俊曾璇; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期721-727,共7页; 基金国家自然科学基金(61006030 60976034 +4 种基金 61076033 60806013) 国家"十二五"重大科技专项(2011ZX01034-005-001-03); 文摘为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.; 关键词电路优化几何规划模型修正运算放大器; Keywords circuit optimization geometric programming model revision operational amplifier; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统被引量：1: 2; 作者易婷洪志良; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2046-2052,共7页; 文摘介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.; 关键词模拟电路综合优化集成电路CAD; Keywords analog circuit synthesis optimization IC CAD; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米CMOS运算放大器的综合被引量：8: 3; 作者易婷洪志良; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1631-1639,共9页; 文摘利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。; 关键词 CMOS运算放大器模拟电路综合直流工作点可制造性电路设计; Keywords CMOS operational amplifier analog circuit synthesis operating point manufacturable circuit design; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究: 4; 作者任杰周广芬郭子成张卫; 机构河北科技大学理学院复旦大学微电子学系; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2279-2283,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号:20973052,60776017) 河北科技大学杰出青年基金(批准号:2006JC-3)资助; 文摘采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现,TaC l5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应.另外,从能量上看,H2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.; 关键词密度泛函理论原子层沉积氧化钽; Keywords Density functional theory Atomic layer deposition Tantalum pentoxide; 分类号 O641 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计被引量：2: 5; 作者迮德东易婷方杰洪志良; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1640-1644,共5页; 文摘全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨导放大器; 关键词运算跨导放大器(OTA) 折叠-级联放大器代价函数单纯形算法; Keywords operational transconductance amplifier (OTA) folded-cascode amplifier cost function simplex method; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于蓝牙接收机基带处理的高精度ΣΔ调制器被引量：1: 6; 作者邹睿洪志良; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2005年第11期1966-1970,共5页; 文摘设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采用栅压自举的采样开关、CMOS两级OTA组成的全差分开关电容电路实现。调制器电路基于0.35μm CMOS工艺实现,电源电压3.3 V、D/A参考电平±0.8 V。在1 MHz的Nyquist转换速率下SNR为86 dB,SNDR达到81 dB。; 关键词蓝牙接收机基带处理 ∑△调制器高精度; Keywords bluetooth receiver baseband processing ∑△ modulator high resolution; 分类号 TP432 [自动化与计算机技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 7; 作者杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02305-003) 上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目; 文摘研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; Keywords dual-material gate MOSFET hot carrier effect surface electric field surface potential drain-induced barrier lowering （DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改进的门单元多输入跳变电流源模型: 8; 作者钱晨曦陶俊曾璇; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第11期1513-1520,共8页; 基金国家自然科学基金(61006030 60976034 +4 种基金 61076033 60806013) 国家"十二五"重大科技专项项目(2011ZX01034-005-001-03); 文摘电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获得更高的模型精度;同时将二输入门单元模型扩展到多输入门单元,并详述了建模方法.多种门单元上的数值实验结果表明,与已有模型相比,在可接受的时间开销内,文中模型能够显著地提高门单元时延和输出波形的仿真精度.; 关键词电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真; Keywords current source model Miller capacitance multiple-input-switching crosstalk noise waveform simulation; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种CMOS全差分两级OTA建立时间的优化设计: 9; 作者邹睿迮德东洪志良; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2068-2071,共4页; 文摘介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自然频率使OTA建立时间最小,并通过CadenceSpectre仿真表明,该OTA完全满足性能指标要求.; 关键词两级OTA 级联密勒电容补偿零极点建立时间优化程序; Keywords two stage OTA cascode compensation technique zero-pole settling time optimization program; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法	李亨陶俊曾璇	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统	易婷洪志良	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	深亚微米CMOS运算放大器的综合	易婷洪志良	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2004	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究	任杰周广芬郭子成张卫	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计	迮德东易婷方杰洪志良	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用于蓝牙接收机基带处理的高精度ΣΔ调制器	邹睿洪志良	《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究	杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	改进的门单元多输入跳变电流源模型	钱晨曦陶俊曾璇	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	一种CMOS全差分两级OTA建立时间的优化设计	邹睿迮德东洪志良	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料