复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展 被引量：3

1

作者 周嘉 蒋玉龙 +1 位作者 任俊彦 张卫 《中国大学教学》 CSSCI 北大核心 2012年第4期35-36,60,共3页

复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史,形成了"基础与专业结合,研究与应用并重,创新人才培养国际化"特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中,通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力,复旦大学... 复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史,形成了"基础与专业结合,研究与应用并重,创新人才培养国际化"特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中,通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力,复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。 展开更多

关键词 特色专业建设 复旦大学 微电子学 创新人才培养

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USB2.0接口系统的设计与应用 被引量：3

2

作者 王祥 阮利华 +2 位作者 周荣政 洪志良 蒋凤仙 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2005年第6期98-100,135,共4页

提出了一个新颖实用的USB2.0接口系统架构,基于此架构设计了一个PC和设备之间的USB2.0接口系统。系统设计包括了硬件电路、MCU固件、主机驱动和应用程序。设计着重于批量传送功能,经FPGA验证,在数码相机系统应用中,传输稳定可靠。

关键词 USB2.0 驱动程序 固件 接口系统

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深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统 被引量：1

3

作者 易婷 洪志良 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2046-2052,共7页

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路. 展开更多

关键词 模拟电路综合 优化 集成电路CAD

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跳频系统中电荷泵锁相环的事件驱动仿真

4

作者 苏彦锋 王涛 +1 位作者 衣晓峰 洪志良 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第8期925-927,945,共4页

为了快速仿真单片集成跳频系统中的电荷泵锁相环 ,在比较几种常见仿真方法的基础上 ,重点介绍了电荷泵锁相环的事件驱动模型 ,并针对这种模型的具体实现提出了一些改进。改进后的模型主要应用于跳频系统中频率合成锁相环的稳定性和建立... 为了快速仿真单片集成跳频系统中的电荷泵锁相环 ,在比较几种常见仿真方法的基础上 ,重点介绍了电荷泵锁相环的事件驱动模型 ,并针对这种模型的具体实现提出了一些改进。改进后的模型主要应用于跳频系统中频率合成锁相环的稳定性和建立时间的快速仿真。 展开更多

关键词 电荷泵锁相环 跳频系统 事件驱动 行为级仿真

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非平衡非耗散热力学及热力学分类新系统--化学热力学课程内容的重大变革

5

作者 王季陶 《广西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第z2期70-71,共2页

从19世纪以来,化学热力学课程内容几乎没有实质性的变化.Onsager和Prigogine发展了热力学并分别在1968和1977年荣获Nobel化学奖.然而,崇尚经典甚至不承认现代热力学的情况依然存在.这在2l世纪科学领域中实为罕见.在1970年前后出现的激... 从19世纪以来,化学热力学课程内容几乎没有实质性的变化.Onsager和Prigogine发展了热力学并分别在1968和1977年荣获Nobel化学奖.然而,崇尚经典甚至不承认现代热力学的情况依然存在.这在2l世纪科学领域中实为罕见.在1970年前后出现的激活低压人造金刚石新工艺中,石墨腐蚀和金刚石生长可以同时发生的现象,严重困惑了经典热力学.最终导致了非平衡非耗散热力学新领域和全新热力学分类系统的诞生,也使化学热力学真正成为一个自洽的完整学科,全面进入现代热力学的历史发展新阶段. 展开更多

关键词 经典热力学 现代热力学 非平衡非耗散热力学 热力学分类系统 耗散热力学 非耗散热力学

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原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究 被引量：16

6

作者 卢红亮 徐敏 +2 位作者 丁士进 任杰 张卫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1217-1222,共6页

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表... 以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm． 展开更多

关键词 AL2O3薄膜 原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS)

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一种可直接脉冲调制的MEMS红外激发源 被引量：11

7

作者 纪新明 吴飞蝶 +3 位作者 王建业 周嘉 谢海芬 黄宜平 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期144-150,共7页

针对红外气体探测器对光源的要求,结合现有MEMS(微机电系统)工艺及与其兼容的IC工艺,研制了一种可用于红外多气体传感器的脉冲式MEMS辐射光源.该光源主要有Si3N4/SiO2的复合支撑层和铂金发热电极组成,可以产生相当于黑体300～800 K的红... 针对红外气体探测器对光源的要求,结合现有MEMS(微机电系统)工艺及与其兼容的IC工艺,研制了一种可用于红外多气体传感器的脉冲式MEMS辐射光源.该光源主要有Si3N4/SiO2的复合支撑层和铂金发热电极组成,可以产生相当于黑体300～800 K的红外辐射,在温度T＝1 106 K时有λ=2.62 μm峰值辐射波长;并且光源有足够强的辐射强度和2～15 μm红外辐射波段,能够满足大部分气体在2～14 μm波长范围内特征的吸收谱线的要求.经过对辐射元的动态测量可知,辐射源的动态调制频率可达到50 Hz,完全能够满足气体测量对所需红外光源调制频率的要求. 展开更多

关键词 红外传感 微机电系统 辐射系数

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自适应的数码相机自动白平衡算法 被引量：38

8

作者 周荣政 何捷 洪志良 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第3期529-533,共5页

提出了一种色温估计方法 ,并在此基础上实现了一个自适应的数码相机自动白平衡算法 该算法充分考虑了Y和Cb ,Cr之间的相关性 ,挑选更合适的白色像素进行平均色差计算 ,以提高色温估计的精度 在一个数码相机处理器的设计中实现了该算法

关键词 自动白平衡 色温估计 数码相机

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集成电路Cu互连线的XRD研究 被引量：7

9

作者 徐赛生 曾磊 +3 位作者 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期985-987,共3页

对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现... 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。 展开更多

关键词 铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂

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MEMS红外光源及应用 被引量：8

10

作者 吴飞蝶 纪新明 +2 位作者 王建业 王国勋 黄宜平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第5期78-80,共3页

针对传统红外光源需要另加调制部件,使得传感体系价高和笨重的不足,利用微电子工艺研制了一种用于便携式非扩散红外气体传感器的电调制红外光源,并对其辐射特性进行了测试。将光源应用于自行搭建的小型红外吸收气体传感系统中,对不同气... 针对传统红外光源需要另加调制部件,使得传感体系价高和笨重的不足,利用微电子工艺研制了一种用于便携式非扩散红外气体传感器的电调制红外光源,并对其辐射特性进行了测试。将光源应用于自行搭建的小型红外吸收气体传感系统中,对不同气体体积分数的CO2和SO2气体进行探测,测量精度分别达到20×10-6和50×10-6气体体积分数。重复测量偏差在10%之内,且光源辐射性能稳定,可用于多组分气体探测。 展开更多

关键词 红外光源 电调制 红外吸收

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沸石分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器 被引量：7

11

作者 杨涓涓 任楠 +4 位作者 周嘉 张亚红 刘全 黄宜平 唐颐 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2111-2113,2118,共4页

研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.4811Hz/lg(C/pp... 研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.4811Hz/lg(C/ppm).在0.2ppmDMMP气体浓度下,传感器的响应时间和恢复时间分别为40s和100s,响应达到103Hz.同时经过高温和水汽吹扫脱附处理,该传感器表现了较好的重复性. 展开更多

关键词 Cu^2+-Beta分子筛 QCM DMMP 气敏传感器

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直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较 被引量：5

12

作者 徐赛生 曾磊 +2 位作者 张立锋 张卫 汪礼康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1070-1073,共4页

针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和... 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。 展开更多

关键词 CU互连 电沉积Cu层 脉冲电镀 直流电镀

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MEMS传感器性能提高相关技术研究 被引量：4

13

作者 黄树森 李昕欣 +1 位作者 王跃林 鲍敏杭 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第1期8-9,25,共3页

在分析MEMS(微电子机械系统 )传感器当前的发展现状、特点特别是在器件实用化和产品化进程中所面临的挑战后 ,提出了MEMS传感器技术实用化的关键———提高器件性能满足应用要求。根据研究经历举例说明改进传感器材料、结构。

关键词 微电子机械系统 微传感器 微执行器 微机械技术

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压电谐振式微悬臂梁气体传感器 被引量：4

14

作者 周嘉 黎坡 +4 位作者 黄宜平 张松 周峰 杨芃原 鲍敏航 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期358-362,共5页

介绍了压电谐振式微悬臂梁的设计、制作方法和作为质量传感器的工作原理,及其在空气质量检测上的应用。实验结果验证了设计方法正确,制作工艺可行。在特定敏感层的作用下,该传感器对氟利昂气体在500×10^(-6)范围内的响应呈指数衰减... 介绍了压电谐振式微悬臂梁的设计、制作方法和作为质量传感器的工作原理,及其在空气质量检测上的应用。实验结果验证了设计方法正确,制作工艺可行。在特定敏感层的作用下,该传感器对氟利昂气体在500×10^(-6)范围内的响应呈指数衰减,在100×10^(-6)范围内呈线性响应,灵敏度达-0.002 4％×10~6,最小可测质量为3.5×10^(-9)g。 展开更多

关键词 锆钛酸铅(PZT) 微悬臂梁 气敏传感器

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深亚微米CMOS运算放大器的综合 被引量：8

15

作者 易婷 洪志良 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1631-1639,共9页

利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。 展开更多

关键词 CMOS运算放大器 模拟电路综合 直流工作点 可制造性电路设计

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钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性 被引量：2

16

作者 王光伟 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期36-40,共5页

采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟... 采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56～0.59ev之间.实验结果表明,300～600℃退火对肖特基势垒高度没有显著影响. 展开更多

关键词 离子束溅射 多晶锗硅 热扩散 固相反应 肖特基接触特性

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基于13X型沸石分子筛的类神经毒气传感器 被引量：3

17

作者 杨涓涓 任楠 +3 位作者 周嘉 刘全 黄宜平 唐颐 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第2期86-88,92,共4页

研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6D... 研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6DMMP气体分别进行了检测,在1×10-6时(频率为0.01 Hz)电阻的相对变化可达13.2%;同时,分别采用13X型和Cu-β型分子筛作为敏感膜对1×10-6DMMP,100×10-6CO2和饱和蒸汽压下的乙醇气体进行了选择性比较实验。实验表明:基于13X型分子筛膜传感器对DMMP的探测有较好的灵敏度和选择性。 展开更多

关键词 分子筛 气体传感器 甲基磷酸二甲脂 选择性

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原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展 被引量：2

18

作者 卢红亮 徐敏 +4 位作者 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期809-812,816,共5页

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基... 原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。 展开更多

关键词 原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高K材料

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DMMP在纳米分子筛敏感薄膜中的解吸附特性 被引量：1

19

作者 姚伟 纪新明 +3 位作者 周嘉 包宗明 鲍敏杭 黄宜平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第1期21-23,29,共4页

分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研... 分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研究了氮气吹洗法、高温脱附法和高频交变电场脱附法对甲基磷酸二甲酯(DMMP)气体的脱附特性。结果显示:超声频交变电场脱附法可以使脱附时间从传统方法的20 min缩短到60 s以内,并达到85%以上的脱附率,使传感器的重复性很快得到再现。 展开更多

关键词 纳米分子筛 类神经毒气甲基磷酸二甲酯 吸附与脱附

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彩色TFT液晶显示控制电路设计及其ASIC实现 被引量：1

20

作者 陈学峰 周荣政 洪志良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期70-74,共5页

介绍了一种用于高级型数码相机的彩色TFT液晶显示控制电路的设计。文中首先简单给出了控制电路的设计要求,然后重点介绍电路中各模块的设计以及FPGA验证。整个电路作为数码相机专用集成电路芯片的一部分采用TSMC0.25mmSAGETM工艺进行了A... 介绍了一种用于高级型数码相机的彩色TFT液晶显示控制电路的设计。文中首先简单给出了控制电路的设计要求,然后重点介绍电路中各模块的设计以及FPGA验证。整个电路作为数码相机专用集成电路芯片的一部分采用TSMC0.25mmSAGETM工艺进行了ASIC实现。 展开更多

关键词 彩色TFT液晶显示 控制电路 ASIC 数码相机 液晶显示器 图像显示

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