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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展被引量：1: 1; 作者阮刚《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页; 本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.; 关键词硅锗应变层双极型晶体管异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS: 2; 作者徐晨曦阮刚《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期14-19,共6页; 本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模... 展开更多; 关键词 VLSI FUTIS 离子注入模拟器; 在线阅读下载PDF 职称材料

短沟道MOSFET渡越时间物理模型: 3; 作者牛国富阮刚《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期142-148,共7页; 叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来... 展开更多; 关键词渡越时间速度过冲 MOSFET 沟道物理模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅片Map图信息的提取和利用: 4; 作者张东红阮刚《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期180-184,共5页; 分析了硅片Ｍａｐ图所提供的生产成品率和各类不合格芯片的位置分布信息，讨论了利用硅片之间Ｏｖｅｒｌａｐ法（重叠法）和硅片上Ｗｉｎｄｏｗ法（窗口法）对Ｍａｐ图进行的统计。着重讨论了：按硅片中不合格芯片密度的显著差异划分边... 展开更多; 关键词硅片 MAP图工艺缺陷成品率; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型: 5; 作者牛国富阮刚《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期14-21,共8页; 提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了... 展开更多; 关键词载流子温度场效应晶体管速度效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展被引量：1: 1; 作者阮刚; 机构复旦大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页; 文摘本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.; 关键词硅锗应变层双极型晶体管异质结; Keywords SiGe strain layer,Bipolar transistor,Heterojunction,Heterojunction bipolar transistor; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS: 2; 作者徐晨曦阮刚; 机构复旦大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期14-19,共6页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。; 关键词 VLSI FUTIS 离子注入模拟器; 分类号 TN470.53 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短沟道MOSFET渡越时间物理模型: 3; 作者牛国富阮刚; 机构复旦大学微电子学研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期142-148,共7页; 文摘叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％; 关键词渡越时间速度过冲 MOSFET 沟道物理模型; Keywords Transit Time Velocity Overshoot MOSFET; 分类号 TN386.101 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅片Map图信息的提取和利用: 4; 作者张东红阮刚; 机构复旦大学微电子学研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期180-184,共5页; 基金 "七五"攻关<先进CAD技术>资助; 文摘分析了硅片Ｍａｐ图所提供的生产成品率和各类不合格芯片的位置分布信息，讨论了利用硅片之间Ｏｖｅｒｌａｐ法（重叠法）和硅片上Ｗｉｎｄｏｗ法（窗口法）对Ｍａｐ图进行的统计。着重讨论了：按硅片中不合格芯片密度的显著差异划分边缘区及中心区；不合格芯片局部聚集现象的定量表示；随机性强的不合格芯片的统计分布；有关信息由相应Ｃ语言软件自动提取，与Ｍａｐ图计算机测试进行联用，可用于生产监控、影响成品率因素分析和工艺缺陷的深入研究。; 关键词硅片 MAP图工艺缺陷成品率; Keywords Wafer Map Process Defect Yield; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型: 5; 作者牛国富阮刚; 机构复旦大学微电子学研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期14-21,共8页; 文摘提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。; 关键词载流子温度场效应晶体管速度效应; Keywords Velocity Overshoot, Carrier Temperature, MOSFET, Energy Transport Model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展	阮刚	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1993	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS	徐晨曦阮刚	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	短沟道MOSFET渡越时间物理模型	牛国富阮刚	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅片Map图信息的提取和利用	张东红阮刚	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型	牛国富阮刚	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料