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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究被引量：1: 1; 作者李海涛陈辰嘉 +6 位作者王学忠刘继周孙允希凌震王迅吕少哲孔祥贵《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期113-119,共7页; 在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平... 展开更多; 关键词光致发光稀磁半导体超晶格光学性质锌碲; 在线阅读下载PDF 职称材料

高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究被引量：1: 2; 作者陈辰嘉王学忠 +9 位作者梁晓甘李海涛凌震王迅 V Bellani M Geddo A Stella S Tavazzi A Borghesi A Sassella 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期332-336,共5页; 报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ... 展开更多; 关键词光调制反射激子跃迁应力效应超晶格; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究: 3; 作者李海涛李晓莅 +7 位作者陈唏刘继周陈辰嘉王学忠韩一龙林春凌震王迅《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期129-134,共6页; 本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结... 展开更多; 关键词稀磁半导体超晶格光调制反射谱 MBE DMS; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射被引量：2: 4; 作者陈唏李晓莅 +8 位作者刘继周王晶晶周赫田王学忠陈辰嘉凌震王杰王迅孔祥贵《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期102-106,共5页; 在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引... 展开更多; 关键词超晶格喇曼散射界面模半导体碲化锌; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应: 5; 作者李晓莅陈唏 +5 位作者刘继周陈辰嘉王学忠凌震王迅吕少哲《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期1-7,共7页; 本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－... 展开更多; 关键词超晶格光致发光谱应力效应稀磁半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究被引量：1: 1; 作者李海涛陈辰嘉王学忠刘继周孙允希凌震王迅吕少哲孔祥贵; 机构北京大学物理系复旦大学应用表面物理实验室中国科学院激发态物理开放实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期113-119,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。; 关键词光致发光稀磁半导体超晶格光学性质锌碲; Keywords photoreflectance, photoluminescence, Raman scattering, strain effect.; 分类号 TN304.22 [电子电信—物理电子学] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究被引量：1: 2; 作者陈辰嘉王学忠梁晓甘李海涛凌震王迅 V Bellani M Geddo A Stella S Tavazzi A Borghesi A Sassella; 机构北京大学物理系复旦大学应用表面物理实验室 INFM-Dipartimento di Fisica"A.Volta"dell’Universitiy di pavia INFM-Dipartimento di Scienza dei Materiali University di Milano Bicocca; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期332-336,共5页; 基金国家自然科学基金 (批准号 198740 0 5 )资助项目~~; 文摘报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .; 关键词光调制反射激子跃迁应力效应超晶格; Keywords photoreflectance exciton transitions strain effects superlattices.; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究: 3; 作者李海涛李晓莅陈唏刘继周陈辰嘉王学忠韩一龙林春凌震王迅; 机构北京大学物理系中国科学院激发态物理开放实验室复旦大学应用表面物理实验室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期129-134,共6页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。; 关键词稀磁半导体超晶格光调制反射谱 MBE DMS; Keywords Diluted magnetic semiconductor Superlattices Photoreflectance Strain effects; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] O649.3 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射被引量：2: 4; 作者陈唏李晓莅刘继周王晶晶周赫田王学忠陈辰嘉凌震王杰王迅孔祥贵; 机构北京大学物理系中国科学院激发态物理开放实验室复旦大学应用表面物理实验室中国科学院长春物理所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期102-106,共5页; 基金国家自然科学基金; 文摘在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致．; 关键词超晶格喇曼散射界面模半导体碲化锌; Keywords ZnTe/Zn 1- x Mn x Te, superlattice, Raman scattering, interface mode.; 分类号 TN304.22 [电子电信—物理电子学] O471.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应: 5; 作者李晓莅陈唏刘继周陈辰嘉王学忠凌震王迅吕少哲; 机构北京大学物理系北京中国科学院激发态物理开放实验室复旦大学应用表面物理实验室中国科学院激发态物理开放实验室中国科学院长春物理所; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期1-7,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。; 关键词超晶格光致发光谱应力效应稀磁半导体; Keywords Diluted magnetic semiconductors, Photoluminescence spectra, Strain effects; 分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究	李海涛陈辰嘉王学忠刘继周孙允希凌震王迅吕少哲孔祥贵	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究	陈辰嘉王学忠梁晓甘李海涛凌震王迅 V Bellani M Geddo A Stella S Tavazzi A Borghesi A Sassella	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究	李海涛李晓莅陈唏刘继周陈辰嘉王学忠韩一龙林春凌震王迅	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射	陈唏李晓莅刘继周王晶晶周赫田王学忠陈辰嘉凌震王杰王迅孔祥贵	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应	李晓莅陈唏刘继周陈辰嘉王学忠凌震王迅吕少哲	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料