应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望 被引量：1

1

作者 丁训民 侯晓远 王迅 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1992年第2期168-197,共30页

本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较... 本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。 展开更多

关键词 表面物理 同步辐射 SRPES

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平均键能模型的物理基础及该模型的应用

2

作者 柯三黄 王仁智 黄美纯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期299-310,共12页

平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比... 平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。 展开更多

关键词 能带不连续性 半导体 异质界面 平均键能

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聚对二甲苯薄膜的制备及其在有机电致发光二极管中的应用研究 被引量：2

3

作者 胡永茂 李汝恒 +3 位作者 何鋆 张学清 李茂琼 朱艳 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期663-669,共7页

使用自制的分子束源制备了聚对二甲苯(Parylene-N,PPXN)薄膜。通过对该分子束源的设计和不断优化,PPXN薄膜可以在室温、10-3 Pa的较低反应压强下以0.01nm/s^0.02nm/s的速率沉积聚合。用红外透射光谱和原子力显微镜测量了PPXN薄膜的成分... 使用自制的分子束源制备了聚对二甲苯(Parylene-N,PPXN)薄膜。通过对该分子束源的设计和不断优化,PPXN薄膜可以在室温、10-3 Pa的较低反应压强下以0.01nm/s^0.02nm/s的速率沉积聚合。用红外透射光谱和原子力显微镜测量了PPXN薄膜的成分和表面形貌。结果表明,所制备的薄膜成分为PPXN,薄膜呈波浪状、无尖刺的表面形貌。准确控制的PPXN薄膜在有机电致发光二极管中用作缓冲层,对载流子的注入和传输进行调控,有效地改善了器件内部的载流子平衡。最优化结构的器件较未插入PPXN缓冲层的器件,电流效率提高80%以上。 展开更多

关键词 聚对二甲苯 分子束源 缓冲层 有机电致发光二极管 电流效率

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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化 被引量：1

4

作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期99-102,共4页

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。

关键词 等离子体氮化 氮化硅 硅表面处理 薄膜制备

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一种测量薄膜磁性的表面磁光克尔效应装置 被引量：6

5

作者 朱伟荣 董国胜 +3 位作者 陈艳 金晓峰 钱世雄 陈良尧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期243-246,共4页

介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件... 介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明，采用光强稳定度为5％的普通国产He－Ne随机偏振激光器，其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。 展开更多

关键词 磁光克尔效应 磁性 薄膜 SMOKE

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应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究 被引量：1

6

作者 郑航 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期71-73,77,共4页

用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2... 用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质。氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料。 展开更多

关键词 微电子 硅基氧化锆 薄膜性质 MOS 半导体 磁控溅射法 晶体结构 介电常数 电学性质

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激光光声振动谱研究表面吸附

7

作者 胡长武 朱昂如 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期247-251,共5页

报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

关键词 激光 光声光谱 表面吸附 分子振动

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非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究 被引量：7

8

作者 方泽波 谭永胜 +2 位作者 朱燕艳 陈圣 蒋最敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期357-360,共4页

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且... 采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料. 展开更多

关键词 高K栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发

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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量：4

9

作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理

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铜纳米晶-有序多孔氧化铝复合膜光学性能的研究 被引量：3

10

作者 刘艳 杨修春 +3 位作者 周慧 侯军伟 韩珊珊 钱士雄 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-911,共5页

采用常压直流电沉积技术在有序多孔氧化铝(OPAA)模板内沉积Cu纳米晶,制备出光学透明的铜纳米晶/OPAA复合膜.利用FESEM、TEM、紫外可见分光光度计、Z-scan技术、泵浦探测技术对该复合材料的形貌、结构、线性光吸收、三阶非线性极化率和... 采用常压直流电沉积技术在有序多孔氧化铝(OPAA)模板内沉积Cu纳米晶,制备出光学透明的铜纳米晶/OPAA复合膜.利用FESEM、TEM、紫外可见分光光度计、Z-scan技术、泵浦探测技术对该复合材料的形貌、结构、线性光吸收、三阶非线性极化率和光响应时间进行了分析.结果表明,Cu纳米颗粒具有面心立方结构,直径在40～50 nm之间,分布在OPAA模板的分叉孔道区.填充于有序多孔氧化铝模板中的Cu纳米晶在584 nm处出现等离子体共振吸收峰.当探测光波长远离铜纳米晶的等离子体共振吸收峰时,Cu纳米晶/多孔氧化铝复合膜出现光致吸收特性,而当探测光波长接近铜纳米晶的等离子体共振吸收峰时,出现光致漂白现象.该复合膜非共振三阶非线性极化率为0.73×10-9esu,光响应时间为1.3ps. 展开更多

关键词 有序多孔氧化铝 铜纳米晶 三阶光学非线性

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 被引量：2

11

作者 曾宇昕 王水凤 +3 位作者 元美玲 程国安 肖志松 徐飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期377-380,共4页

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 展开更多

关键词 硅基薄膜 离子注入 ND^3+ 结构 光致发光 钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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WO_3薄膜的显色性和敏感性研究 被引量：5

12

作者 陈祥君 邵丙铣 +1 位作者 郑庆平 宗祥福 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第4期314-318,共5页

本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,氢离子注入WO_3薄膜,使薄膜显示出蓝色,薄膜的电阻率随之降低.这种显色性和敏感性使WO_3薄膜在显示器件和p... 本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,氢离子注入WO_3薄膜,使薄膜显示出蓝色,薄膜的电阻率随之降低.这种显色性和敏感性使WO_3薄膜在显示器件和pH值敏感器件中得到应用。 展开更多

关键词 三氧化钨薄膜 电致显示性 显示器件

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量：1

13

作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多

关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 铒 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土

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Mn掺杂ZnO薄膜的软X射线发射光谱研究 被引量：1

14

作者 金晶 张新夷 周映雪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期296-300,共5页

利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分... 利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分强度的比值(I(L2)/I(L3)),可知样品的铁磁性与自由d载流子的数目有关.在Zn0.97Mn0.03O中,Mn主要处于替代位置,并表现出较强的Coster-Kronig(C-K)跃迁效应,这说明样品中存在大量的自由d载流子.这些非局域的d载流子的行为类似于巡游电子,与Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosid(RKKY)模型下计算得出的间隙Mn提供的4s电子,都可成为铁磁交换作用的媒介.在Zn0.67Mn0.33O中,自由d载流子的数目较少以及MnO团簇的存在是导致铁磁性向反铁磁性转变的主要原因. 展开更多

关键词 ZNO X射线发射光谱 C-K跃迁 自由d载流子

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Si局域分子束外延技术

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作者 朱海军 蒋最敏 +4 位作者 徐阿妹 毛明春 卢学坤 刘晓晗 黄大鸣 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第2期116-120,共5页

利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。

关键词 局域分子束外延 光致发光强度 掩模

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掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究　

16

作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期482-487,共6页

采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７ ... 采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７ Ｋ和室温时用４４１．６ｎｍ光激发有Ｅｒ３＋较强的１．５４μｍ特征光发射．探讨了在硅基材料中高浓度Ｅｒ掺杂薄膜中纳米结构的形成与Ｅｒ３＋的光致发光性能， 展开更多

关键词 纳米硅 离子注入 光致发光 铒掺杂

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碲化钨薄膜的红外近场光学成像

17

作者 代珍兵 罗国语 +3 位作者 贺言 王冲 晏湖根 李志强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期464-469,共6页

研究了过渡金属硫族化合物碲化钨的近场光学响应,通过Drude-Lorentz模型拟合得到其块材在室温下的介电常数,并利用有限偶极模型计算出碲化钨样品与金刚石基底的近场散射信号比。当样品边缘未出现散射信号增强时,实验结果与理论模型符合... 研究了过渡金属硫族化合物碲化钨的近场光学响应,通过Drude-Lorentz模型拟合得到其块材在室温下的介电常数,并利用有限偶极模型计算出碲化钨样品与金刚石基底的近场散射信号比。当样品边缘未出现散射信号增强时,实验结果与理论模型符合较好;当样品边缘出现信号增强现象时,理论模型与实验观测结果不符,说明这部分样品的光学性质并不能完全由块材所描述,从而推测样品表面具有与块材无耦合作用的碲化钨纳米薄层,同时对在样品边缘很强的近场散射信号给出了可能的解释。这个工作为今后对拓扑材料的光学研究提供了参考。 展开更多

关键词 碲化钨薄膜 近场光学成像 介电常数 拓扑

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多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究

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作者 刘小兵 史向华 +4 位作者 柳毅 柳玥 王行军 丁训民 侯晓远 《长沙电力学院学报（自然科学版）》 2003年第3期67-69,共3页

采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法... 采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70～90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的. 展开更多

关键词 多孔硅薄膜 纵向分辨Raman谱 Raman效应 脉冲电化学腐蚀 直流电化学腐蚀 发光机理

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热稳定空穴传输材料的合成及其电致发光器件 被引量：7

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作者 杨玉惠 詹义强 +2 位作者 丁焕军 徐健 肖斐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期583-587,共5页

合成了两种NPB的新衍生物:N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NTB)和N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-叔丁基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NBB)。DSC测得其玻璃态转变温度分别为108℃和129℃,表现出好的热稳定性... 合成了两种NPB的新衍生物:N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NTB)和N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-叔丁基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NBB)。DSC测得其玻璃态转变温度分别为108℃和129℃,表现出好的热稳定性。紫外光电子能谱测得其电离势均为5.2eV。NTB和NBB固体光致发光光谱的最大发射波长分别位于455nm和460nm。分别以NPB、NTB、NBB作为空穴传输层材料(HTM)制作了结构相同的有机电致发光器件,3种器件发光光谱相同,均为Alq3的绿色发光,器件的起亮电压分别为11,9,8V,在15V工作电压时的亮度分别为1 000,1 300,1 200cd/m2,初步研究了器件的发光特性和稳定性。 展开更多

关键词 NPB衍生物 空穴传输 电致发光器件 热稳定性 电离势 发射波长 起亮电压

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二维高效光子晶体偏振分束器 被引量：5

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作者 孙露露 沈义峰 +3 位作者 王娟 周杰 张园 唐刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1795-1799,共5页

为解决透射型偏振分束器透射效率低、高入射角度依赖的缺点,利用二维光子晶体平板设计了一种高效偏振分束器.采用的光子晶体是由空气中周期性排列的蜂窝格子GaAs介质柱构成.该偏振器对一种偏振光(TE偏振)正常折射,而对另一种偏振(TM偏振... 为解决透射型偏振分束器透射效率低、高入射角度依赖的缺点,利用二维光子晶体平板设计了一种高效偏振分束器.采用的光子晶体是由空气中周期性排列的蜂窝格子GaAs介质柱构成.该偏振器对一种偏振光(TE偏振)正常折射,而对另一种偏振(TM偏振)负折射,从而实现两种偏振模式在空间上分离.为提高其透射效率,在光子晶体平板表面引入了消反层,并对相关参量进行优化.二维有限时域差分模拟结果显示,在较宽的角度范围内(约20°),约化圆频率处在ω=0.20～0.23×2πc/a范围内,分束器对TE和TM偏振光的透射强度都能达到95%以上. 展开更多

关键词 光子晶体 蜂窝格子 偏振分束器 消反层

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