应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望 被引量：1

1

作者 丁训民 侯晓远 王迅 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1992年第2期168-197,共30页

本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较... 本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。 展开更多

关键词 表面物理 同步辐射 SRPES

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平均键能模型的物理基础及该模型的应用

2

作者 柯三黄 王仁智 黄美纯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期299-310,共12页

平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比... 平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。 展开更多

关键词 能带不连续性 半导体 异质界面 平均键能

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聚对二甲苯薄膜的制备及其在有机电致发光二极管中的应用研究 被引量：2

3

作者 胡永茂 李汝恒 +3 位作者 何鋆 张学清 李茂琼 朱艳 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期663-669,共7页

使用自制的分子束源制备了聚对二甲苯(Parylene-N,PPXN)薄膜。通过对该分子束源的设计和不断优化,PPXN薄膜可以在室温、10-3 Pa的较低反应压强下以0.01nm/s^0.02nm/s的速率沉积聚合。用红外透射光谱和原子力显微镜测量了PPXN薄膜的成分... 使用自制的分子束源制备了聚对二甲苯(Parylene-N,PPXN)薄膜。通过对该分子束源的设计和不断优化,PPXN薄膜可以在室温、10-3 Pa的较低反应压强下以0.01nm/s^0.02nm/s的速率沉积聚合。用红外透射光谱和原子力显微镜测量了PPXN薄膜的成分和表面形貌。结果表明,所制备的薄膜成分为PPXN,薄膜呈波浪状、无尖刺的表面形貌。准确控制的PPXN薄膜在有机电致发光二极管中用作缓冲层,对载流子的注入和传输进行调控,有效地改善了器件内部的载流子平衡。最优化结构的器件较未插入PPXN缓冲层的器件,电流效率提高80%以上。 展开更多

关键词 聚对二甲苯 分子束源 缓冲层 有机电致发光二极管 电流效率

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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化 被引量：1

4

作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期99-102,共4页

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。

关键词 等离子体氮化 氮化硅 硅表面处理 薄膜制备

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一种测量薄膜磁性的表面磁光克尔效应装置 被引量：6

5

作者 朱伟荣 董国胜 +3 位作者 陈艳 金晓峰 钱世雄 陈良尧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期243-246,共4页

介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件... 介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明，采用光强稳定度为5％的普通国产He－Ne随机偏振激光器，其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。 展开更多

关键词 磁光克尔效应 磁性 薄膜 SMOKE

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应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究 被引量：1

6

作者 郑航 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期71-73,77,共4页

用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2... 用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质。氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料。 展开更多

关键词 微电子 硅基氧化锆 薄膜性质 MOS 半导体 磁控溅射法 晶体结构 介电常数 电学性质

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激光光声振动谱研究表面吸附

7

作者 胡长武 朱昂如 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期247-251,共5页

报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

关键词 激光 光声光谱 表面吸附 分子振动

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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 被引量：1

8

作者 郭子路 王文娟 +7 位作者 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期63-69,共7页

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。 展开更多

关键词 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管

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有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析 被引量：7

9

作者 何钧 廖良生 +3 位作者 周翔 缪熙月 熊祖洪 侯晓远 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期169-175,共7页

对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察．发现器件工作时，有机层／金属界面形成的气泡逐渐变大变多，最终导致器件完全失效．气泡中不仅含有水汽，还存在大量有机气体．

关键词 有机薄膜 器件 失效分析 动态观测

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非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究 被引量：7

10

作者 方泽波 谭永胜 +2 位作者 朱燕艳 陈圣 蒋最敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期357-360,共4页

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且... 采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料. 展开更多

关键词 高K栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发

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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量：4

11

作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理

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铜纳米晶-有序多孔氧化铝复合膜光学性能的研究 被引量：3

12

作者 刘艳 杨修春 +3 位作者 周慧 侯军伟 韩珊珊 钱士雄 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-911,共5页

采用常压直流电沉积技术在有序多孔氧化铝(OPAA)模板内沉积Cu纳米晶,制备出光学透明的铜纳米晶/OPAA复合膜.利用FESEM、TEM、紫外可见分光光度计、Z-scan技术、泵浦探测技术对该复合材料的形貌、结构、线性光吸收、三阶非线性极化率和... 采用常压直流电沉积技术在有序多孔氧化铝(OPAA)模板内沉积Cu纳米晶,制备出光学透明的铜纳米晶/OPAA复合膜.利用FESEM、TEM、紫外可见分光光度计、Z-scan技术、泵浦探测技术对该复合材料的形貌、结构、线性光吸收、三阶非线性极化率和光响应时间进行了分析.结果表明,Cu纳米颗粒具有面心立方结构,直径在40～50 nm之间,分布在OPAA模板的分叉孔道区.填充于有序多孔氧化铝模板中的Cu纳米晶在584 nm处出现等离子体共振吸收峰.当探测光波长远离铜纳米晶的等离子体共振吸收峰时,Cu纳米晶/多孔氧化铝复合膜出现光致吸收特性,而当探测光波长接近铜纳米晶的等离子体共振吸收峰时,出现光致漂白现象.该复合膜非共振三阶非线性极化率为0.73×10-9esu,光响应时间为1.3ps. 展开更多

关键词 有序多孔氧化铝 铜纳米晶 三阶光学非线性

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 被引量：2

13

作者 曾宇昕 王水凤 +3 位作者 元美玲 程国安 肖志松 徐飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期377-380,共4页

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 展开更多

关键词 硅基薄膜 离子注入 ND^3+ 结构 光致发光 钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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WO_3薄膜的显色性和敏感性研究 被引量：5

14

作者 陈祥君 邵丙铣 +1 位作者 郑庆平 宗祥福 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第4期314-318,共5页

本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,氢离子注入WO_3薄膜,使薄膜显示出蓝色,薄膜的电阻率随之降低.这种显色性和敏感性使WO_3薄膜在显示器件和p... 本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,氢离子注入WO_3薄膜,使薄膜显示出蓝色,薄膜的电阻率随之降低.这种显色性和敏感性使WO_3薄膜在显示器件和pH值敏感器件中得到应用。 展开更多

关键词 三氧化钨薄膜 电致显示性 显示器件

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量：1

15

作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多

关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 铒 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土

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LiBaF_3:Eu^(2+)真空紫外光谱研究 被引量：1

16

作者 周映雪 张新夷 +1 位作者 汪东升 张国斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期393-395,共3页

在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的... 在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的反射光谱,并利用Kramers-Kronig关系,计算了吸收光谱。从吸收光谱中,可以看到在102nm处有明显的吸收边,得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV。在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰,它们对应于Ba2+的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁。在低能量的183.4nm处,有很明显的吸收峰,推测这对应于本征缺陷的吸收。更低能量的吸收峰,则对应于禁带中的一些杂质能级。在未经紫外光或X射线辐照之前,用长波长（>450nm）光激发LiBaF3:Eu2+粉末样品,可以观测到Eu2+离子的360nm和410nm发光,亦表现出光激励发光特性。 展开更多

关键词 真空紫外光谱 光激励发光 同步辐射 LiBaF3:Eu^2+ 铕掺杂 钙钛矿型复合氟化物 固体可调谐激光器 发光特性 激光材料

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9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器 被引量：1

17

作者 龚大卫 卢学坤 +8 位作者 卫星 杨小平 胡际璜 盛篪 张翔九 王迅 周涛 叶红娟 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期149-152,共4页

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．

关键词 异质结 锗硅合金 红外探测器

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Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制 被引量：1

18

作者 高勇 李国正 +5 位作者 刘恩科 赵策洲 刘西钉 张翔九 卢学坤 王迅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期33-37,共5页

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于... 在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％ 展开更多

关键词 光波导 定向耦合器 硅锗材料

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Mn掺杂ZnO薄膜的软X射线发射光谱研究 被引量：1

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作者 金晶 张新夷 周映雪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期296-300,共5页

利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分... 利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分强度的比值(I(L2)/I(L3)),可知样品的铁磁性与自由d载流子的数目有关.在Zn0.97Mn0.03O中,Mn主要处于替代位置,并表现出较强的Coster-Kronig(C-K)跃迁效应,这说明样品中存在大量的自由d载流子.这些非局域的d载流子的行为类似于巡游电子,与Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosid(RKKY)模型下计算得出的间隙Mn提供的4s电子,都可成为铁磁交换作用的媒介.在Zn0.67Mn0.33O中,自由d载流子的数目较少以及MnO团簇的存在是导致铁磁性向反铁磁性转变的主要原因. 展开更多

关键词 ZNO X射线发射光谱 C-K跃迁 自由d载流子

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杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响

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作者 杨宇 刘晓晗 +4 位作者 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 龚大卫 王迅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期175-181,共7页

发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子附带过激子发光的主要因素．研究了在低阻衬底上外延、在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光．

关键词 硅源 杂质 量子阱 发光 锗源

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