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题名高功率电子封装中大面积烧结技术研究进展
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作者
边乐陶
刘文婷
刘盼
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机构
复旦大学工程与应用技术研究院
复旦大学宁波研究院
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出处
《电子与封装》
2025年第3期84-94,共11页
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基金
国家自然科学基金青年基金(62304051)
上海市2024年度“科技创新行动计划”项目(24500790702)
上海碳化硅功率器件工程技术研究中心项目(19DZ2253400)。
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文摘
在第三代半导体材料(如碳化硅和氮化镓)的推动下,大面积烧结技术因其在高功率电子封装中的独特优势,展现出广阔的应用前景。综述了银和铜作为大面积烧结材料在功率模块封装中的研究进展,系统分析了大面积烧结的定义标准、材料特性、工艺控制方法及其对接头性能的影响。探讨了大面积烧结过程中温度、压力、表面处理工艺等的优化策略,以提升接头的致密性、热导率及机械性能。此外,针对当前大面积烧结技术所面临的挑战提出了未来的优化方向。通过总结国内外相关研究成果,为大面积烧结技术在高功率电子封装领域的进一步发展提供了理论支持与实践参考。
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关键词
功率电子封装
大面积烧结
银烧结
铜烧结
烧结工艺
接头性能测试
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Keywords
power electronic packaging
large-area sintering
silver sintering
copper sintering
sintering process
joint performance testing
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名SiC芯片微型化及发展趋势
被引量：1
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作者
张园览
张清纯
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机构
复旦大学工程与应用技术研究院
复旦大学宁波研究院
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出处
《机车电传动》
北大核心
2023年第5期46-62,共17页
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基金
国家自然科学基金项目(62150710546)。
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文摘
新能源汽车与光伏作为SiC器件发展的重要推手,促进国内碳化硅产业链日趋完善,设计和制造进展快速,部分制造商器件特性已达到或接近国际领先水平。然而,由于SiC器件价格偏高,器件成本成为限制SiC器件进一步渗透市场的最主要因素。SiC芯片微型化能够显著降低芯片成本,已成为进一步加快SiC技术在新能源领域的大规模应用的有效途径之一。文章对近年来SiC芯片微型化的发展进行了梳理总结,对芯片微型化的必要性进行了分析,并提出了SiC芯片微型化的解决办法,阐述了国际SiC芯片微型化进展,对国内SiC技术近阶段的快速发展进行了阶段性总结,并揭示了芯片微型化将面临的各种挑战。最后,对国内SiC器件发展的机遇和未来进行了展望,为进一步研发提供思路和参考。
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关键词
碳化硅
宽禁带半导体
功率器件
微型化
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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Keywords
silicon carbide(SiC)
wide-bandgap semiconductor
power devices
miniaturization
metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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