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聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用被引量：14: 1; 作者刘立建谢进王家楫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期19-24,44,共7页; ＦＩＢ是一种将微分析和微加工相结合的新技术，在亚微米级器件的设计、工艺控制和失效分析等诸多领域发挥着非常重要的作用。本文将对聚焦离子束技术及其分析、加工的机理和性能作一介绍，并对该技术在微电子领域中的应用及发展作一综述。; 关键词集成电路微细加工聚焦离子束微电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析被引量：6: 2; 作者唐凌瞿欣 +2 位作者方培源杨兴王家楫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期43-47,共5页; 光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射... 展开更多; 关键词 PEM 光发射显微镜半导体器件失效缺陷检测; 在线阅读下载PDF 职称材料

检测胃黏膜上皮细胞微量元素、DNA、P_(53)、Ki-67、C-erbB_2、P21^(ras)研究中医脾虚证和胃癌前病变的关系被引量：5: 3; 作者孙传菊尹光耀 +1 位作者张武宁陈一《辽宁中医杂志》 CAS 2019年第2期238-240,445,共4页; 目的:探索中医脾虚证的病理生理学变化与胃黏膜癌前病变的关系。方法:对160例脾虚证胃黏膜均伴有肠上皮化生(intestinal metaplasia,IM)和/或低级别上皮内瘤变(low grade intraepithe1ial neoplasia,L-IN)患者,脾虚证分为脾气虚证(splee... 展开更多; 关键词脾虚证 L-IN IMⅡ_b 胃黏膜上皮细胞核和线粒体微量元素胃黏膜P53 KI-67 C-erbB2 P21RAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析被引量：6: 4; 作者陶剑磊方培源王家楫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1003-1006,共4页; ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发... 展开更多; 关键词 CMOSIC 静电放电失效分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

关于扫描隧道显微术所得图像的两种重构方法被引量：1: 5; 作者张炽昌《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第2期243-245,共3页; 随着扫描隧道显微术的快速发展，由于针尖并非无限细小尖锐而导致图像畸变的情况也越来越常见。文章用计算机模拟了几何分析和形态学两种图像处理的数学方法，并定义了畸变度参数，证明这两种方法可以获得更接近原样品形态特征的图像。; 关键词 STM 图像重构几何分析形态学扫描隧道显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究被引量：8: 6; 作者倪锦峰王家楫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期40-44,共5页; 薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究。本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行... 展开更多; 关键词 IC卡薄芯片失效机理碎裂划片顶针卡片成型; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅中缺陷的透射电镜观察被引量：1: 7; 作者谢锋刘剑霜 +1 位作者陈一胡刚《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期28-30,66,共4页; 随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视。通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析。; 关键词集成电路透射电镜硅氧沉积二次缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

用原子捕获技术提高火焰原子吸收光谱法的灵敏度被引量：1: 8; 作者黄曜穆国融宗祥福《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期84-85,共2页; 采用简易的石英原子捕获器,使Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Pb、Sb、Bi等易挥发元素在空气-乙炔火焰原子吸收光谱法中的灵敏度提高了3～5倍,并有较好的精密度,相对标准偏差在1％左右。方法中用此技术测定了标准物质中Pb、Cd的含量,获得了满意的... 展开更多; 关键词原子捕获器易挥发元素灵敏度原子吸收法; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于非延时积分器Delta-Sigma调制的电容传感器探测电路: 9; 作者严博曾韡高峰《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1581-1585,共5页; 研究一种基于非延时积分器Delta-Sigma调制的差分电容探测接口电路,该电路的Delta-Sigma调制使用非延时积分器将采样与积分同时进行,减小普通Delta-Sigma调制型电容探测电路中积分保持阶段的电荷泄露效应,仿真结果表明该结构可明显提高... 展开更多; 关键词传感器接口电路电容探测 Delta-Sigma调制积分器积分漏电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用被引量：14: 1; 作者刘立建谢进王家楫; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期19-24,44,共7页; 文摘ＦＩＢ是一种将微分析和微加工相结合的新技术，在亚微米级器件的设计、工艺控制和失效分析等诸多领域发挥着非常重要的作用。本文将对聚焦离子束技术及其分析、加工的机理和性能作一介绍，并对该技术在微电子领域中的应用及发展作一综述。; 关键词集成电路微细加工聚焦离子束微电子; Keywords FIB IC microfabrication microanalysis; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析被引量：6: 2; 作者唐凌瞿欣方培源杨兴王家楫; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期43-47,共5页; 文摘光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。; 关键词 PEM 光发射显微镜半导体器件失效缺陷检测; Keywords PEM microanalysis failure; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名检测胃黏膜上皮细胞微量元素、DNA、P_(53)、Ki-67、C-erbB_2、P21^(ras)研究中医脾虚证和胃癌前病变的关系被引量：5: 3; 作者孙传菊尹光耀张武宁陈一; 机构无锡市第三人民医院复旦大学国家微分析中心; 出处《辽宁中医杂志》 CAS 2019年第2期238-240,445,共4页; 文摘目的:探索中医脾虚证的病理生理学变化与胃黏膜癌前病变的关系。方法:对160例脾虚证胃黏膜均伴有肠上皮化生(intestinal metaplasia,IM)和/或低级别上皮内瘤变(low grade intraepithe1ial neoplasia,L-IN)患者,脾虚证分为脾气虚证(spleen Qi deficiency,SQD)、脾阴虚证(spleen Yin deficiency,SyinD)和脾虚气滞证(spleen deficiency with Qi stagnation,SDQS)三型和22例健康对照者为研究对象,采用现代科学仪器和技术检测胃黏膜上皮细胞核和线粒体的微量元素、DNA与胃黏膜P_(53),Ki-67,C-erbB_2,P21^(ras)。结果:SDQS组与L-IN间在分子生物学上也无显著性的差异。结论:要定期随访检测以上指标。有利于早期发现慢性胃炎的癌变。; 关键词脾虚证 L-IN IMⅡ_b 胃黏膜上皮细胞核和线粒体微量元素胃黏膜P53 KI-67 C-erbB2 P21RAS; Keywords spleen deficiency syndrome L-IN IMⅡ_b gastric mucosa epithelial cell nuclei and mitochondrion trace element gastric musosa P53 Ki-67 C-erbB2 P21ras; 分类号 R273 [医药卫生—中西医结合]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析被引量：6: 4; 作者陶剑磊方培源王家楫; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1003-1006,共4页; 文摘 ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理。通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径。; 关键词 CMOSIC 静电放电失效分析; Keywords CMOS IC ESD failure analysis; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名关于扫描隧道显微术所得图像的两种重构方法被引量：1: 5; 作者张炽昌; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第2期243-245,共3页; 文摘随着扫描隧道显微术的快速发展，由于针尖并非无限细小尖锐而导致图像畸变的情况也越来越常见。文章用计算机模拟了几何分析和形态学两种图像处理的数学方法，并定义了畸变度参数，证明这两种方法可以获得更接近原样品形态特征的图像。; 关键词 STM 图像重构几何分析形态学扫描隧道显微镜; Keywords STM image reconstruction geometry analysis morphology distortion; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究被引量：8: 6; 作者倪锦峰王家楫; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期40-44,共5页; 文摘薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究。本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行深入探讨。; 关键词 IC卡薄芯片失效机理碎裂划片顶针卡片成型; Keywords thin silicon die IC card fracture; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅中缺陷的透射电镜观察被引量：1: 7; 作者谢锋刘剑霜陈一胡刚; 机构复旦大学国家微分析中心TEM实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期28-30,66,共4页; 文摘随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视。通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析。; 关键词集成电路透射电镜硅氧沉积二次缺陷; Keywords TEM oxygen precipitate induced defect; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用原子捕获技术提高火焰原子吸收光谱法的灵敏度被引量：1: 8; 作者黄曜穆国融宗祥福; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期84-85,共2页; 文摘采用简易的石英原子捕获器,使Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Pb、Sb、Bi等易挥发元素在空气-乙炔火焰原子吸收光谱法中的灵敏度提高了3～5倍,并有较好的精密度,相对标准偏差在1％左右。方法中用此技术测定了标准物质中Pb、Cd的含量,获得了满意的结果。它较之石墨炉原子吸收光谱法具有快速、简便的特点,具有较大的实用价值。; 关键词原子捕获器易挥发元素灵敏度原子吸收法; Keywords Quartz slotted tube atom trap Volatile elements FAAS Sensitivity; 分类号 O657.31 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于非延时积分器Delta-Sigma调制的电容传感器探测电路: 9; 作者严博曾韡高峰; 机构复旦大学国家微分析中心; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1581-1585,共5页; 文摘研究一种基于非延时积分器Delta-Sigma调制的差分电容探测接口电路,该电路的Delta-Sigma调制使用非延时积分器将采样与积分同时进行,减小普通Delta-Sigma调制型电容探测电路中积分保持阶段的电荷泄露效应,仿真结果表明该结构可明显提高探测较小电容的信噪比,增加了调制器可探测电容的动态范围。; 关键词传感器接口电路电容探测 Delta-Sigma调制积分器积分漏电流; Keywords transducer interface circuit capacitance detection Delta-Sigma modulation integrator leak current; 分类号 TP214 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用	刘立建谢进王家楫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2001	14	在线阅读下载PDF 职称材料
2	PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析	唐凌瞿欣方培源杨兴王家楫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	检测胃黏膜上皮细胞微量元素、DNA、P_(53)、Ki-67、C-erbB_2、P21^(ras)研究中医脾虚证和胃癌前病变的关系	孙传菊尹光耀张武宁陈一	《辽宁中医杂志》 CAS	2019	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析	陶剑磊方培源王家楫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	关于扫描隧道显微术所得图像的两种重构方法	张炽昌	《电子显微学报》 CAS CSCD	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究	倪锦峰王家楫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	8	在线阅读下载PDF 职称材料
7	硅中缺陷的透射电镜观察	谢锋刘剑霜陈一胡刚	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	用原子捕获技术提高火焰原子吸收光谱法的灵敏度	黄曜穆国融宗祥福	《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	基于非延时积分器Delta-Sigma调制的电容传感器探测电路	严博曾韡高峰	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料