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心电图机专用IC－CMOS低噪声前置放大器的设计
被引量：
1
1
作者
李联
姜黎
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第11期87-89,共3页
ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由...
ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由于采用特殊的设计技术，使我们研制的ＣＭＯＳ运放具有较低的１／ｆ噪声，且功耗较低。经研制及投片，实例得０．０５Ｈｚ～２５０Ｈｚ等效输入噪声电压峰峰值小于２．５μＶ，±２．５Ｖ到±１０Ｖ电源电压下输入失调小于１ｍＶ，共模抑制比１１０ｄＢ以上，完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合，在±２．５Ｖ工作时亦可作为微功耗运放使用。
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关键词
CMOS
心电图机
专用集成电路
前置放大器
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职称材料
题名
心电图机专用IC－CMOS低噪声前置放大器的设计
被引量：
1
1
作者
李联
姜黎
机构
复旦大学国家专用集成电路和系统重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第11期87-89,共3页
文摘
ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由于采用特殊的设计技术，使我们研制的ＣＭＯＳ运放具有较低的１／ｆ噪声，且功耗较低。经研制及投片，实例得０．０５Ｈｚ～２５０Ｈｚ等效输入噪声电压峰峰值小于２．５μＶ，±２．５Ｖ到±１０Ｖ电源电压下输入失调小于１ｍＶ，共模抑制比１１０ｄＢ以上，完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合，在±２．５Ｖ工作时亦可作为微功耗运放使用。
关键词
CMOS
心电图机
专用集成电路
前置放大器
Keywords
CMOS,Low noise,Amplifier
分类号
TN722.71 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
心电图机专用IC－CMOS低噪声前置放大器的设计
李联
姜黎
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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