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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化
被引量：
1
1
作者
孙剑
吴嘉达
+3 位作者
钟晓霞
来冰
丁训民
李富铭
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期99-102,共4页
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。
关键词
等离子体氮化
氮化硅
硅表面处理
薄膜制备
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职称材料
题名
ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化
被引量：
1
1
作者
孙剑
吴嘉达
钟晓霞
来冰
丁训民
李富铭
机构
复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室
上海交通
大学
应用物理系上海
复旦大学
应用表面物理
国家
重点
实验室
上海
上海交通
大学
应用物理系
复旦大学
应用表面物理
国家
重点
实验室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期99-102,共4页
基金
高等学校博士点专项科研基金! ( 960 2 460 7)
国家自然科学基金! ( 69493 5 0 0 )
文摘
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。
关键词
等离子体氮化
氮化硅
硅表面处理
薄膜制备
Keywords
Electron cyclotron resonance,Plasma nitridation,Silicon nitride
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化
孙剑
吴嘉达
钟晓霞
来冰
丁训民
李富铭
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000
1
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