本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应((e,2e)反应),在DWBA理论的基础上,考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响.采用发展的DWBA方法,我们研究了出射电子能量从6.75 e V到29....本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应((e,2e)反应),在DWBA理论的基础上,考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响.采用发展的DWBA方法,我们研究了出射电子能量从6.75 e V到29.25 e V范围内电子与钙原子的碰撞电离过程,计算了电离三重微分截面.通过与已有理论和实验数据进行比较发现,离子极化势对钙原子的共面对称(e,2e)反应散射微分截面有较大的影响,很好的描述了碰撞电离微分截面的结构效应,特别是在散射角度较小时(≦60o),本文计算结果与实验测量非常一致.展开更多
采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤...采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6d B,SSE/t值则高达19531.1 d B·cm^2·g^-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.展开更多
文摘本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应((e,2e)反应),在DWBA理论的基础上,考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响.采用发展的DWBA方法,我们研究了出射电子能量从6.75 e V到29.25 e V范围内电子与钙原子的碰撞电离过程,计算了电离三重微分截面.通过与已有理论和实验数据进行比较发现,离子极化势对钙原子的共面对称(e,2e)反应散射微分截面有较大的影响,很好的描述了碰撞电离微分截面的结构效应,特别是在散射角度较小时(≦60o),本文计算结果与实验测量非常一致.
文摘采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6d B,SSE/t值则高达19531.1 d B·cm^2·g^-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.
