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纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展
被引量：
5
1
作者
高庆福
冯坚
+3 位作者
成慧梅
周仲承
王娟
张长瑞
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期39-42,共4页
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
关键词
纳米多孔
SIO2薄膜
疏水处理
接触角
低介电常数
疏水性能
超大规模集成电路
超低介电常数
ULSI
表征方法
在线阅读
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职称材料
题名
纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展
被引量：
5
1
作者
高庆福
冯坚
成慧梅
周仲承
王娟
张长瑞
机构
国防科技大学
航天与材料
工程
学院
cfc
国防科技
重点
实验室
国防科技大学机电工程与自动化学院cfc 国防科技重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期39-42,共4页
基金
"十五"武器装备预研(41312040307)资助项目
文摘
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
关键词
纳米多孔
SIO2薄膜
疏水处理
接触角
低介电常数
疏水性能
超大规模集成电路
超低介电常数
ULSI
表征方法
Keywords
nanoporous silica films, hydrophobic, contact angle,low dielectric constant
分类号
TQ2 [化学工程—有机化工]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展
高庆福
冯坚
成慧梅
周仲承
王娟
张长瑞
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
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