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新型基片材料——C/SiC复合材料 被引量:1
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作者 杨会永 刘荣军 +1 位作者 周新贵 曹英斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前... 阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。 展开更多
关键词 基片材料 C/SIC复合材料 电子封装
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一种具有稳定富碳表层的SiC纤维的制备与性能 被引量:8
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作者 王得印 毛仙鹤 +1 位作者 宋永才 王应德 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1209-1213,共5页
采用不饱和烃不熔化处理后的聚碳硅烷(PCS)纤维经高温烧成可制得一种新型的SiC纤维,纤维的抗张强度达2.5~2.8GPa,氧含量4wt%~6wt%,电阻率仅为0.5Ω.cm左右,大大低于采用传统空气不熔化方法得到的SiC纤维.研究表明:该纤维表面存在厚度... 采用不饱和烃不熔化处理后的聚碳硅烷(PCS)纤维经高温烧成可制得一种新型的SiC纤维,纤维的抗张强度达2.5~2.8GPa,氧含量4wt%~6wt%,电阻率仅为0.5Ω.cm左右,大大低于采用传统空气不熔化方法得到的SiC纤维.研究表明:该纤维表面存在厚度约50nm的富碳层,并且在Ar气中进行高温热处理后,表面富碳层结构无明显变化.与日本通用级SiC纤维NicalonNL202相比,纤维的耐热性提高200~300℃.纤维具有低电阻率稳定性,从室温到1600℃,其电阻率始终保持在0.4~0.8Ω.cm. 展开更多
关键词 SIC纤维 富碳 电阻率
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组成和结构对连续SiC纤维电阻率的影响 被引量:6
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作者 王得印 宋永才 简科 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期162-168,共7页
通过烧成制备了电阻率量级大小不同的三种连续SiC纤维,对纤维的元素组成、结晶性能和表面结构进行了分析.结果表明:通过调整不熔化及烧成工艺参数可以获得电阻率量级不同的连续SiC纤维.当纤维表层具有一定厚度的高富碳层结构时,纤维的... 通过烧成制备了电阻率量级大小不同的三种连续SiC纤维,对纤维的元素组成、结晶性能和表面结构进行了分析.结果表明:通过调整不熔化及烧成工艺参数可以获得电阻率量级不同的连续SiC纤维.当纤维表层具有一定厚度的高富碳层结构时,纤维的电阻率受整体自由碳含量与结晶性能的影响不再显著,此时,纤维将具有较低的电阻率.富碳层的产生与不熔化纤维烧成时分解产生的烃类小分子的重新裂解沉积有关.通过低温氧化除去纤维表面的富碳层可以使纤维电阻率增大.表面结构对连续SiC纤维的电阻率大小有重要影响. 展开更多
关键词 聚碳硅烷 SIC纤维 富碳 电阻率
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