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超高温陶瓷基复合材料制备工艺研究进展 被引量:17
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作者 严春雷 刘荣军 +2 位作者 曹英斌 张长瑞 张德坷 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期7-11,共5页
对超高温陶瓷作了简要介绍,综述了先驱体浸渍裂解(PIP)、反应熔体浸渗(RMI)、化学气相渗透(CVI)、泥浆法(SI)等工艺的最新研究进展。
关键词 超高温陶瓷 复合材料 制备工艺
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两种碳纤维增强C_f/BN-Si_3N_4复合材料性能对比 被引量:2
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作者 李斌 张长瑞 +2 位作者 曹峰 王思青 曹英斌 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期35-39,共5页
采用XRD,XPS和SEM对T300和T700两种碳纤维的物相结构、表面成分以及表面形貌进行了分析。分别以两种碳纤维编织件为增强体,采用先驱体浸渍-裂解(PIP)工艺制备了Cf/BN-Si3N4复合材料,并对其力学性能和微观结构进行分析。结果表明,两种碳... 采用XRD,XPS和SEM对T300和T700两种碳纤维的物相结构、表面成分以及表面形貌进行了分析。分别以两种碳纤维编织件为增强体,采用先驱体浸渍-裂解(PIP)工艺制备了Cf/BN-Si3N4复合材料,并对其力学性能和微观结构进行分析。结果表明,两种碳纤维的石墨化程度、表面活性均相近,表面形貌差别很大。两种纤维增强的复合材料密度相当,但力学性能以及断裂行为有明显区别。与T300碳纤维增强的复合材料相比,T700增强的复合材料弯曲强度更高,弹性模量略低,具有更好的韧性。碳纤维表面状态的差异是纤维与基体的结合强弱以及复合材料力学性能不同的主要原因。 展开更多
关键词 碳纤维 先驱体浸渍-裂解 复合材料 界面 韧性
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尿素法制备氮化物陶瓷材料的研究进展 被引量:6
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作者 李端 张长瑞 +2 位作者 李斌 曹峰 王思青 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1-5,共5页
综述了近年来尿素法制备氮化物陶瓷粉体、涂层、纳米管和陶瓷基复合材料等的研究进展,并对其发展趋势作了展望。
关键词 氮化物 尿素法 涂层 纳米管 陶瓷基复合材料 纳米材料
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氮化硅高温透波材料的研究现状和展望 被引量:13
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作者 李端 张长瑞 +2 位作者 李斌 曹峰 王思青 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期4-9,共6页
从氮化硅的晶体结构出发,介绍了氮化硅陶瓷优良的性能,综述了近年来氮化硅透波纤维和氮化硅基透波复合材料的研究进展,并对现有氮化硅高温透波材料体系存在的问题及其未来的发展趋势作了展望。
关键词 氮化硅 透波 纤维 复合材料 天线罩 先驱体浸渍裂解 力学性能 介电性能
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纳米二氧化钛增强硬质聚氨酯泡沫塑料的制备 被引量:21
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作者 高四 王军 +3 位作者 王亦菲 汪萍 王建华 刘永华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期3-5,9,共4页
采用功率超声,将纳米二氧化钛颗粒分散到多次甲基多苯基多异氰酸酯(PAPI)体系内,然后与聚醚多元醇聚合制得了纳米二氧化钛增强的硬质聚氨酯泡沫塑料。SEM分析表明纳米二氧化钛均匀分散在聚氨酯泡沫塑料中。在较低添加量时纳米二氧化钛... 采用功率超声,将纳米二氧化钛颗粒分散到多次甲基多苯基多异氰酸酯(PAPI)体系内,然后与聚醚多元醇聚合制得了纳米二氧化钛增强的硬质聚氨酯泡沫塑料。SEM分析表明纳米二氧化钛均匀分散在聚氨酯泡沫塑料中。在较低添加量时纳米二氧化钛对压缩强度和冲击强度有一定提高,但会引起PAPI粘度迅速增加,从而导致发泡反应困难,当添加量为10%(质量分数)时压缩强度和冲击强度开始下降。 展开更多
关键词 聚氨酯泡沫塑料 纳米二氧化钛 力学性能
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三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰 被引量:18
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作者 王娟 张长瑞 冯坚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1399-1403,共5页
以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚... 以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下. 展开更多
关键词 纳米多孔SiO2薄膜 溶胶-凝胶 三甲基氯硅烷 低介电常数(low κ)
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全碳素坯密度对反应烧结SiC的影响 被引量:7
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作者 周浩 张长瑞 +1 位作者 魏巍 王瑶 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2005年第6期57-60,共4页
以石墨粉体为原料,酚醛树脂为粘接剂,采用模压成型工艺制备了全碳质素坯,反应烧结后得到S iC材料。研究了成型压力和酚醛树脂含量与素坯密度的关系,探讨了素坯密度对S iC材料的组成、结构和性能的影响。
关键词 碳化硅 反应烧结 模压 强度
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CVD制备3C-SiC及其应用于MEMS的研究进展 被引量:2
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作者 严春雷 刘荣军 +2 位作者 曹英斌 张长瑞 张德坷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期13-16,29,共5页
高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料... 高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料。综述了关于立方相碳化硅(3C-SiC)薄膜的化学气相沉积(CVD)制备方法,介绍了其力学、电学性能的最新研究进展,最后举例说明了3C-SiC薄膜在MEMS器件中应用的研究现状。 展开更多
关键词 立方相碳化硅薄膜 化学气相沉积 力学性能 电学性能 MEMS器件
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