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激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
被引量:
2
1
作者
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第z1期169-172,共4页
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后...
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.
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关键词
pn结退化
损伤
PV型Hg1-xCdxTe探测器
并联电阻模型
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职称材料
题名
激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
被引量:
2
1
作者
王飞
程湘爱
机构
国防科学技术大学光电学院定向能技术研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第z1期169-172,共4页
文摘
研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.
关键词
pn结退化
损伤
PV型Hg1-xCdxTe探测器
并联电阻模型
Keywords
Degradation ofp-n junction
Damage
PV-type Hg_(1-x)Cd_xTe detector
Parallel-resistance model
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006
2
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