目的通过化学镀铜技术,在聚酰亚胺基板表面沉积电导率高且致密均匀的薄铜层。方法采用以硫酸铜为铜源的甲醛溶液体系,在预处理后的聚酰亚胺薄膜表面沉积铜层。通过原子力显微镜和接触角测试仪对预处理前后的聚酰亚胺基板表面粗糙度进行...目的通过化学镀铜技术,在聚酰亚胺基板表面沉积电导率高且致密均匀的薄铜层。方法采用以硫酸铜为铜源的甲醛溶液体系,在预处理后的聚酰亚胺薄膜表面沉积铜层。通过原子力显微镜和接触角测试仪对预处理前后的聚酰亚胺基板表面粗糙度进行分析,通过扫描电子显微镜对铜层表面微观形貌进行观察,通过四探针测试仪和法兰同轴测试仪分别测试所制备铜层的方阻及屏蔽效能。结果聚酰亚胺基板与水的接触角由预处理前的38°减小至预处理后的27°,化学镀铜层微观形貌致密、均匀。方阻随镀层厚度增加而减小,具有优异的导电性。屏蔽效能测试表明,在100 k Hz^12 GHz时,镀铜聚酰亚胺基板最高屏蔽效能达到55 d B。结论通过简单基板预处理与控制镀铜时间,可以在聚酰亚胺基板上沉积综合性能优良的薄铜层,且屏蔽效能可达商用标准。展开更多
文摘目的通过化学镀铜技术,在聚酰亚胺基板表面沉积电导率高且致密均匀的薄铜层。方法采用以硫酸铜为铜源的甲醛溶液体系,在预处理后的聚酰亚胺薄膜表面沉积铜层。通过原子力显微镜和接触角测试仪对预处理前后的聚酰亚胺基板表面粗糙度进行分析,通过扫描电子显微镜对铜层表面微观形貌进行观察,通过四探针测试仪和法兰同轴测试仪分别测试所制备铜层的方阻及屏蔽效能。结果聚酰亚胺基板与水的接触角由预处理前的38°减小至预处理后的27°,化学镀铜层微观形貌致密、均匀。方阻随镀层厚度增加而减小,具有优异的导电性。屏蔽效能测试表明,在100 k Hz^12 GHz时,镀铜聚酰亚胺基板最高屏蔽效能达到55 d B。结论通过简单基板预处理与控制镀铜时间,可以在聚酰亚胺基板上沉积综合性能优良的薄铜层,且屏蔽效能可达商用标准。