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功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
被引量：
2
1
作者
魏峰
吴郁
+6 位作者
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期629-634,共6页
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以...
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
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关键词
静电放电(ESD)
快恢复二极管(FRD)
人体模型(HBM)
雪崩注入
临界场
强
背景掺杂
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职称材料
题名
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
被引量：
2
1
作者
魏峰
吴郁
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
机构
北京工业大学
电子
信息与控制工程学
院
国网智能院电工新材料及微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期629-634,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61176071)
教育部博士点基金新教师项目(2011110312001)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
文摘
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
关键词
静电放电(ESD)
快恢复二极管(FRD)
人体模型(HBM)
雪崩注入
临界场
强
背景掺杂
Keywords
electrostatic discharge （ESD）
fast recovery diode （FRD）
human body model （HBM）
avalanche injection
critical electricfield
background doping
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN31 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
魏峰
吴郁
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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