智能电网用新材料技术发展现状 被引量：5

1

作者 韩钰 陈新 《智能电网》 2014年第4期8-11,共4页

任何一种高新技术的突破都必须以该领域的新材料技术突破为前提,因此新材料在智能电网中将起到无可代替的基础和支撑作用。分析在智能电网领域重点应用的新型节能材料、新型电工绝缘材料、新型智能材料及新型能源材料的性能特点,详细阐... 任何一种高新技术的突破都必须以该领域的新材料技术突破为前提,因此新材料在智能电网中将起到无可代替的基础和支撑作用。分析在智能电网领域重点应用的新型节能材料、新型电工绝缘材料、新型智能材料及新型能源材料的性能特点,详细阐述了这四类材料的国内外技术发展现状,最后就智能电网用新材料技术发展进行展望并给出建议。 展开更多

关键词 智能电网 新材料 发展现状

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基于热电效应的新型制冷器件研究 被引量：6

2

作者 祝薇 陈新 +4 位作者 祝志祥 朱承治 韩钰 马光 邓元 《智能电网》 2015年第9期823-828,共6页

介绍了热电制冷的基本原理,基于热电材料的帕尔贴效应,电流通过驱动热电材料中的载流子运动并携带热量实现制冷,具有无噪声、无污染、制冷迅速、操作简单、可靠性强、易于实现高精度温控等优点。随着大功率电子器件微小化集成化发展以... 介绍了热电制冷的基本原理,基于热电材料的帕尔贴效应,电流通过驱动热电材料中的载流子运动并携带热量实现制冷,具有无噪声、无污染、制冷迅速、操作简单、可靠性强、易于实现高精度温控等优点。随着大功率电子器件微小化集成化发展以及红外探测灵敏性要求的提高,对热电制冷在体积上和性能上又提出了新的要求。热电制冷器的微型化成为近年来的研究热点,概括了热电制冷在电力电子、军事、空间探测、商业和科研等技术领域的应用,其支撑了电力器件、电子元件以及精密仪器、仪表等的精确温控,并归纳出热电制冷的关键技术问题和今后的发展方向。 展开更多

关键词 热电制冷 微型化 应用 热电效应

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取向硅钢细化磁畴技术的研究现状及展望 被引量：10

3

作者 杨富尧 古凌云 +3 位作者 何承绪 程灵 马光 陈新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期36-40,共5页

细化磁畴技术可有效降低变压器用取向硅钢的铁损。综述了国内外取向硅钢细化磁畴技术的原理及研究现状,评价了目前机械加工法、等离子喷射法、放电处理法、超声波法以及激光刻痕法等细化磁畴技术存在的技术优缺点,并对未来细化磁畴技术... 细化磁畴技术可有效降低变压器用取向硅钢的铁损。综述了国内外取向硅钢细化磁畴技术的原理及研究现状,评价了目前机械加工法、等离子喷射法、放电处理法、超声波法以及激光刻痕法等细化磁畴技术存在的技术优缺点,并对未来细化磁畴技术的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 取向硅钢 细化磁畴 激光刻痕 铁损

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内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究

4

作者 张惠惠 胡冬青 +3 位作者 周新田 周东海 穆辛 查祎英 《智能电网》 2013年第2期27-30,共4页

针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命... 针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。 展开更多

关键词 内透明集电极绝缘栅双极型晶体管 开关特性 短路特性 仿真研究

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IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用 被引量：25

5

作者 金锐 于坤山 +3 位作者 张朋 刘先正 何维国 刘隽 《智能电网》 2013年第2期11-16,共6页

以绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)为代表的可关断半导体功率器件的成熟应用,推动了电力电子技术的又一次革新。首先介绍IGBT在智能电网中应用的重要性,对20多年来IGBT器件在芯片和封装等技术在国内外的发... 以绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)为代表的可关断半导体功率器件的成熟应用,推动了电力电子技术的又一次革新。首先介绍IGBT在智能电网中应用的重要性,对20多年来IGBT器件在芯片和封装等技术在国内外的发展水平进行回顾。重点分析IGBT的选型特点和在电网中的典型应用,最后分析在这些应用中使用IGBT器件所带来的深远影响。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体 电力电子

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无源传感器的研究与应用进展 被引量：7

6

作者 祝志祥 陈新 +4 位作者 马光 陈保安 韩钰 邓元 史永明 《智能电网》 2015年第3期191-195,共5页

无源传感器件将传感信号和供电电源合二为一,实现了传感器的自主能源供给,解决了传感器系统的供电难题。主要阐述了声表面波型和基于能源材料的无源传感器的基本原理、种类、性能特点及其在电网中应用的发展现状,并通过对声表面波型、... 无源传感器件将传感信号和供电电源合二为一,实现了传感器的自主能源供给,解决了传感器系统的供电难题。主要阐述了声表面波型和基于能源材料的无源传感器的基本原理、种类、性能特点及其在电网中应用的发展现状,并通过对声表面波型、压电型、热电型等国内外典型无源传感器性能参数的综合分析比较,提出我国今后高性能无源传感器的主要研究方向及其在未来智能电网建设中的应用前景。 展开更多

关键词 传感器 电源 自供电 智能电网

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爱泼斯坦方圈法及其在直流偏磁性能测量方面的应用研究现状及展望 被引量：3

7

作者 高洁 杨富尧 +3 位作者 马光 程灵 陈新 孔晓峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期121-124,149,共5页

阐述了基于传统爱泼斯坦(Epstein)方圈法的电工钢片磁性能测量技术的新进展,主要涉及排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性影响的双Epstein方圈法,以及考虑了方圈不同部位总比损耗不同的磁路长度加权处理法。通过分析以Eps... 阐述了基于传统爱泼斯坦(Epstein)方圈法的电工钢片磁性能测量技术的新进展,主要涉及排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性影响的双Epstein方圈法,以及考虑了方圈不同部位总比损耗不同的磁路长度加权处理法。通过分析以Epstein方圈法为基础的直流偏磁工况磁测量技术发展现状和存在的问题,对方圈法在直流偏磁性能测量技术方面的应用及发展进行了展望。 展开更多

关键词 磁特性测量 电工钢片 直流偏磁 爱泼斯坦方圈

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磁场热处理对非晶/纳米晶软磁材料性能的影响 被引量：6

8

作者 周健 孟利 +3 位作者 王天宁 马光 杨富尧 朱承治 《智能电网》 2015年第6期500-506,共7页

磁场热处理能够明显改变非晶/纳米晶软磁材料的磁性能。分别从矫顽力、磁导率、饱和磁致伸缩系数及铁损等方面总结纵向磁场处理、横向磁场处理和旋转磁场处理对非晶纳米晶材料软磁性能的影响。通过对比分析,为非晶纳米晶软磁材料选择合... 磁场热处理能够明显改变非晶/纳米晶软磁材料的磁性能。分别从矫顽力、磁导率、饱和磁致伸缩系数及铁损等方面总结纵向磁场处理、横向磁场处理和旋转磁场处理对非晶纳米晶材料软磁性能的影响。通过对比分析,为非晶纳米晶软磁材料选择合适的处理工艺提供参考依据。横磁处理可降低铁损,作为制备高效非晶纳米晶变压器铁心处理工艺,有望促进全球能源互联网建设,推动经济和社会可持续发展。 展开更多

关键词 纵磁处理 横磁处理 旋转磁场处理 非晶纳米晶软磁材料 软磁性能

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4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀 被引量：4

9

作者 王进泽 杨香 +7 位作者 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期59-63,共5页

传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB... 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率

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600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真 被引量：1

10

作者 苏洪源 胡冬青 +4 位作者 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期908-916,共9页

载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC... 载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,研究了600 V槽栅CSL-p BL-ITC-IGBT电特性。为了保证器件承受住不小于10μs的短路时间,设置了哑元胞。在此基础上,仿真分析了CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM)ITC-IGBT的主要技术指标进行对比,给出CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度的最佳范围。结果表明,合理的参数设计可使CSL-p BL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线。 展开更多

关键词 p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅

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5种接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀行为 被引量：6

11

作者 卢云深 祝志祥 +1 位作者 韩钰 赵蕊 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期67-69,9,共3页

为了研究常用接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀规律,利用极化曲线研究了1Cr18Ni9Ti不锈钢、纯铜、电镀铜覆钢、连铸铜覆钢、镀锌钢在北京及天津碱性黄土中的腐蚀行为,并利用失重法考察了上述材料现场埋置1 a的腐蚀情况。结果表明:在... 为了研究常用接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀规律,利用极化曲线研究了1Cr18Ni9Ti不锈钢、纯铜、电镀铜覆钢、连铸铜覆钢、镀锌钢在北京及天津碱性黄土中的腐蚀行为,并利用失重法考察了上述材料现场埋置1 a的腐蚀情况。结果表明:在碱性黄土中纯铜和铜覆钢腐蚀速度相当,低于镀锌钢,且不锈钢在碱性黄土中腐蚀过程存在钝化区间,腐蚀程度远低于纯铜和铜覆钢;利用极化曲线法计算出的腐蚀速度比现场埋置1 a的实测数据明显偏高。 展开更多

关键词 土壤腐蚀 碱性黄土 不锈钢 纯铜 铜覆钢 镀锌钢 腐蚀速度

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一种新型低阳极发射效率快恢复二极管 被引量：2

12

作者 何延强 刘钺杨 +2 位作者 吴迪 金锐 温家良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期911-915,共5页

采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂... 采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂p^-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在V_F基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优。 展开更多

关键词 快恢复二极管(FRD) 低阳极发射效率 导通压降 反向恢复电荷 反向恢复电流峰值

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IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析 被引量：4

13

作者 周新田 吴郁 +5 位作者 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期114-118,141,共6页

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改... 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。 展开更多

关键词 载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象

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均匀化退火后冷却条件对Al-Cu合金组织性能影响 被引量：2

14

作者 刘蛟蛟 韩钰 +3 位作者 祝志祥 陈保安 张宏宇 李红英 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期52-58,共7页

为优化铝合金均匀化退火后的冷却工艺参数,采用动态电阻法、扫描电镜、透射电镜观察、能谱分析和硬度测试等方法,研究了均匀化处理后的冷却条件对Al-4%Cu合金组织性能的影响.获得的电阻率-温度曲线与材料的脱溶行为有良好的相关性.随着... 为优化铝合金均匀化退火后的冷却工艺参数,采用动态电阻法、扫描电镜、透射电镜观察、能谱分析和硬度测试等方法,研究了均匀化处理后的冷却条件对Al-4%Cu合金组织性能的影响.获得的电阻率-温度曲线与材料的脱溶行为有良好的相关性.随着均匀化处理后冷却速率的降低,实验合金在冷却过程中会依次析出平衡相θ、亚稳相θ＇和θ″.绘制了实验合金的CCT图,确定的脱溶敏感温度区间为500~300℃.选用合适的冷却工艺可以改善合金的组织性能,冷却时间超过1 000 min,合金有较低的硬度和电阻率.当实验合金均匀化后冷却至室温的时间处于19.4~184.1 min时会析出θ″相,导致硬度和电阻率上升,不利于后续的塑性加工,应该尽量避免. 展开更多

关键词 AL-CU合金 冷却条件 电阻率 硬度 微观组织

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基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模与仿真 被引量：17

15

作者 徐国林 朱夏飞 +2 位作者 刘先正 温家良 赵志斌 《智能电网》 2015年第6期507-511,共5页

以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconduct... 以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)更成为关注的焦点,因此,建立精确的MOSFET器件模型非常关键。调研大量Si MOSFET、SiC MOSFET器件模型,根据CREE公司提供的C2M0080120D库文件,提出一种新型SiC MOSFET器件等效电路模型。在电路仿真软件PSpice中详细介绍SiC MOSFET等效电路模型建模的过程,并将仿真结果和厂家提供的Datasheet参数进行对比。模型仿真结果与数据手册都可以很好匹配,从而验证了模型的准确性。 展开更多

关键词 等效电路模型 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(metal OXIDE SEMICONDUCTOR

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电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真

16

作者 李哲 胡冬青 +4 位作者 金锐 贾云鹏 谭健 周璇 赵豹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期107-113,158,共8页

针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性... 针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性等进行了仿真研究,重点研究了电荷耦合区掺杂浓度和局域载流子寿命控制区(LCLC)载流子寿命对器件性能的影响,并和普通的槽栅内透明集电极IGBT进行了对比。结果表明,在给定的参数范围内,新结构在快速关断区域折中特性曲线更好,在低导通压降区域,优势变得不太明显,因而电荷耦合内透明集电极IGBT更适合做快速关断型。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 电荷耦合 内透明集电极 导通压降 折中特性

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电力变压器用高磁感取向硅钢的发展及应用 被引量：23

17

作者 程灵 杨富尧 +3 位作者 马光 陈新 张文康 程志光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期115-118,共4页

阐述了国内外高磁感取向硅钢的生产研究水平与发展趋势,包括通过提高高斯晶粒取向度、细化磁畴、涂覆张力涂层、减薄钢片厚度进一步降低铁损以及低温加热技术和短流程技术新工艺。分析高磁感取向硅钢在我国大型电力变压器上的应用情况,... 阐述了国内外高磁感取向硅钢的生产研究水平与发展趋势,包括通过提高高斯晶粒取向度、细化磁畴、涂覆张力涂层、减薄钢片厚度进一步降低铁损以及低温加热技术和短流程技术新工艺。分析高磁感取向硅钢在我国大型电力变压器上的应用情况,结果表明,发展更薄规格高磁感、低铁损、低磁致伸缩取向硅钢可为大型变压器的安全性、节能性及环保性提供有效保障。 展开更多

关键词 电力变压器 取向硅钢 铁损 磁感

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缓变场终止型IGBT特性的仿真 被引量：2

18

作者 匡勇 贾云鹏 +4 位作者 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期29-33,43,共6页

为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值... 为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值掺杂浓度为3.5×10^15cm^-3的缓变场终止层。采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IGBT和非穿通型IGBT（NPT-IGBT）在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真。结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗。最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术。 展开更多

关键词 缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降 关断损耗 场终止结构

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150V电荷耦合功率MOSFET的仿真 被引量：1

19

作者 李蕊 胡冬青 +4 位作者 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期902-907,共6页

电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研... 电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研究，结果表明：N1区和N2区浓度分别约为2．2×10^16cm^-3和4．5×10^15cm。时，电场分布更加均匀、耐压更高，且比导通电阻仅为1．306mQ·cm^2，即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配。同时，还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究，结果表明：槽深在7～9μm时，器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为平稳。最后，优化结构与传统槽栅MOSFET相比，其栅漏电容和栅电荷大幅降低，器件优值降低了约87％。 展开更多

关键词 金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂 电荷耦合 场板 低栅漏电容

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电动汽车用大功率IGBT模块封装技术 被引量：3

20

作者 张朋 韩荣刚 +3 位作者 金锐 于坤山 何维国 刘隽 《智能电网》 2014年第1期48-51,共4页

绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)模块是电动汽车的核心部件,针对电动汽车应用环境特点,设计一款大功率IGBT模块封装方案,从功率芯片、直接覆铜(direct bonded copper,DBC)基板、功率电极、控制电极及环氧... 绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)模块是电动汽车的核心部件,针对电动汽车应用环境特点,设计一款大功率IGBT模块封装方案,从功率芯片、直接覆铜(direct bonded copper,DBC)基板、功率电极、控制电极及环氧树脂层等多个方面介绍该方案的特点。实验测试结果证明,该封装设计方案样品特性良好,满足了电动汽车应用的要求。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 封装 环氧树脂 并联

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