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1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究
被引量：
1
1
作者
高明超
刘隽
+4 位作者
赵哿
刘江
金锐
于坤山
包海龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期81-85,共5页
基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性...
基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示，调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压，调整P阱及背面P^＋集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证，结果显示击穿电压在2100V以上，饱和压降在2．5～2．7V之间，阈值电压在3．9～5．9V之间，实测值和仿真值相差不大，在误差接受范围之内。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
元胞
击穿电压
阈值电压
饱和压降
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职称材料
带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
2
作者
王柳敏
金锐
+2 位作者
徐晓轶
谢刚
盛况
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期280-285,共6页
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,...
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,可以增强通态条件下器件的电导调制效应,降低器件的通态压降。利用三维仿真软件Crosslight-APSYS仿真研究了p型柱体的高度、宽度和长度对逆阻现象以及对器件通态压降和关断速度的影响。结果表明,当p型柱体的高度为1μm,宽度为12μm,长度为20μm时,器件的逆阻现象完全消失。通态压降为1.61 V,关断时间为110.3 ns,而传统结构LIGBT的通态压降为1.56 V,关断时间为2.33μs。
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关键词
三维
横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)
阳极短路
p型柱体
逆阻效应
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职称材料
IGBT多级场板终端结构的仿真和验证
被引量：
2
3
作者
高明超
刘钺杨
+3 位作者
刘江
赵哿
金锐
于坤山
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期76-79,101,共5页
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层Si...
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1 200V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300V以上。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
终端
多级场板
击穿场强
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职称材料
题名
1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究
被引量：
1
1
作者
高明超
刘隽
赵哿
刘江
金锐
于坤山
包海龙
机构
国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所
国网
上海市电力公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期81-85,共5页
基金
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-91-12-001
SGRI-WD-71-13-006
+2 种基金
SGRI-WD-71-13-007)
院2012年储备库项目(SGRI-WD-81-12-003
SGRI-WD-81-12-002)
文摘
基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示，调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压，调整P阱及背面P^＋集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证，结果显示击穿电压在2100V以上，饱和压降在2．5～2．7V之间，阈值电压在3．9～5．9V之间，实测值和仿真值相差不大，在误差接受范围之内。
关键词
绝缘栅双极晶体管
元胞
击穿电压
阈值电压
饱和压降
Keywords
IGBT
cell
breakdown voltage
threshold voltage
saturation voltage
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
2
作者
王柳敏
金锐
徐晓轶
谢刚
盛况
机构
浙江大学电气工程学院
国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所
国家
电网
公司南通供电公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期280-285,共6页
基金
国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005)
文摘
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,可以增强通态条件下器件的电导调制效应,降低器件的通态压降。利用三维仿真软件Crosslight-APSYS仿真研究了p型柱体的高度、宽度和长度对逆阻现象以及对器件通态压降和关断速度的影响。结果表明,当p型柱体的高度为1μm,宽度为12μm,长度为20μm时,器件的逆阻现象完全消失。通态压降为1.61 V,关断时间为110.3 ns,而传统结构LIGBT的通态压降为1.56 V,关断时间为2.33μs。
关键词
三维
横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)
阳极短路
p型柱体
逆阻效应
Keywords
three-dimensional
lateral insulated gate bipolar transistor（LIGBT）
anode short circuit
p-pillar
snap-back
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
IGBT多级场板终端结构的仿真和验证
被引量：
2
3
作者
高明超
刘钺杨
刘江
赵哿
金锐
于坤山
机构
国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期76-79,101,共5页
基金
北京市科委资助项目<电动汽车用IGBT>(Z111104056011004)
国家电网公司科技项目<绝缘栅双极型晶体管(IGBT)元器件研制>(SGRI-WD-91-12-001)
+1 种基金
国网智能电网研究院2012年储备库项目<电动汽车用IGBT研制>(SGRI-WD-81-12-003)
国网智能电网研究院2012年储备库项目<1200V/300A绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块样品研制>(SGRI-WD-81-12-002)
文摘
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1 200V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300V以上。
关键词
绝缘栅双极晶体管
终端
多级场板
击穿场强
Keywords
IGBT
termination
multistep field plates
electric field strength
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究
高明超
刘隽
赵哿
刘江
金锐
于坤山
包海龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
王柳敏
金锐
徐晓轶
谢刚
盛况
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
IGBT多级场板终端结构的仿真和验证
高明超
刘钺杨
刘江
赵哿
金锐
于坤山
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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