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我国半导体工业的产品代谢研究
被引量：
5
1
作者
段宁
谢海燕
秦福
《环境科学研究》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
利用产品代谢分析方法首次对我国半导体工业的整体硅元素和能源利用率进行了定量研究.根据我国半导体工业的产品代谢模型计算得出2002年我国半导体工业的硅元素利用率为2.6%,每生产1 kg硅总能耗为5 704 kW.h,而1998年全球半导体工业硅...
利用产品代谢分析方法首次对我国半导体工业的整体硅元素和能源利用率进行了定量研究.根据我国半导体工业的产品代谢模型计算得出2002年我国半导体工业的硅元素利用率为2.6%,每生产1 kg硅总能耗为5 704 kW.h,而1998年全球半导体工业硅元素平均利用率为9.6%,生产1kg硅总能耗为2 130 kW.h.进一步在产品链和关键环节分析基础上,确定了我国在硅元素利用率和能源利用率上与世界平均水平差距最大的环节.通过成因分析,提出了改善措施和途径.
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关键词
产品代谢
半导体硅
元素效率
能源效率
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职称材料
区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算
被引量：
1
2
作者
曲翔
陈海滨
+3 位作者
方锋
汪丽都
周旗钢
闫志瑞
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期456-460,共5页
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件...
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式。通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20%降低到10%,从而降低生产成本。
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关键词
气相掺杂
区熔硅单晶
电阻率
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职称材料
题名
我国半导体工业的产品代谢研究
被引量：
5
1
作者
段宁
谢海燕
秦福
机构
中国环境科学研究院生态工业重点实验室
国泰半导体材料有限公司
出处
《环境科学研究》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
基金
国家"十五"科技攻关计划项目(2003BA614A-02)
文摘
利用产品代谢分析方法首次对我国半导体工业的整体硅元素和能源利用率进行了定量研究.根据我国半导体工业的产品代谢模型计算得出2002年我国半导体工业的硅元素利用率为2.6%,每生产1 kg硅总能耗为5 704 kW.h,而1998年全球半导体工业硅元素平均利用率为9.6%,生产1kg硅总能耗为2 130 kW.h.进一步在产品链和关键环节分析基础上,确定了我国在硅元素利用率和能源利用率上与世界平均水平差距最大的环节.通过成因分析,提出了改善措施和途径.
关键词
产品代谢
半导体硅
元素效率
能源效率
Keywords
product metabolism
semiconductor silicon
element efficiency
energy efficiency
分类号
X196 [环境科学与工程—环境科学]
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职称材料
题名
区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算
被引量：
1
2
作者
曲翔
陈海滨
方锋
汪丽都
周旗钢
闫志瑞
机构
北京有色金属研究总院
有研
半导体
材料
股份
有限公司
国泰半导体材料有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期456-460,共5页
基金
硅材料设备应用工程(41091)
文摘
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式。通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20%降低到10%,从而降低生产成本。
关键词
气相掺杂
区熔硅单晶
电阻率
Keywords
Electric conductivity
Silicon
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
我国半导体工业的产品代谢研究
段宁
谢海燕
秦福
《环境科学研究》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
2
区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算
曲翔
陈海滨
方锋
汪丽都
周旗钢
闫志瑞
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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