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GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件被引量：2: 1; 作者吴荣汉高文智 +5 位作者赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期388-392,共5页; 采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制... 展开更多; 关键词多量子阱光调制器 SEED 砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料: 2; 作者崔敬忠甘润今 +5 位作者陈光华张仿清杨树人刘宝林陈伯军刘式墉《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期120-121,共2页; Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ... 展开更多; 关键词异质结构结构材料量子阱量子电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化: 3; 作者王德煌王威礼 +1 位作者李桂棠段树坤《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期96-100,共5页; 本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型... 展开更多; 关键词砷化镓线偏振光吸收系数 MOVPE; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件	吴荣汉高文智赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明	《光子学报》 EI CAS CSCD	1995	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料	崔敬忠甘润今陈光华张仿清杨树人刘宝林陈伯军刘式墉	《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化	王德煌王威礼李桂棠段树坤	《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料