期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究
被引量：
1
1
作者
宿世超
赵晓霞
+2 位作者
田宏波
王伟
宗军
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期132-137,共6页
晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影...
晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B_(2)H_(6)的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75%的相对效率提升。进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@Δn=5×10^(15)cm^(-3))和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03%,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化。
展开更多
关键词
HJT太阳电池
硼掺杂非晶硅发射极
暗电导率
掺杂浓度
梯度掺杂
在线阅读
下载PDF
职称材料
a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化
被引量：
1
2
作者
赵晓霞
田宏波
+4 位作者
王伟
宗军
宫元波
杨文魁
宿世超
《可再生能源》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期313-317,共5页
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电...
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×10^(19)cm^(-3)时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集。
展开更多
关键词
硅异质结
AFORS-HET
硅衬底
发射极
TCO薄膜
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究
被引量：
1
1
作者
宿世超
赵晓霞
田宏波
王伟
宗军
机构
国家电投集团新能源科技有限公司
国家
电
投
集团
科学技术研究院
有限公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期132-137,共6页
基金
北京市科技计划课题(Z201100004520003)。
文摘
晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B_(2)H_(6)的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75%的相对效率提升。进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@Δn=5×10^(15)cm^(-3))和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03%,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化。
关键词
HJT太阳电池
硼掺杂非晶硅发射极
暗电导率
掺杂浓度
梯度掺杂
Keywords
HJT solar cell
boron-doped amorphous silicon emitter
dark conductivity
doping concentration
gradient doping
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化
被引量：
1
2
作者
赵晓霞
田宏波
王伟
宗军
宫元波
杨文魁
宿世超
机构
国家
电
投
集团
科学技术研究院
有限公司
国家电投集团新能源科技有限公司
出处
《可再生能源》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期313-317,共5页
基金
北京市科技计划课题(Z201100004520003)。
文摘
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×10^(19)cm^(-3)时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集。
关键词
硅异质结
AFORS-HET
硅衬底
发射极
TCO薄膜
Keywords
silicon heterojunction
AFORS-HET
silicon substrate
emitter
TCO thin film
分类号
TK519 [动力工程及工程热物理—热能工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究
宿世超
赵晓霞
田宏波
王伟
宗军
《人工晶体学报》
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化
赵晓霞
田宏波
王伟
宗军
宫元波
杨文魁
宿世超
《可再生能源》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
