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硅纳米线阵列太阳电池的性能分析
被引量：
5
1
作者
方慧
彭奎庆
+3 位作者
吴茵
宋爽
许颖
朱静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期27-32,共6页
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列...
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%。倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池。
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关键词
硅纳米线阵列
太阳电池
双二极管模型
少数载流子寿命
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职称材料
题名
硅纳米线阵列太阳电池的性能分析
被引量：
5
1
作者
方慧
彭奎庆
吴茵
宋爽
许颖
朱静
机构
国家
电子显微镜
中心
(
北京
)
清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室
北京
市太阳能研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期27-32,共6页
基金
国家重点基础研究发展(973)计划项目(2002CB613505)
文摘
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%。倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池。
关键词
硅纳米线阵列
太阳电池
双二极管模型
少数载流子寿命
Keywords
silicon nanowire arrays
solar cell
two-diode model
minority carrier lifetime
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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作者
出处
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被引量
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1
硅纳米线阵列太阳电池的性能分析
方慧
彭奎庆
吴茵
宋爽
许颖
朱静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
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