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射频微机械CPW开关的研究
被引量：
2
1
作者
张正元
温志渝
+2 位作者
徐世六
张正番
黄尚廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期671-673,共3页
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 ...
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。
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关键词
射频微机械开关
CPw开关
金属膜
绝缘层
牺牲层
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职称材料
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
被引量：
1
2
作者
刘道广
郝跃
+8 位作者
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期432-434,488,共4页
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2...
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
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关键词
自对准
最高振荡频率
SiGe合金材料
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职称材料
题名
射频微机械CPW开关的研究
被引量：
2
1
作者
张正元
温志渝
徐世六
张正番
黄尚廉
机构
重庆大学光电工程学院
国家模拟集成电路重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期671-673,共3页
基金
重庆市科技攻关项目 (No 2 0 0 1 70 36)
文摘
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。
关键词
射频微机械开关
CPw开关
金属膜
绝缘层
牺牲层
Keywords
Calculations
Integrated circuit layout
Integrated circuit testing
Micromachining
Monolithic integrated circuits
Polysilicon
分类号
TN820.83 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
被引量：
1
2
作者
刘道广
郝跃
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
机构
西安电子科技大学微电子研究所
国家模拟集成电路重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期432-434,488,共4页
基金
国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401)
文摘
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
关键词
自对准
最高振荡频率
SiGe合金材料
Keywords
Alignment
Alloys
Frequencies
Oscillations
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频微机械CPW开关的研究
张正元
温志渝
徐世六
张正番
黄尚廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
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职称材料
2
基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究
刘道广
郝跃
徐世六
李开成
刘玉奎
刘嵘侃
张静
胡辉勇
李培咸
张晓菊
徐学良
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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