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管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
1
作者
黄嘉斌
赵增超
+3 位作者
李明
陈俊
邓新新
周小荣
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期334-340,共7页
报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3...
报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3)的流量、沉积功率等沉积参数,可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅(a-Si(n^(+)))薄膜,然后通过高温退火得到不同的Poly-Si(n^(+))薄膜,从而导致SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。最后在沉积温度480℃、Ar流量8 L/min、PH_(3)流量0.8 L/min、沉积功率12000 W、退火温度920℃的条件下获得最佳双面SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))/SiN_(x)钝化接触,少子寿命达到6445μs,隐含开路电压(iV_(oc))达到742.7 mV以上,单面饱和电流密度J_(0)低至4.2 fA/cm^(2)。
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关键词
硅基太阳电池
钝化
多晶硅
掺杂
等离子增强化学气相沉积
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职称材料
超薄柔性黑硅太阳电池研究
被引量：
1
2
作者
周洪彪
谢卓敏
+2 位作者
刘文峰
陆运章
姬常晓
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期2479-2483,共5页
通过PC1D模拟软件分析了硅片厚度对电池性能的影响,结果表明:随着硅片厚度减薄,硅片对光的吸收效率逐渐减弱。为了强化硅片表面的陷光能力,弥补硅衬底减薄对光吸收的损失,采用化学刻蚀法制备获得了具有纳米绒面的黑硅太阳电池。通过模...
通过PC1D模拟软件分析了硅片厚度对电池性能的影响,结果表明:随着硅片厚度减薄,硅片对光的吸收效率逐渐减弱。为了强化硅片表面的陷光能力,弥补硅衬底减薄对光吸收的损失,采用化学刻蚀法制备获得了具有纳米绒面的黑硅太阳电池。通过模拟对比厚度为80μm的黑硅电池和常规电池性能,结果表明:硅纳米长度为0.85μm的黑硅表面平均反射率从常规制绒的12.65%降低至4.06%,黑硅电池短路电流从常规的8.693 A增加至9.104 A,黑硅电池效率从常规的18.87%提高至19.74%。
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关键词
超薄
黑硅
太阳电池
反射率
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职称材料
湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层
被引量：
6
3
作者
龙腾江
徐冠群
+1 位作者
杨晓生
沈辉
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期9-12,35,共5页
硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.82...
硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。
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关键词
N型硅
富硼层
湿法化学腐蚀
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职称材料
题名
管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
1
作者
黄嘉斌
赵增超
李明
陈俊
邓新新
周小荣
机构
湖南红太阳
光
电科技有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期334-340,共7页
文摘
报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3)的流量、沉积功率等沉积参数,可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅(a-Si(n^(+)))薄膜,然后通过高温退火得到不同的Poly-Si(n^(+))薄膜,从而导致SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。最后在沉积温度480℃、Ar流量8 L/min、PH_(3)流量0.8 L/min、沉积功率12000 W、退火温度920℃的条件下获得最佳双面SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))/SiN_(x)钝化接触,少子寿命达到6445μs,隐含开路电压(iV_(oc))达到742.7 mV以上,单面饱和电流密度J_(0)低至4.2 fA/cm^(2)。
关键词
硅基太阳电池
钝化
多晶硅
掺杂
等离子增强化学气相沉积
Keywords
silicon solar cells
passivation
polycrystalline silicon
doping
plasma enhanced chemical vapor deposition
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
超薄柔性黑硅太阳电池研究
被引量：
1
2
作者
周洪彪
谢卓敏
刘文峰
陆运章
姬常晓
机构
中国电子科技集团公司第四十八
研究
所
国家光伏装备工程技术研究中心
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期2479-2483,共5页
基金
国家高技术研究发展(863)计划(2012AA050303)
文摘
通过PC1D模拟软件分析了硅片厚度对电池性能的影响,结果表明:随着硅片厚度减薄,硅片对光的吸收效率逐渐减弱。为了强化硅片表面的陷光能力,弥补硅衬底减薄对光吸收的损失,采用化学刻蚀法制备获得了具有纳米绒面的黑硅太阳电池。通过模拟对比厚度为80μm的黑硅电池和常规电池性能,结果表明:硅纳米长度为0.85μm的黑硅表面平均反射率从常规制绒的12.65%降低至4.06%,黑硅电池短路电流从常规的8.693 A增加至9.104 A,黑硅电池效率从常规的18.87%提高至19.74%。
关键词
超薄
黑硅
太阳电池
反射率
Keywords
uhrathin
black silicon
solar cell
reflectivity
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层
被引量：
6
3
作者
龙腾江
徐冠群
杨晓生
沈辉
机构
中山大学物理科学与
工程技术
学院
中国电子科技集团公司第四十八
研究
所
顺德中山大学太阳能
研究
院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期9-12,35,共5页
基金
2012年广东省科技计划粤港关键资助项目(2012A080107002)
国家自然科学基金资助项目(61176055)
文摘
硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。
关键词
N型硅
富硼层
湿法化学腐蚀
Keywords
N-type silicon
Boron-rich layer
Wet-chemical etching
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究
黄嘉斌
赵增超
李明
陈俊
邓新新
周小荣
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
超薄柔性黑硅太阳电池研究
周洪彪
谢卓敏
刘文峰
陆运章
姬常晓
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层
龙腾江
徐冠群
杨晓生
沈辉
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
6
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职称材料
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