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大功率LED器件散热技术与散热材料研究进展 被引量:13
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作者 陈海路 胡书春 +6 位作者 王男 林志坚 夏根培 刘闻凤 任凯旋 冀磊 单春丰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B06期15-20,27,共7页
随着LED(light emitting diode)器件功率的增大,造成结温升高并导致LED器件可靠性和使用寿命明显降低。因此开发高效、低成本,且可靠性高的散热技术与散热材料已成为大功率LED器件研发领域的一个重要研究方向。从LED芯片结构设计、辅助... 随着LED(light emitting diode)器件功率的增大,造成结温升高并导致LED器件可靠性和使用寿命明显降低。因此开发高效、低成本,且可靠性高的散热技术与散热材料已成为大功率LED器件研发领域的一个重要研究方向。从LED芯片结构设计、辅助散热装置及封装散热材料的设计与选用这3个方面对大功率LED器件的散热技术与散热材料研究进展进行了综述。 展开更多
关键词 大功率LED 散热技术 芯片结构 辅助散热装置 散热材料
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AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究 被引量:3
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作者 贺剑雄 武莉莉 +5 位作者 郑家贵 夏庚培 冯良桓 张静全 李卫 黎兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期173-176,共4页
采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有S... 采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。 展开更多
关键词 ALSB 薄膜 退火 磁控溅射法
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