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辉光放电质谱法定量测定重掺晶体硅中替位碳含量
被引量：
5
1
作者
刘红
李朋飞
+4 位作者
刘英
杨复光
刘鹏宇
胡芳菲
赵景鑫
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2021年第4期58-62,共5页
采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,...
采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,计算得到相对灵敏度因子(RSFcal)为1.19。在优化过的工作条件下,用辉光放电质谱法测未知样,用RSFcal进行计算,得到单晶硅中替位碳的定量分析结果,与二次离子质谱(SIMS)法测定结果进行对照,相对误差为3.7%,一致性较好。
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关键词
辉光放电质谱法
替位碳
相对灵敏度因子
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职称材料
题名
辉光放电质谱法定量测定重掺晶体硅中替位碳含量
被引量：
5
1
作者
刘红
李朋飞
刘英
杨复光
刘鹏宇
胡芳菲
赵景鑫
机构
国标(北京)检验
认证
有限公司
陕西有色天宏瑞科硅材料
有限
责任
公司
国合通用测试评价认证有限公司
出处
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2021年第4期58-62,共5页
基金
国家新材料测试评价平台—有色金属材料行业中心项目(TC190H3ZW/2)。
文摘
采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数。利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,计算得到相对灵敏度因子(RSFcal)为1.19。在优化过的工作条件下,用辉光放电质谱法测未知样,用RSFcal进行计算,得到单晶硅中替位碳的定量分析结果,与二次离子质谱(SIMS)法测定结果进行对照,相对误差为3.7%,一致性较好。
关键词
辉光放电质谱法
替位碳
相对灵敏度因子
Keywords
glow discharge mass spectrometry
the substitution carbon
relative sensitivity factor
分类号
O657.63 [理学—分析化学]
TH843 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
辉光放电质谱法定量测定重掺晶体硅中替位碳含量
刘红
李朋飞
刘英
杨复光
刘鹏宇
胡芳菲
赵景鑫
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2021
5
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