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铁电纳米材料和纳米结构研究的进展(英文) 被引量：12: 1; 作者朱信华朱健民《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期238-258,共21页; 铁电纳米材料和纳米结构(如纳米线、纳米管、纳米环)具有新型尺寸效应特性,在铁电基电子器件的微型化方面受到广泛关注。近年来在铁电纳米材料和纳米结构的制备和(电性能和微结构)表征及理论模拟方面取得了相当进展,本文对这方面的最新... 展开更多; 关键词铁电纳米材料铁电纳米结构制备纳尺度物性和微结构表征; 在线阅读下载PDF 职称材料

(C_(60))_N团簇的结构被引量：1: 2; 作者罗有华仇树田 +1 位作者赵纪军王广厚《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期273-274,共2页; 采用Ｐａｃｈｅｃｏ－Ｒａｍａｌｈｏ富勒烯分子间势，结合遗传算法，研究（Ｃ６０）Ｎ团簇直到Ｎ＝３０的最低能量结构，总能量的二阶差分表明，显著峰位对应于尺寸Ｎ＝１３，１９，２３，２６和２８，与Ｍａｒｔｉｎ等人的实验结果符合。; 关键词 (C₆₀)_N团簇基态结构遗传算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

团簇淀积纳米结构薄膜的计算机模拟被引量：3: 3; 作者王朝晔陈平平 +1 位作者韩民王广厚《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期84-88,共5页; 对团簇的淀积方式作了简介。着重对团簇的淀积过程进行了计算机模拟，从中得出了淀积的尺寸分布与团簇在衬底上的徙动长度有关，而团簇的聚合长大存在一临界尺寸。并给出低能Ｐｂ团簇在碳膜表面的徙动长度和聚合的临界尺寸。; 关键词团簇纳米结构计算机模拟薄膜沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文) 被引量：1: 4; 作者朱信华朱健民 +1 位作者刘治国闵乃本《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期280-302,共23页; 随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像... 展开更多; 关键词高k栅介质材料纳尺度结构和化学表征 HRTEM STEM EELS和EDS; 在线阅读下载PDF 职称材料

室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1: 5; 作者赵伟明甘新慧 +8 位作者戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期176-179,共4页; 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像... 展开更多; 关键词半导体纳米晶体自组装双功能分子刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

LECBD法制备Pb团簇被引量：1: 6; 作者俞圣雯陈平平王广厚《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期270-272,共3页; 用ＬＥＣＢＤ法制备的Ｐｂ团簇薄膜，具有亚微米量级的平整度、均匀性，结构致密，具有较高的应用前景。; 关键词 LECBD PB CLUSTER; 在线阅读下载PDF 职称材料

修正的非正交紧束缚总能模型在Si团簇中的应用: 7; 作者仇树田赵纪军 +1 位作者罗有华王广厚《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期277-278,共2页; 采用修正后的非正交紧束缚总能模型并结合遗传算法研究了半导体团簇Ｓｉ的基态能和基态构型，修正后的非正交紧束缚总能模型考虑了晶体场效应的影响，其结合能计算结果在实验结果的误差范围之内，通过它得出的基态构型与第一性原理的结... 展开更多; 关键词 GENETIC algorithm SILICON CLUSTER Nonorthogonal tightbinding; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铁电纳米材料和纳米结构研究的进展(英文) 被引量：12: 1; 作者朱信华朱健民; 机构固体微结构物理国家实验室南京大学物理系; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期238-258,共21页; 文摘铁电纳米材料和纳米结构(如纳米线、纳米管、纳米环)具有新型尺寸效应特性,在铁电基电子器件的微型化方面受到广泛关注。近年来在铁电纳米材料和纳米结构的制备和(电性能和微结构)表征及理论模拟方面取得了相当进展,本文对这方面的最新进展进行评述。首先对高质量的铁电纳米材料和纳米结构的制备方法进行了简短评述,然后介绍铁电纳米材料和纳米结构的纳尺度物性表征。随后介绍了最近发展的四种理论模型(尤其对铁电纳米管、纳米线、纳米点),以及从第一原理出发理论模拟铁电纳米结构的新现象,如铁电纳米结构的自发极化螺旋有序和自发极化涡旋结构。最后总结了铁电纳米材料和纳米结构的微结构研究进展,并讨论了有关铁电纳米结构中自发极化螺旋畴的一些基础物理问题以及实验上寻找自发极化螺旋畴的研究进展。; 关键词铁电纳米材料铁电纳米结构制备纳尺度物性和微结构表征; Keywords ferroelectric nanomaterials nanostructures fabrication nanoscale characterization on physical property and microstructure; 分类号 TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(C_(60))_N团簇的结构被引量：1: 2; 作者罗有华仇树田赵纪军王广厚; 机构固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期273-274,共2页; 文摘采用Ｐａｃｈｅｃｏ－Ｒａｍａｌｈｏ富勒烯分子间势，结合遗传算法，研究（Ｃ６０）Ｎ团簇直到Ｎ＝３０的最低能量结构，总能量的二阶差分表明，显著峰位对应于尺寸Ｎ＝１３，１９，２３，２６和２８，与Ｍａｒｔｉｎ等人的实验结果符合。; 关键词 (C₆₀)_N团簇基态结构遗传算法; Keywords (C60)N cluster Ground-state structure Genetic algorithms; 分类号 O562 [理学—原子与分子物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名团簇淀积纳米结构薄膜的计算机模拟被引量：3: 3; 作者王朝晔陈平平韩民王广厚; 机构固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期84-88,共5页; 基金国家自然科学基金; 文摘对团簇的淀积方式作了简介。着重对团簇的淀积过程进行了计算机模拟，从中得出了淀积的尺寸分布与团簇在衬底上的徙动长度有关，而团簇的聚合长大存在一临界尺寸。并给出低能Ｐｂ团簇在碳膜表面的徙动长度和聚合的临界尺寸。; 关键词团簇纳米结构计算机模拟薄膜沉积; Keywords Clusters Nanostructures computer simulation; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文) 被引量：1: 4; 作者朱信华朱健民刘治国闵乃本; 机构固体微结构物理国家实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期280-302,共23页; 基金国家自然科学基金资助项目(Nos.10874065,60576023,60636010) 江苏省自然科学基金资助项目(No.BK2007130)~~; 文摘随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像(振幅衬度像)、高分辨像(相位衬度像)、选区电子衍射和会聚束电子衍射、X射线能谱(EDS)及电子能量损失谱(EELS)等分析手段,已作为半导体器件结构表征的基本工具。配有高角度环形暗场探测器的扫描透射电镜(STEM),因其像的强度近似正比于原子序数(Z)的平方,它可在原子尺度直接确定材料的结构和化学组成。利用Z-衬度像配合高分辨电子能量损失谱技术,可确定新型CMOS堆垛层中的界面结构、界面及界面附近的元素分布及化学环境。近年来新开发的球差校正器使得HRTEM/STEM的分辨率得到革命性提高(空间分辨率优于0.08 nm,能量分辨率优于0.2 eV),在亚埃尺度上实现单个纳米器件的结构表征。装备球差校正器的新一代HRTEM和STEM,使得高k栅介质材料的研究进入一个新时代。本文首先介绍了原子分辨率电镜(HRTEM和STEM)的基本原理和关键特征,对相关高分辨谱分析技术(如EDS和EELS)加以比较;然后综述了HRTEM/STEM在高k栅介质材料(如铪基氧化物、稀土氧化物和外延钙钛矿结构氧化物)结构表征方面的最新进展;最后对亚埃分辨率高k栅介质材料的结构表征进行了展望。; 关键词高k栅介质材料纳尺度结构和化学表征 HRTEM STEM EELS和EDS; Keywords High-k gate dielectrics nanoscale structural and chemical characterization HRTEM STEM EELS EDS; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1: 5; 作者赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基; 机构南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期176-179,共4页; 基金国家自然科学基金(10574069,90301009,60425414) 国家(973)重点基础研究发展规划(2007CB935400); 文摘应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.; 关键词半导体纳米晶体自组装双功能分子刻蚀; Keywords semiconductor nanocrystals self-assembly bifunctional linker molecule etch; 分类号 O471.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LECBD法制备Pb团簇被引量：1: 6; 作者俞圣雯陈平平王广厚; 机构固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期270-272,共3页; 文摘用ＬＥＣＢＤ法制备的Ｐｂ团簇薄膜，具有亚微米量级的平整度、均匀性，结构致密，具有较高的应用前景。; 关键词 LECBD PB CLUSTER; Keywords LECBD Pb cluster; 分类号 O562 [理学—原子与分子物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名修正的非正交紧束缚总能模型在Si团簇中的应用: 7; 作者仇树田赵纪军罗有华王广厚; 机构固体微结构物理国家实验室南京大学物理系; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期277-278,共2页; 基金国家自然科学基金; 文摘采用修正后的非正交紧束缚总能模型并结合遗传算法研究了半导体团簇Ｓｉ的基态能和基态构型，修正后的非正交紧束缚总能模型考虑了晶体场效应的影响，其结合能计算结果在实验结果的误差范围之内，通过它得出的基态构型与第一性原理的结果完全一致，这充分说明了修正后的非正交紧束缚总能模型的正确性。; 关键词 GENETIC algorithm SILICON CLUSTER Nonorthogonal tightbinding; Keywords Genetic algorithm Silicon cluster Nonorthogonal tightbinding; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铁电纳米材料和纳米结构研究的进展(英文)	朱信华朱健民	《电子显微学报》 CAS CSCD	2007	12	在线阅读下载PDF 职称材料
2	(C_(60))_N团簇的结构	罗有华仇树田赵纪军王广厚	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	团簇淀积纳米结构薄膜的计算机模拟	王朝晔陈平平韩民王广厚	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	1999	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文)	朱信华朱健民刘治国闵乃本	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装	赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	LECBD法制备Pb团簇	俞圣雯陈平平王广厚	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	修正的非正交紧束缚总能模型在Si团簇中的应用	仇树田赵纪军罗有华王广厚	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料